1.一种导电半柔性LED基板，包括：
柔性层；
设置在柔性层上的电路；
设置在电路上的固晶区域；
设置在固晶区域上，用于焊接LED芯片的锡膏层；
位于柔性层背面，并设置在锡膏层正下方的刚性层。
2.如权利要求1所述的导电半柔性LED基板，其特征在于，所述刚性层的面积大于LED芯片的面积，并小于柔性层的面积。
3.如权利要求1所述的导电半柔性LED基板，其特征在于，所述刚性层的厚度大于1mm。
4.如权利要求1所述的导电半柔性LED基板，其特征在于，所述刚性层由聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺和聚四氟乙烯制成。
5.如权利要求1所述的导电半柔性LED基板，其特征在于，所述柔性层的厚度为0.01-0.1mm。
6.如权利要求1所述的导电半柔性LED基板，其特征在于，所述柔性层由聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺和聚四氟乙烯制成。
7.如权利要求1所述的导电半柔性LED基板，其特征在于，所述电路为延压电路、蚀刻电路或镀铜电路。
8.如权利要求1所述的导电半柔性LED基板，其特征在于，所述锡膏层由Au、Sn、Ag和Cu在一种或几种制成。
9.一种导电半柔性LED基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供柔性层；
在柔性层表面制作电路；
在电路表面设置固晶区域；
在固晶区域表面形成锡膏层，其中，锡膏层用于焊接LED芯片；
在柔性层背面形成刚性层，且所述刚性层位于锡膏层的正下方。
10.一种LED器件，其特征在于，包括权利要求1-8任一项导电半柔性LED基板和LED芯片，其中，LED芯片焊接在锡膏层上。