技术特征：
技术总结
根据本发明，提供了一种在附接有背面金属层的硅衬底中等离子体蚀刻一个或多个切割通道的方法，该方法包括以下步骤：使用交替重复沉积步骤和蚀刻步骤的周期性等离子体蚀刻工艺执行主蚀刻，以产生具有圆齿形侧壁的切割通道；和切换到使用交替重复沉积步骤和蚀刻步骤的周期性等离子体蚀刻工艺执行第二蚀刻，直到达到背面金属层，其中，在第二蚀刻期间的一个蚀刻步骤中去除的硅量是在主蚀刻期间的一个蚀刻步骤中去除的硅的量的一半或者更少。本发明还提供了一种对附接有背面金属层的硅衬底进行等离子体切割的方法。
技术研发人员：奥立佛·J·安塞尔;马丁·哈尼辛克;珍妮特·霍普金斯
受保护的技术使用者：SPTS科技有限公司
技术研发日：2018.06.05
技术公布日：2018.12.11