技术特征：
技术总结
本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供基底，包括第一堆叠结构、贯穿第一堆叠结构的第一沟道孔结构，第一沟道孔结构顶部还形成有半导体层和位于所述半导体层上的凹槽；在所述半导体层表面形成氧化层；在凹槽内形成位于氧化层表面的刻蚀停止层；在第一堆叠结构表面及刻蚀停止层表面形成第二堆叠结构；刻蚀第二堆叠结构形成贯穿第二堆叠结构的第二沟道孔；去除刻蚀停止层，暴露出氧化层；在第二沟道孔侧壁表面形成第二功能侧墙，并刻蚀部分氧化层，暴露出第二沟道孔底部的半导体层；在第二功能侧墙和暴露的半导体层表面形成第二沟道层。上述方法能够提高半导体层的质量，从而半导体结构的性能。
技术研发人员：杨号号;王恩博;张勇;陶谦;胡禺石;吕震宇;卢峰
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2018.06.21
技术公布日：2018.10.02