技术特征：
技术总结
本申请涉及用于嵌入式存储器应用的横向扩散MOSFET。例如，提供一种特别适用于密集间距环境如集成存储器应用中的线驱动器的横向扩散MOSFET LDMOS设备架构。在一个实施方案中，例示性高压MOSFET设备包括：主体(第一导电类型的半导体)；源极区(第二导电类型的半导体)，所述源极区位于源极有效区域处并且在主体内或邻近主体定位；漂移区(第二导电类型的轻掺杂半导体)，所述漂移区邻近主体定位；以及栅极，所述栅极覆盖主体的至少一部分和漂移区的至少一部分以在源极区与漂移区之间形成可控沟道。为了增大漏极击穿电压，漂移区的宽度尺寸形成为充分小以使耗尽区延伸穿过漂移区的整个宽度。
技术研发人员：蒂埃里·姚
受保护的技术使用者：半导体组件工业公司
技术研发日：2018.06.26
技术公布日：2019.01.01