技术特征：
技术总结
本发明公开了生长在硅/石墨烯复合衬底上的GaN基纳米柱LED外延片及其制备方法，包括生长在硅/石墨烯复合衬底上的非掺杂GaN纳米柱，生长在非掺杂GaN纳米柱上的n型掺杂GaN层，长在n型掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN层。本发明的制备方法具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好。
技术研发人员：高芳亮;李国强;张曙光;徐珍珠;余粤锋
受保护的技术使用者：华南理工大学
技术研发日：2018.06.30
技术公布日：2018.11.13