技术特征：
技术总结
本发明公开了一种有机半导体薄膜晶体管的制备方法，该方法的有源层和绝缘层是通过化学旋凃工艺一步完成。分别将有机半导体材料和绝缘聚合物同时溶解到同一溶剂中，形成前驱体溶液，然后直接将前驱体溶液旋凃在薄膜晶体管的栅电极层之上，由于不同组分间的化学不相容性，薄膜沿垂直方向发生相分离，导致绝缘聚合物形成在旋涂薄膜底层并与栅电极接触，而有机半导体位于绝缘聚合物上面，从而一步获得有机薄膜晶体管的有源层和绝缘层。该工艺可以同时制备有源层和绝缘层，能够简化制备工艺，降低界面态缺陷，提高薄膜晶体管的电学性能。本发明制备方法简单、生产成本低，因此在大面积、低成本有机薄膜晶体管的制备中具有很重大的应用价值。
技术研发人员：张新安;杨光;张朋林;郑海务;张伟风
受保护的技术使用者：河南大学
技术研发日：2018.07.07
技术公布日：2018.12.14