半导体薄膜晶体管以及显示装置及其背板的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体领域，具体涉及一种半导体薄膜晶体管以及具有该半导体薄膜晶体管的显示装置及其背板。
【背景技术】
[0002]现有的半导体薄膜晶体管结构中，其源极和漏极等电极若使用抗氧化性较差的金属(例如银合金)，则当采用蚀刻方法对半导体层进行图案化时，蚀刻的氧离子往往会和电极的金属进行反应，造成电极氧化，不但使得半导体层和金属层之间的附着特性变差，而且由于氧化造成电极与半导体层之间的接触电阻变高，使得元件特性变差。
【实用新型内容】
[0003]有鉴于此，本实用新型旨在提供一种可防止电极氧化的半导体薄膜晶体管以及具有该半导体薄膜晶体管的显示装置及其背板。
[0004]为了实现本实用新型的目的，本实用新型实施例一方面提供一种半导体薄膜晶体管，其包括第一基底、第一栅极、第一源极、第一漏极和第一栅极绝缘层，所述第一栅极设置于所述第一基底上，所述第一栅极绝缘层覆盖所述第一栅极并与所述第一基底连接，所述第一源极和第一漏极设置于所述第一栅极绝缘层上，所述半导体薄膜晶体管还包括第一导线、第一电极和第一半导体，所述第一导线和第一电极均设置于所述第一栅极绝缘层上方，所述第一半导体覆盖所述第一源极和第一漏极，且所述第一半导体与所述第一导线和第一电极间隔设置，所述第一导线和第一电极通过第一导电材料与所述第一半导体连接。
[0005]优选地，所述第一源极和第一漏极间隔地设置于所述第一栅极绝缘层上方，所述第一导线位于所述第一源极远离所述第一漏极的一侧，所述第一电极位于所述第一漏极远离所述第一源极的一侧。
[0006]优选地，所述第一源极和第一漏极间隔地设置于所述第一栅极绝缘层上方，且在横向方向上分别位于所述第一栅极的两侧，所述第一半导体与所述第一栅极绝缘层接触，所述第一源极和第一漏极之间也成长有所述第一半导体。
[0007]优选地，所述第一半导体由有机半导体材料制成。
[0008]本实用新型实施例另一方面提供一种半导体薄膜晶体管，其包括第二基底、第二栅极、第二源极、第二漏极和第二栅极绝缘层，所述第二源极和第二漏极设置于所述第二基底上方，所述半导体薄膜晶体管还包括第二导线、第二电极和第二半导体，所述第二导线和第二电极均设置于所述第二基底上方，所述第二半导体覆盖所述第二源极和第二漏极，且所述第一半导体并与所述第二导线和第二电极间隔设置，所述第二导线和第二电极通过第二导电材料与所述第二半导体连接，所述第二栅极绝缘层覆盖所述第二导线、第二半导体和第二电极，所述第二栅极设置于所述第二栅极绝缘层上方。
[0009]优选地，所述第二源极和第二漏极间隔地设置于所述第二基底上方，所述第二导线位于所述第二源极远离所述第二漏极的一侧，所述第二电极位于所述第二漏极远离所述第二源极的一侧。
[0010]优选地，所述第二源极和第二漏极间隔地设置于所述第二基底上方，且在横向方向上分别位于所述第二栅极的两侧，所述第二半导体与所述第二基底接触，所述第二源极和第二漏极之间也成长有所述第二半导体。
[0011]优选地，所述第二半导体由有机半导体材料制成。
[0012]在上述实施例中，由于源极和漏极被半导体所覆盖，所以当对半导体进行图案化蚀刻时，由于半导体的阻隔，源极和漏极不会被蚀刻的氧离子所氧化，因此该半导体薄膜晶体管具有较好的元件特性。而且，此种结构的半导体薄膜晶体管在制造时，导线和电极也会受到光阻的保护，不容易被氧化。
[0013]本实用新型实施例还提供一种半导体薄膜晶体管的制造方法，其包括如下步骤:
[0014]形成间隔设置的源极、漏极、导线和电极，所述源极、漏极与所述导线和电极不连接，所述源极、漏极、导线和电极上均覆盖有光阻；
[0015]去除所述源极和漏极上的光阻；
[0016]在所述源极和漏极上设置半导体，所述半导体覆盖所述源极和漏极，所述半导体上覆盖有光阻；
[0017]将所述半导体图案化；
[0018]去除所述半导体及导线和电极上的光阻；
[0019]将所述半导体与所述导线和电极通过导电材料连接。
[0020]优选地，在形成间隔设置的源极、漏极、导线和电极的步骤之前，还包括如下步骤:
[0021]在基底上形成栅极；
[0022]在基底上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极，所述源极、漏极、导线和电极形成于所述栅极绝缘层的上方。
[0023]优选地，所述源极、漏极、导线和电极均设置于基底上，在将所述半导体与所述导线和电极通过导电材料连接后，还包括如下步骤:
[0024]在所述导线、半导体和电极上覆盖栅极绝缘层；
[0025]在所述栅极绝缘层上形成栅极。
[0026]优选地，所述光阻为正型光阻，在去除所述源极和漏极上的光阻的步骤中，先将所述源极和漏极上的光阻曝光，所述导线和电极上的光阻则不曝光，然后通过显影去除所述源极和漏极上的光阻。
[0027]优选地，在去除所述源极和漏极上的光阻后，所述源极和漏极与所述导线和电极不导通。
[0028]优选地，所述半导体由有机半导体材料制成。
[0029]优选地，在将所述半导体与所述导线和电极通过导电材料连接的步骤中，所述导电材料通过网印、喷印或热转移的方法成型。
[0030]在上述实施例中，由于源极和漏极被半导体所覆盖，所以当对半导体进行图案化蚀刻时，由于半导体的阻隔，源极和漏极不会被蚀刻的氧离子所氧化，此外导线和电极也受到了光阻的保护，不容易被氧化，因此该制造方法所得到的半导体薄膜晶体管具有较好的元件特性。
[0031]本实用新型实施例还提供一种显示装置的背板，其包括多个如上述任一实施例所述的半导体薄膜晶体管或多个由上述任一实施例所述的半导体薄膜晶体管的制造方法所制成的半导体薄膜晶体管。
[0032]本实用新型实施例进一步提供一种显示装置，其包括多个如上述任一实施例所述的半导体薄膜晶体管或上述实施例提供的显示装置的背板。上述半导体薄膜晶体管可作为该显示装置的背板的一部分。上述半导体薄膜晶体管所带来的有益效果显然也可在该显示装置及其背板中体现，此处不再赘述。
【附图说明】
[0033]图1是本实用新型第一实施例的半导体薄膜晶体管的结构示意图。
[0034]图2是本实用新型第二实施例的半导体薄膜晶体管的结构示意图。
[0035]图3是本实用新型第一实施例的半导体薄膜晶体管的制造方法示意图。
[0036]图4是本实用新型第二实施例的半导体薄膜晶体管的制造方法示意图。
【具体实施方式】
[0037]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0038]请参考图1，本实用新型第一实施例提供一种半导体薄膜晶体管，其包括第一基底
11、第一栅极12、第一源极14、第一漏极15和第一栅极绝缘层13。
[0039]第一栅极12设置于第一基底11上，第一栅极绝缘层13覆盖第一栅极12并与第一基底11连接。第一基底11可由玻璃、塑料(如PET、PEN、PI…等)、金属薄片或是复合材料制成，第一基底11上也可以设置平坦层或保护层等，第一栅极12由可导电金属材料制成，第一栅极绝缘层13则可由可图案化的介电材料制成。第一源极14和第一漏极15设置于第一栅极绝缘层13上，与第一栅极12构成半导体薄膜晶体管的三个极。第一源极14和第一漏极15也可由可导电的金属材料制成，具体来说可通过黄光制程形成于第一栅极绝缘层13上。
[0040]该半导体薄膜晶体管还包括第一导