去除第二源极22和第二漏极23上的光阻20 ;
[0063]在第二源极22和第二漏极23上设置第二半导体26，第二半导体26为半导体材料制成，第二半导体26覆盖第二源极22和第二漏极23，第二半导体26上覆盖有光阻20 ;具体来说，第二半导体26是通过在第二源极22和第二漏极23上涂布有机半导体材料形成的；
[0064]将第二半导体26图案化，以形成所需的电子器件；具体来说，将第二半导体26上的光阻曝光显影，然后将第二半导体26进行蚀刻以进行图案化；
[0065]去除第二半导体26上剩余的光阻20以及第二导线24和第二电极25上的光阻20 ；
[0066]将第二半导体26与第二导线24和第二电极25通过第二导电材料27连接。
[0067]在图4所示的实施例中，该半导体薄膜晶体管具有顶栅结构，第二源极22、第二漏极23、第二导线24和第二电极25均设置于第二基底21上，在将第二半导体26与第二导线24和第二电极25通过第二导电材料27连接后，还包括如下步骤:
[0068]在第二导线24、第二半导体26和第二电极25上覆盖第二栅极绝缘层28 ;具体来说，由于第二导电材料27至少部分覆盖第二导线24和第二电极25，因此可通过在第二导电材料27、第二半导体26上涂布介电材料形成第二栅极绝缘层28
[0069]在第二栅极绝缘层28上形成第二栅极29，第二栅极29具体可由导电金属材料通过黄光制程形成。
[0070]在一优选实施例中，光阻10为正型光阻，在去除第一源极14和第一漏极15上的光阻10的步骤中，可采用局部曝光的方法，先将第一源极14和第一漏极15上的光阻10曝光，第一导线16和第一电极17上的光阻10则不曝光，然后通过显影去除第一源极14和第一漏极15上的光阻10。类似地，在图4所示的制造方法的优选实施例中，光阻20也可以为正型光阻，在去除第二源极22和第二漏极23上的光阻20的步骤中，可采用局部曝光的方法，先将第二源极22和第二漏极23上的光阻20曝光，第二导线24和第二电极25上的光阻20则不曝光，然后通过显影去除第二源极22和第二漏极23上的光阻20。
[0071]在一优选实施例中，在去除第一源极14和第一漏极15上的光阻后，第一源极14和第一漏极15与第一导线16和第一电极17不导通，也即在此阶段，第一源极14、第一漏极15、第一导线16和第一电极17均彼此独立。类似地，在另一优选实施例中，在去除第二源极22和第二漏极23上的光阻后，第二源极22和第二漏极23与第二导线24和第二电极25不导通。
[0072]在一优选实施例中，在将第一半导体18与第一导线16和第一电极17通过第一导电材料19连接的步骤中，第一导电材料19可以通过网印、喷印或热转移的方法成型。类似地，在将第二半导体26与第二导线24和第二电极25通过第二导电材料27连接的步骤中，第二导电材料27可以通过网印、喷印或热转移的方法成型。
[0073]在上述实施例中，由于源极和漏极被半导体所覆盖，所以当对半导体进行图案化蚀刻时，由于半导体的阻隔，源极和漏极不会被蚀刻的氧离子所氧化，此外导线和电极也受到了光阻的保护，不容易被氧化，因此该制造方法所得到的半导体薄膜晶体管具有较好的元件特性。
[0074]本实用新型实施例还提供一种显示装置的背板，其包括多个如上述任一实施例所述的半导体薄膜晶体管或多个由上述任一实施例所述的制造方法所制成的半导体薄膜晶体管。本实用新型实施例还进一步提供一种显示装置，其包括上述任一实施例所述的半导体薄膜晶体管或上述的背板。上述半导体薄膜晶体管所带来的有益效果显然也可在该显示装置及其背板中体现，此处不再赘述。
[0075]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种半导体薄膜晶体管，其包括第一基底、第一栅极、第一源极、第一漏极和第一栅极绝缘层，所述第一栅极设置于所述第一基底上，所述第一栅极绝缘层覆盖所述第一栅极并与所述第一基底连接，所述第一源极和第一漏极设置于所述第一栅极绝缘层上，其特征在于，所述半导体薄膜晶体管还包括第一导线、第一电极和第一半导体，所述第一导线和第一电极均设置于所述第一栅极绝缘层上方，所述第一半导体覆盖所述第一源极和第一漏极，且所述第一半导体与所述第一导线和第一电极间隔设置，所述第一导线和第一电极通过第一导电材料与所述第一半导体连接。2.根据权利要求1所述的半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述第一源极和第一漏极间隔地设置于所述第一栅极绝缘层上方，所述第一导线位于所述第一源极远离所述第一漏极的一侧，所述第一电极位于所述第一漏极远离所述第一源极的一侧。3.根据权利要求1所述的半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述第一源极和第一漏极间隔地设置于所述第一栅极绝缘层上方，且在横向方向上分别位于所述第一栅极的两侧，所述第一半导体与所述第一栅极绝缘层接触，所述第一源极和第一漏极之间也成长有所述第一半导体。4.根据权利要求1至3任一项所述的半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述第一半导体由有机半导体材料制成。5.一种半导体薄膜晶体管，其包括第二基底、第二栅极、第二源极、第二漏极和第二栅极绝缘层，所述第二源极和第二漏极设置于所述第二基底上方，其特征在于，所述半导体薄膜晶体管还包括第二导线、第二电极和第二半导体，所述第二导线和第二电极均设置于所述第二基底上方，所述第二半导体覆盖所述第二源极和第二漏极，且所述第二半导体与所述第二导线和第二电极间隔设置，所述第二导线和第二电极通过第二导电材料与所述第二半导体连接，所述第二栅极绝缘层覆盖所述第二导线、第二半导体和第二电极，所述第二栅极设置于所述第二栅极绝缘层上方。6.根据权利要求5所述的半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述第二源极和第二漏极间隔地设置于所述第二基底上方，所述第二导线位于所述第二源极远离所述第二漏极的一侧，所述第二电极位于所述第二漏极远离所述第二源极的一侧。7.根据权利要求5所述的半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述第二源极和第二漏极间隔地设置于所述第二基底上方，且在横向方向上分别位于所述第二栅极的两侧，所述第二半导体与所述第二基底接触，所述第二源极和第二漏极之间也成长有所述第二半导体。8.根据权利要求5至7任一项所述的半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述第二半导体由有机半导体材料制成。9.一种显示装置的背板，其特征在于，包括多个如权利要求1至8任一项所述的半导体薄膜晶体管。10.一种显示装置，其特征在于，包括多个如权利要求1至8任一项所述的半导体薄膜晶体管或包括如权利要求9所述的显示装置的背板。
【专利摘要】本实用新型涉及一种半导体薄膜晶体管以及具有该半导体薄膜晶体管的显示装置及其背板。该半导体薄膜晶体管包括第一基底、第一栅极、第一源极、第一漏极、第一栅极绝缘层、第一导线、第一电极和第一半导体，第一栅极绝缘层覆盖第一栅极并与第一基底连接，第一源极和第一漏极设置于第一栅极绝缘层上，第一半导体覆盖第一源极和第一漏极，并与第一导线和第一电极间隔设置，第一导线和第一电极通过第一导电材料与第一半导体连接。由于源极和漏极被半导体所覆盖，所以当对半导体进行图案化蚀刻时，由于半导体的阻隔，源极和漏极不会被蚀刻的氧离子所氧化，导线和电极也不容易被氧化，因此该半导体薄膜晶体管具有较好的元件特性。
【IPC分类】H01L29/06, H01L27/15, H01L21/8234, H01L29/786
【公开号】CN204927296
【申请号】CN201520498723
【发明人】王怡凯, 高启仁, 胡堂祥
【申请人】广州奥翼电子科技有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年7月10日