一种功率器件终端结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于半导体制造技术领域，特别涉及一种功率器件终端结构。
【背景技术】
[0002]对于现有的功率器件的结构设计，因为平行平面结和电场的影响，都需要一定的终端结构来耐压，拥有一定的终端长度。例如，采用单Ring结构，多Ring结构，或者增加场板的结构，来降低终端的表面电场，提升器件终端耐压。如图1所示。主要缺点是电压越高的器件，需要终端结构越长和越复杂，而且一般终端的耐压会比圆胞的耐压低，器件稳定性不尚。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的是提供一种新型的功率器件结构，以解决现有的功率器件的终端的耐压会比圆胞的耐压低，导致器件稳定性不高的问题。
[0004]本实用新型的技术方案是，一种功率器件终端结构，在所述功率器件边缘具有深沟槽隔离作为终端。
[0005]进一步的，所述功率器件，或者是M0SFET，或者是IGBT，或者是二极管，或者是肖特基。
[0006]进一步的，所述功率器件的终端圆胞结构或者是平面型，或者是沟槽型。
[0007]本实用新型提出一种不需要现有终端结构的方案，在功率器件边缘采用深沟槽隔离的技术，极大的减小了终端长度，提高了器件稳定性。
【附图说明】
[0008]通过参考附图阅读下文的详细描述，本实用新型示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本实用新型的若干实施方式，其中:
[0009]图1是现有的功率器件的结构图。
[0010]图2是本实用新型功率器件的结构图。
[0011 ] 其中，I 多晶娃Poly，
[0012]2--P-Body 区，
[0013]3——Ring扩散区，
[0014]4--EPI 外延层，
[0015]5——深沟槽隔离。
[0016]6--Cell 区
【具体实施方式】
[0017]如图2所示，本实用新型的功率器件结构，在所述功率器件边缘具有深沟槽隔离作为终端。所述功率器件，或者是MOSFET，或者是IGBT，或者是二极管，或者是肖特基。所述功率器件的终端圆胞结构或者是平面型，或者是沟槽型。
[0018]本实用新型不需要现有的终端结构，直接采用深沟槽隔离技术，并且保证了器件耐压与圆胞耐压一致，提高了器件的稳定性。
[0019]值得说明的是，虽然前述内容已经参考若干【具体实施方式】描述了本实用新型创造的精神和原理，但是应该理解，本实用新型创造并不限于所公开的【具体实施方式】，对各方面的划分也不意味着这些方面中的特征不能组合，这种划分仅是为了表述的方便。本实用新型创造旨在涵盖所附权利要求的精神和范围内所包括的各种修改和等同布置。
【主权项】
1.一种功率器件终端结构，其特征在于，在所述功率器件边缘具有深沟槽隔离作为终端。2.如权利要求1所述的功率器件终端结构，其特征在于，所述功率器件，或者是MOSFET，或者是IGBT，或者是二极管。3.如权利要求1所述的功率器件终端结构，其特征在于，所述功率器件的终端圆胞结构或者是平面型，或者是沟槽型。
【专利摘要】本实用新型公开了一种功率器件终端结构，在所述功率器件边缘具有深沟槽隔离作为终端。所述功率器件，或者是MOSFET，或者是IGBT，或者是二极管，或者是肖特基。所述功率器件的终端圆胞结构或者是平面型,或者是沟槽型。本实用新型提出一种不需要现有终端结构的方案,在功率器件边缘采用深沟槽隔离的技术,极大的减小了终端长度,提高了器件稳定性。
【IPC分类】H01L29/78, H01L29/861, H01L29/06, H01L29/739
【公开号】CN204927291
【申请号】CN201520678017
【发明人】陆怀谷
【申请人】深圳市谷峰电子有限公司, 香港谷峰半导体有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年9月2日