技术总结
本发明公开一种在半导体晶片上制作半导体结构的方法。首先提供一半导体晶片，具有一第一区域、一第二区域和一晶边区域。在第一区域和第二区域内分别形成一第一半导体结构和一第二半导体结构。接着对半导体晶片进行一晶边等离子体处理制作工艺，仅仅在晶边区域内形成一阻挡层。再进行一硅化金属制作工艺，在第一区域和第二区域内形成一硅化金属层。
技术研发人员：张峰溢;李甫哲;陈界得;徐庆斌
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
技术研发日：2018.07.10
技术公布日：2020.01.21