显示基板及其制备方法、显示面板与流程

本公开至少一个实施例涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

有机发光二极管(oled，organiclight-emittingdiode)是一种有机薄膜电致发光器件，其因具有制备工艺简单、成本低、功耗小、亮度高、视角宽、对比度高及可实现柔性显示等优点，而受到人们极大的关注。

oled电子显示产品需要进行封装，以避免其内部的部件因渗透进来的水汽和氧气等的影响而受到老化、损坏。但是，当前的oled电子显示产品受限于自身的设计结构，导致封装的良率不能进一步提高。

技术实现要素：

本公开至少一个实施例提供一种显示基板，包括显示区以及位于所述显示区周围的非显示区，所述显示基板还包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的至少一个阻挡坝和第一封装层，所述阻挡坝位于所述非显示区中的所述衬底基板上，所述第一封装层位于所述衬底基板上并且位于至少一个所述阻挡坝的面向所述显示区的一侧，所述第一封装层由固化后的第一封装材料形成，所述阻挡坝的至少面对所述第一封装层的一侧相对于固化前的所述第一封装材料具有疏液性。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，所述阻挡坝的平面形状为环绕所述显示区的闭合环形。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，所述显示基板包括多个所述阻挡坝，并且多个所述阻挡坝彼此间隔排布。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，多个所述阻挡坝包括第一阻挡坝和第二阻挡坝，所述第一阻挡坝位于所述第二阻挡坝和所述显示区之间，以及所述第一阻挡坝的远离所述衬底基板的表面至所述衬底基板的表面的距离小于所述第二阻挡坝的远离所述衬底基板的表面至所述衬底基板的表面的距离。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，多个所述阻挡坝还包括第三阻挡坝，所述第三阻挡坝位于所述第二阻挡坝的远离所述第一阻挡坝的一侧，以及所述第二阻挡坝的远离所述衬底基板的表面至所述衬底基板的表面的距离小于所述第三阻挡坝的远离所述衬底基板的表面至所述衬底基板的表面的距离。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，所述第一封装层的远离所述衬底基板的表面至所述衬底基板的表面的距离大于所述阻挡坝的远离所述衬底基板的表面至所述衬底基板的表面的距离。

例如，本公开至少一个实施例提供的显示基板还包括位于所述衬底基板上的像素界定层，其中，所述像素界定层位于所述衬底基板和所述第一封装层之间。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，所述像素界定层设置为单层结构，所述阻挡坝包括第一阻挡层，所述第一阻挡层与所述像素界定层同层且同材料。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，所述像素界定层设置为单层结构，所述阻挡坝包括彼此叠置的第一阻挡层和光刻胶层，所述第一阻挡层位于所述衬底基板和所述光刻胶层之间，以及所述第一阻挡层与所述像素界定层同层且同材料。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，所述像素界定层包括彼此叠置的第一界定层和第二界定层，所述第一界定层位于所述第二界定层和所述衬底基板之间，以及所述阻挡坝包括第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层与所述第一界定层同层且同材料，所述第二阻挡层与所述第二界定层同层且同材料。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，所述阻挡坝还包括至少一个光刻胶层，所述光刻胶层位于所述第一阻挡层或所述第二阻挡层的远离所述衬底基板的一侧。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，所述像素界定层的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺和丙烯酸中至少之一。

例如，本公开至少一个实施例提供的显示基板还包括第二封装层和第三封装层，所述第二封装层位于所述第一封装层和所述衬底基板之间，所述第三封装层位于所述第一封装层的远离所述衬底基板的一侧，其中，所述第一封装层为有机层，所述第二封装层和所述第三封装层为无机层。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，所述阻挡坝在所述衬底基板上的正投影位于所述第一封装层和所述第二封装层在所述衬底基板上的正投影之外；以及所述第一封装层在所述衬底基板上的正投影位于所述第三封装层在所述衬底基板上的正投影之内，并且所述阻挡坝在所述衬底基板上的正投影位于所述第三封装层在所述衬底基板上的正投影之内。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，至少一个所述阻挡坝在所述衬底基板上的正投影位于所述第一封装层和所述第二封装层在所述衬底基板上的正投影之内，并且至少一个所述阻挡坝在所述衬底基板上的正投影位于所述第一封装层和所述第二封装层在所述衬底基板上的正投影之外；以及所述第一封装层在所述衬底基板上的正投影位于所述第三封装层在所述衬底基板上的正投影之内，并且所述阻挡坝在所述衬底基板上的正投影位于所述第三封装层在所述衬底基板上的正投影之内。

例如，本公开至少一个实施例提供的显示基板还包括多个有机发光器件，其中，所述有机发光器件位于所述显示区中，并且位于所述第一封装层和所述衬底基板之间。

例如，本公开至少一个实施例提供的显示基板还包括平坦层，其中，所述平坦层位于所述有机发光器件和所述衬底基板之间，所述阻挡坝至少部分与所述平坦层同层且同材料。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，所述平坦层的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、环氧树脂、聚酰胺、丙烯酸。

本公开至少一个实施例提供一种显示面板，包括前述任一实施例中所述的显示基板。

本公开至少一个实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：提供衬底基板，在所述衬底基板上限定欲形成的所述显示基板的显示区以及位于所述显示区周围的非显示区；在所述非显示区中的所述衬底基板上形成至少一个阻挡坝；在所述显示区中的所述衬底基板上施加第一封装材料；以及固化所述第一封装材料以形成第一封装层；其中，所述阻挡坝的至少面对所述第一封装层的一侧相对于固化前的所述第一封装材料具有疏液性。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板的制备方法中，形成所述阻挡坝之后并且在所述衬底基板上施加所述第一封装材料之前，利用卤族元素对所述阻挡坝进行改性处理。

在本公开至少一个实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示面板中，阻挡坝可以防止用于获得第一封装层的第一封装材料的溢流，从而提高第一封装层的设计厚度和平坦度，提高显示基板的封装效果。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。

图1a为本公开一实施例提供的一种显示基板的部分结构的平面图；

图1b为图1a所示的显示基板沿a-b的截面图；

图2为本公开一实施例提供的另一种显示基板的截面图；

图3为本公开一实施例提供的另一种显示基板的截面图；

图4为本公开一实施例提供的另一种显示基板的截面图；

图5为本公开一实施例提供的另一种显示基板的截面图；

图6为本公开一实施例提供的另一种显示基板的截面图；

图7为本公开一实施例提供的另一种显示基板的截面图；

图8为本公开一实施例提供的另一种显示基板的截面图；以及

图9a～图9g为本公开一实施例提供的一种显示基板的制备方法的过程图。

附图标记：

100-衬底基板；101-显示区；102-非显示区；103-像素界定层；110-第一界定层；120-第二界定层；200-阻挡坝；201-第一阻挡坝；202-第二阻挡坝；203-第三阻挡坝；210-第一阻挡层；220-第二阻挡层；230-光刻胶层；240-第三阻挡层；301-第一封装材料；310-第一封装层；320-第二封装层；330-第三封装层；400-有机发光器件；410-第一电极层；420-第二电极层；430-有机发光功能层；500-薄膜晶体管；510-栅绝缘层；520-层间介质层；530-钝化层；600-平坦层。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

例如，显示基板上沿周边可以设置阻挡坝，在显示基板的封装过程中，阻挡坝可以对封装材料(例如喷墨打印工艺中墨液形式)进行阻挡，封装材料在干燥固化后形成封装层。如果阻挡坝高度不够，封装材料会溢流，浪费材料，而且这样可能导致封装材料形成的封装层平坦度差且厚度较小，封装层的封装效果有限。但是，如果加高阻挡坝，则会增加阻挡坝所在区域的段差，不仅会增加显示基板的设计厚度、增加制造工艺的难度，而且对显示基板的后续制备工艺产生不良影响。

本公开至少一个实施例提供一种显示基板，该显示基板包括显示区以及位于显示区周围的非显示区，该显示基板还包括衬底基板以及设置于衬底基板上的第一封装层和至少一个阻挡坝，阻挡坝位于非显示区中的衬底基板上，第一封装层位于衬底基板上并且位于至少一个阻挡坝的面向显示区的一侧，第一封装层由固化后的第一封装材料形成，阻挡坝的至少面对第一封装层的一侧相对于固化前的第一封装材料具有疏液性。在该显示基板中，阻挡坝可以防止用于获得第一封装层的第一封装材料的溢流，从而提高第一封装层的平坦度；而且，与当前的显示基板的结构相比，在阻挡坝的设计厚度相同的情况下，本公开的实施例中的阻挡坝也可以使得显示基板在封装工艺中可以保持更多的第一封装材料，从而提高第一封装层的设计厚度。如此，本公开的实施例提供的阻挡坝可以提高显示基板的封装效果。

下面，结合附图对根据本公开至少一个实施例中的显示基板及其制备方法、显示面板进行说明。

图1a为本公开一实施例提供的一种显示基板的部分结构的平面图，图1b为图1a所示的显示基板沿a-b的截面图。

例如，在本公开至少一个实施例显示基板中，如图1a和图1b所示，显示基板包括显示区101以及位于显示区101周围的非显示区102，显示基板还包括衬底基板100，阻挡坝200位于非显示区102中的衬底基板100上，第一封装层310位于衬底基板100上并且位于阻挡坝200的面向显示区101的一侧，第一封装层310由固化后的第一封装材料(未示出，可以参考图9f中的第一封装材料301)形成，阻挡坝200的至少面对第一封装层310的一侧相对于固化前的第一封装材料具有疏液性。显示区101为图1a中虚线框所限定的区域。

下面，以衬底基板100为参考建立空间直角坐标系，对本公开下述至少一个实施例中的显示基板的各个部件的位置进行说明。示例性的，如图1a和图1b所示，在上述空间直角坐标系中，x轴和y轴的方向平行于衬底基板100的面向阻挡坝200的表面，z轴的方向垂直于衬底基板100的面向阻挡坝200的表面。

此外，在本公开下述至少一个实施例中，“上”和“下”、“高度”、“厚度”是以靠近衬底基板100的面向阻挡坝200的表面的距离来界定的。此外，以阻挡坝200为例，阻挡坝200的“高度”和“厚度”不受衬底基板100和阻挡坝200之间设置的其它部件(例如图6所示的薄膜晶体管500等)的限制。

例如，如图1a和图1b所示，阻挡坝200的面向衬底基板100的表面为下表面，阻挡坝200的远离衬底基板100的表面为上表面；第一封装层310位于衬底基板100(或者下述实施例中的有机发光器件400)之上，衬底基板100(或者下述实施例中的有机发光器件400)位于第一封装层310之下。

例如，阻挡坝200的高度为阻挡坝200的上表面至衬底基板100的面向阻挡坝200的表面的距离；阻挡坝200的厚度为阻挡坝200在z轴方向上的尺寸。示例性的，如图1b所示，阻挡坝200的高度为h，第一封装层310的高度为h；此外，如下述实施例中的图6所示，阻挡坝200和衬底基板100之间设置有薄膜晶体管500等结构，阻挡坝200的第三阻挡坝203的高度为h3，第三阻挡坝203的厚度为l3，第一封装层310的高度为h。

例如，在显示基板的制备过程中，在阻挡坝限定的区域内施加第一封装材料。由于阻挡坝的面向第一封装层的一侧(侧表面)相对于第一封装材料具有疏液性，使得第一封装材料在侧表面上的接触角大于90度，从而阻止第一封装材料在阻挡坝的侧表面上的攀爬，并且使得第一封装材料的中心部分(显示区的部分)的高度可以大于边缘部分(靠近阻挡坝的部分)的高度。例如，第一封装材料的中心部分的高度可以大于阻挡坝的高度。与当前的显示基板相比，显示基板上施加的第一封装材料的量可以较少地受阻挡坝的高度限制，第一封装材料也更难以越过阻挡坝而溢出，从而可以形成更大厚度的第一封装层；而且，除了第一封装材料的边缘部分外，第一封装材料的中心部分(例如第一封装材料的至少位于显示区的部分)的表面基本为平面，使得第一封装材料干燥后形成的第一封装层的表面的平坦度更高。如此，可以提高显示基板的封装良率。

需要说明的是，第一封装材料需要在干燥后形成第一封装层，所以第一封装层的厚度通常会小于第一封装材料的厚度。在本公开至少一个实施例中，对第一封装层和阻挡坝的高度关系不做限制，第一封装层的高度可以大于、小于或等于阻挡坝的高度。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，第一封装层的远离衬底基板的表面至衬底基板的表面的距离大于阻挡坝的远离衬底基板的表面至衬底基板的表面的距离。示例性的，如图1b所示，第一封装层310的高度h大于阻挡坝200的高度h。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，阻挡坝的平面形状为环绕显示区的闭合环形。示例性的，如图1a所示，阻挡坝200的在x-y的平面内的形状为闭合环形，显示区101位于该闭合环形的内侧。如此，阻挡坝200可以进一步减少用于形成第一封装层的第一封装材料的溢流，从而进一步提高显示基板的封装良率。

图2为本公开一实施例提供的另一种显示基板的截面图。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，显示基板包括多个阻挡坝，并且多个阻挡坝彼此间隔排布。例如，多个阻挡坝可以环绕显示区由内向外间隔排布。如此，在实际工艺中，即使第一封装材料越过靠近显示区的阻挡坝，远离显示区的阻挡坝仍可以阻止第一封装材料溢流，可以进一步降低第一封装材料溢出的风险。

在本公开至少一个实施例中，对多个阻挡坝之间的高度关系不做限制，只要阻挡坝可以防止第一封装材料溢流即可。例如，在本公开一些实施例中，各个阻挡坝的高度相等。例如，在本公开另一些实施例中，靠近显示区的阻挡坝的高度小于远离显示区的阻挡坝的高度。如此，可以降低相邻阻挡坝之间形成的开口的深度，在进行后续工艺例如形成下述实施例中的封装层时，提高封装层成膜时的质量；而且靠近显示区的阻挡坝的高度相对较低，可以降低靠近显示区的阻挡坝对显示区中的部件的不良影响，远离显示区的阻挡坝的高度相对较高，与封装层配合，可以延长水、氧侵入路径，降低水、氧侵入的风险，新一步提高显示基板的封装效果。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，多个阻挡坝包括第一阻挡坝和第二阻挡坝，第一阻挡坝位于第二阻挡坝和显示区之间，以及第一阻挡坝的远离衬底基板的表面至衬底基板的表面的距离小于第二阻挡坝的远离衬底基板的表面至衬底基板的表面的距离。

又例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，多个阻挡坝包括第一阻挡坝、第二阻挡坝和第三阻挡坝，第一阻挡坝位于第二阻挡坝和显示区之间，第三阻挡坝位于第二阻挡坝的远离第一阻挡坝的一侧，并且第二阻挡坝的远离衬底基板的表面至衬底基板的表面的距离小于第三阻挡坝的远离衬底基板的表面至衬底基板的表面的距离。

示例性的，如图2所示，显示基板上设置的阻挡坝200包括有彼此间隔的第一阻挡坝201、第二阻挡坝202和第三阻挡坝203，在由靠近显示区至远离显示区的方向(x轴正方向)上，第一阻挡坝201、第二阻挡坝202和第三阻挡坝203依次排布，并且第一阻挡坝201、第二阻挡坝202和第三阻挡坝203的高度依次增加。

在本公开至少一个实施例中，对显示基板的类型不做限制。例如，显示基板为oled显示基板，显示基板还包括多个有机发光器件，其中，有机发光器件位于显示区中，并且位于第一封装层和衬底基板之间。示例性的，如图1b所示，有机发光器件400位于第一封装层310和衬底基板100之间，有机发光器件400包括依次叠置在衬底基板100上的第一电极层410、有机发光功能层430和第二电极层420。例如，第一电极层410和第二电极层420中之一为阳极，第一电极层410和第二电极层420中另一为阳极。第一封装层310覆盖有机发光器件400，从而防止有机发光功能层、阴极等与侵入的水、氧等外界物质发生反应而老化，从而保障有机发光器件400的性能，延长有机发光器件400的寿命；此外，第一封装层310的平坦度高并且具有较大的厚度，可以提高显示基板的表面的平整度并且缓解受到的应力，从而减少显示基板的机械损伤，对显示基板进行保护。

例如，如图1b所示，第二电极层420可以设置为多个有机发光器件400的公共驱动电极。例如，有机发光器件中的有机发光功能层可以包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层等，例如还可以进一步包括空穴阻挡层、电子阻挡层等。

下面，以显示基板为oled显示基板为例，对本公开至少一个实施例中的显示基板进行说明。

图3为本公开一实施例提供的另一种显示基板的截面图。

例如，本公开至少一个实施例提供的显示基板还包括位于衬底基板上的像素界定层，像素界定层位于衬底基板和第一封装层之间。示例性的，如图3所示，像素界定层103为单层结构，像素界定层103位于第一封装层310和衬底基板100之间，有机发光器件400的有机发光功能层430可以形成在像素界定层103的开口中，这些开口将相邻的像素单元彼此间隔开以防止彼此干扰。例如，可以利用喷墨打印在像素界定层103的开口中制造有机发光功能层430的至少部分结构例如空穴注入层、空穴传输层、有机发光层等。

图4为本公开一实施例提供的另一种显示基板的截面图。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，像素界定层包括彼此叠置的第一界定层和第二界定层，第一界定层位于第二界定层和衬底基板之间。示例性的，如图4所示，像素界定层103包括彼此叠置的第一界定层110和第二界定层120，第二界定层120位于第一封装层310和第一界定层110之间。例如，第二界定层120可以用于加高第一界定层110，使得第二界定层120和第一界定层110的开口容量增加，从而增加有机发光功能层430的厚度，提高有机发光器件的发光功能。例如，第二界定层120在衬底基板100上的正投影与第一界定层110在衬底基板100上的正投影重合。

在本公开至少一个实施例中，对阻挡坝的形成方式不做限制。例如，在本公开一些实施例中，阻挡坝可以单独形成，如此，阻挡坝的材料、厚度等参数不会受显示基板的制备工艺的限制。例如，在本公开另一些实施例中，可以在制造显示基板中的部件(除阻挡坝的其它部件)的工艺中，同步制造阻挡坝，如此，不需要增加显示基板的制备工艺，降低成本。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，像素界定层设置为单层结构，阻挡坝包括第一阻挡层，第一阻挡层与像素界定层同层且同材料。示例性的，在如图3所示的显示基板中，阻挡坝200包括第一阻挡层210。在制造显示基板的过程中，在衬底基板100上形成绝缘材料薄膜之后，可以对该绝缘材料薄膜进行构图工艺以同步形成像素界定层103和第一阻挡层210。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，像素界定层设置为单层结构，阻挡坝包括第一阻挡层和光刻胶层，第一阻挡层位于衬底基板和光刻胶层之间，第一阻挡层与像素界定层同层且同材料。示例性的，如图3所示的显示基板中，阻挡坝200包括光刻胶层230，光刻胶层230位于第一阻挡层210之上。在制造显示基板的过程中，可以利用光刻胶对用于形成像素界定层103和第一阻挡层210的绝缘材料薄膜进行构图工艺，并且在完成构图工艺之后，保留第一阻挡层210上的光刻胶，从而获得光刻胶层230。光刻胶层230可以增加阻挡层200的高度，使得显示基板上可以施加更多的第一封装材料，从而提高第一封装层310的厚度，提高显示基板的封装效果。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，像素界定层包括彼此叠置的第一界定层和第二界定层，第一界定层位于第二界定层和衬底基板之间，阻挡坝包括第一阻挡层和第二阻挡层，并且第一阻挡层与第一界定层同层且同材料，第二阻挡层与第二界定层同层且同材料。示例性的，在如图4所示的显示基板中，阻挡坝200包括依次叠置在衬底基板100上的第一阻挡层210和第二阻挡层220。例如，在制造显示基板的过程中，可以对一薄膜进行构图工艺以形成第一界定层110和第一阻挡层210，并且对另一薄膜进行构图工艺以形成第二界定层120和第二阻挡层220。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，阻挡坝包括彼此叠置的第一阻挡层、第二阻挡层和至少一个光刻胶层，第一阻挡层与第一界定层同层且同材料，第二阻挡层与第二界定层同层且同材料，光刻胶层位于第一阻挡层或第二阻挡层的远离衬底基板的一侧。示例性的，在如图4所示的显示基板中，阻挡坝200包括光刻胶层230，并且第一阻挡层210和第二阻挡层220之间以及第二阻挡层220之上各设置有光刻胶层230。光刻胶层230可以利用在形成第一界定层110和第二界定层120的构图工艺中使用的光刻胶形成。光刻胶层230可以增加阻挡层200的高度，使得显示基板上可以施加更多的第一封装材料，从而提高第一封装层310的厚度，提高显示基板的封装效果。

图5为本公开一实施例提供的另一种显示基板的截面图。

例如，在本公开至少一个实施例中，像素界定层的第一界定层的厚度与第二界定层的厚度不同。如此，可以在不增加显示基板的制造工艺的情况下，使得显示基板上可以设置多个间隔排列的阻挡坝，并且沿着显示区至非显示区的方向上，多个阻挡坝的高度依次增加。

例如，在本公开至少一个实施例中，在第一界定层的厚度大于第二界定层的厚度不同的情况下，阻挡坝设置为多个，并且多阻挡坝之一与第一界定层同层且同材料，多阻挡坝之另一与第二界定层同层且同材料，多阻挡坝之另一与第一界定层和第二界定层同层且同材料。如此，至少三个阻挡坝中的高度都彼此不同，并且形成该三个阻挡坝不会增加显示基板的制备工艺。

下面，在像素界定包括具有不同厚度的第一界定层和第二界定层的情况下，以第一界定层的厚度大于第二界定层的厚度为例，对本公开下述至少一个实施例中的显示基板进行说明。

示例性的，如图5所示，在由靠近显示区至远离显示区的方向(x轴正方向)上，显示基板包括依次排布的第一阻挡坝201、第二阻挡坝202和第三阻挡坝203。第一阻挡坝201与第二界定层120同层且同材料；第二阻挡坝202与第一界定层110同层且同材料；并且，第三阻挡坝203的靠近衬底基板100的部分与第一界定层110同层且同材料，第三阻挡坝203的远离衬底基板100的部分与第二界定层120同层且同材料。如此，在不增加显示板的制造工艺的基础上，可以使得第三阻挡坝203的高度大于第二阻挡坝202的高度，第二阻挡坝202的高度大于第一阻挡坝201的高度。

在本公开至少一个实施例中，对第一封装层、像素界定层的厚度不做限制，可以根据实际工艺进行设计。例如，第一封装层的厚度可以为3～10微米；像素界定层为单层结构的情况下，像素界定层的厚度可以为1～2微米；以及，在像素界定层包括第一界定层和第二界定层的情况下，第一界定层的厚度可以为1～2微米，第二界定层的厚度可以为1～1.5微米。

例如，在本公开至少一个实施例中，在设置有多个阻挡坝的情况下，对各个阻挡坝之前的间隔距离不做限制。例如，在平行于x-y的平面的方向上，阻挡坝之前的间隔距离为10～100微米，例如进一步约为30微米、50微米、80微米等。

例如，在本公开至少一个实施例中，对阻挡坝的宽度不做限制。例如，在平行于x-y的平面的方向上，阻挡坝的宽度为10～100微米，例如进一步约为30微米、50微米、80微米等。

在本公开至少一个实施例中，对第一界定层和第二界定层的材料不做限制。例如，第一界定层可以为高分子树脂材料例如聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺和丙烯酸等中的一种或多种，或者也可以为光刻胶。例如，第二界定层可以为高分子树脂材料例如聚酰亚胺等。需要说明的是，在阻挡坝的第一阻挡层与第一界定层同层且同材料的情况下，如果第一界定层为光刻胶，则第一阻挡层的远离衬底基板的表面上可以不需要形成光刻胶层。

图6为本公开一实施例提供的另一种显示基板的截面图。

例如，本公开至少一个实施例提供的显示基板还包括平坦层，平坦层位于有机发光器件和衬底基板之间。示例性的，如图6所示，在有机发光器件400和衬底基板100之间设置平坦层600。在显示基板的制造过程中，在形成有机发光器件400之前，平坦层600可以将显示基板的表面平坦化，从而提高有机发光器件400的良率。

例如，在本公开至少一个实施例中，阻挡坝至少部分与平坦层同层且同材料。示例性的，如图6所示，阻挡坝200的靠近衬底基板的部分与平坦层600同层且同材料。如此，可以增加阻挡坝200的厚度，在完成对显示基板的封装(例如形成下述实施例中的第三封装层)后，可以延长水、氧等侵入显示基板内部的路径，降低水、氧等侵入的风险，提高显示基板的封装效果。

在本公开至少一个实施例中，对平坦层的材料不做限制。例如，平坦层的材料可以为亚克力系材料，该亚克力系材料可以为聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、环氧树脂、聚酰胺、丙烯酸等材料的一种或多种，或者也可以为其他合适的材料。

在本公开至少一个实施例中，对显示基板的封装方式不做限制。例如，显示基板可以用单层薄膜(第一封装层)进行封装，也可以用多层薄膜(包括第一封装层)进行封装。多层薄膜封装可以进一步提高显示基板的封装效果。

图7为本公开一实施例提供的另一种显示基板的截面图。

例如，本公开至少一个实施例提供的显示基板还包括第二封装层和第三封装层，第二封装层位于第一封装层和衬底基板之间，第三封装层位于第一封装层的远离衬底基板的一侧。示例性的，如图7所示，在第一封装层310和有机发光器件400之间设置第二封装层320，在第一封装层310之上设置第三封装层330。第一封装层310、第二封装层320和第三封装层330构成的复合封装叠层可以进一步提高对显示基板的封装效果。

例如，第一封装层为有机层，第二封装层和第三封装层为无机层。例如，第二封装层和第三封装层的材料可以为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氟化物等无机材料，无机材料的致密性高，可以防止水、氧等的侵入。例如，第一封装层包括有机材料，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯酸酯等高分子树脂。如此，第一封装层可以缓解第二封装层和第三封装层的应力，并且第一封装层中可以设置例如干燥剂等材料，在对显示基板进行封装的同时还可以吸收侵入内部的水、氧等物质，对显示基板中的部件进行进一步保护。

在本公开至少一个实施例中，对第二封装层和第三封装层的厚度不做限制。例如，第二封装层和第三封装层的厚度不大于1微米。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，阻挡坝在衬底基板上的正投影位于第二封装层在衬底基板上的正投影之外，第一封装层在衬底基板上的正投影位于第三封装层在衬底基板上的正投影之内，并且阻挡坝在衬底基板上的正投影位于第三封装层在衬底基板上的正投影之内。示例性的，如图7所示，第二封装层320位于阻挡坝200的面向显示区的一侧，如此，阻挡坝200不会被第二封装层320覆盖，保障阻挡坝200的阻挡第一封装材料的效果；此外，第三封装层330覆盖第一封装层310，可以防止外界水、氧等进入第一封装层310中，而且第三封装层330覆盖阻挡坝200，第三封装层330和阻挡坝200配合可以增加外界水、氧等侵入显示基板内部的路径。如此，第一封装层310、第二封装层320和第三封装层330可以进一步提高显示基板的封装效果。

图8为本公开一实施例提供的另一种显示基板的截面图。

需要说明的是，在本公开至少一个实施例中，在显示基板上设置有多个阻挡坝的情况下，可以将第二封装层设置为覆盖至少一个阻挡坝且未覆盖至少一个阻挡坝，从而提高显示基板的封装效果。例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，至少一个阻挡坝在衬底基板上的正投影位于第一封装层和第二封装层在衬底基板上的正投影之内，并且至少一个阻挡坝在衬底基板上的正投影位于第一封装层和第二封装层在衬底基板上的正投影之外；以及第一封装层在衬底基板上的正投影位于第三封装层在衬底基板上的正投影之内，并且阻挡坝在衬底基板上的正投影位于第三封装层在衬底基板上的正投影之内。

示例性的，如图8所示，在由靠近显示区至远离显示区的方向(x轴正方向)上，显示基板包括依次排布的第一阻挡坝201、第二阻挡坝202和第三阻挡坝203，并且第二封装层320设置为覆盖第一阻挡坝201，第二阻挡坝202和第三阻挡坝203未被第二封装层220覆盖。如此，第一阻挡坝201提升了第二封装层320的封装效果，用于形成第一封装层310的第一封装材料仍会被第二阻挡坝202和第三阻挡坝203阻挡。如此，可以在保证第一封装层的厚度、平坦度等的情况下，进一步提高显示基板的封装效果。

例如，在本公开至少一个实施例提供中，显示基板还可以包括设置在衬底基板上的驱动电路层等结构。例如，驱动电路层包括多个开关元件、电容、栅线、数据线、电源线等，这些开关元件例如为薄膜晶体管，例如薄膜晶体管与有机发光器件连接从而对有机发光器件的电学功能进行控制。示例性的，如图6-图8所示的实施例中，显示基板包括驱动电路层，该驱动电路层包括多个薄膜晶体管500(图中示出一个为例)以及配合薄膜晶体管500设置的层间结构例如栅绝缘层510、层间介质层520和钝化层530等。

需要说明的是，在本公开至少一个实施例中，对薄膜晶体管的类型不做限制。薄膜晶体管可以为顶栅型、底栅型、双栅型等。栅绝缘层、层间介质层和钝化层等层间结构的设置位置可以根据薄膜晶体管的类型进行设置。

本公开至少一个实施例提供一种显示面板，包括前述任一实施例中的显示基板。例如，显示面板可以包括与显示基板对置的封装盖板，该封装盖板可以位于第一封装层(或者第三封装层)之上，封装盖板可以对显示基板中的部件进行进一步的保护。例如，该显示面板可以为电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件。

需要说明的是，为表示清楚，本公开并没有叙述本公开至少一个实施例中的显示面板的全部结构。为实现显示面板的必要功能，本领域技术人员可以根据具体应用场景设置其他结构(例如触控结构等)，本公开的实施例对此不作限制。

本公开至少一个实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：提供衬底基板，在衬底基板上限定欲形成的显示基板的显示区以及位于显示区周围的非显示区；在非显示区中的衬底基板上形成至少一个阻挡坝；在显示区中的衬底基板上施加第一封装材料；以及固化第一封装材料以形成第一封装层，阻挡坝的至少面对第一封装层的一侧相对于固化前的第一封装材料具有疏液性。在利用上述制备方法获得的显示基板中，阻挡坝可以防止用于获得第一封装层的第一封装材料的溢流，从而提高第一封装层的平坦度，并且使得显示基板在封装工艺中可以保持更多的第一封装材料，从而提高第一封装层的设计厚度，提高显示基板的封装效果。利用上述制备方法获得的显示基板的结构可以参考前述实施例中的相关说明，在此不作赘述。

例如，在本公开至少一个实施例提供的显示基板的制备方法中，形成阻挡坝之后并且在衬底基板上施加第一封装材料之前，利用卤族元素和/或惰性气体对阻挡坝进行改性处理。例如该改性处理可以为等离子处理或离子掺杂处理；并且，例如改性处理可以使用掩模以限制改性处理区域。该卤族元素例如为氟元素、氯元素和溴元素等。例如，在等离子处理中可以这些卤族元素的有机物来得到相应等离子体，由此在阻挡坝的表面产生具有疏液性覆层。卤族元素可以使得至少阻挡坝的表面的材料改性，从而阻挡坝相对于第一封装材料具有疏液性。示例性的，第一封装材料的溶剂为水，掺杂卤族元素后，阻挡坝具有疏水性。例如，该惰性气体可以为氦气、氖气、氩气、氪气等。例如，以惰性气体为氩气为例，可以利用氩和氢的等离子体对阻挡坝进行改性处理。

图9a～图9g为本公开一实施例提供的一种显示基板的制备方法的过程图。

下面，以制造如图7所示的显示基板为例，对本公开至少一个实施例中的显示基板的制备方法进行说明。示例性的，如图9a～图9g和图7所示，本公开至少一个实施例提供的显示基板的制备方法的过程如下。

如图9a所示，提供衬底基板100，并且在衬底基板100上形成驱动电路层，该驱动电路层包括多个薄膜晶体管500(图中仅示出一个为例)，例如，在衬底基板100上依次形成栅电极、栅绝缘层510、有源层、层间介质层520、源漏电极层、钝化层530等，该源漏电极层包括彼此间隔开的源极和漏极，该薄膜晶体管500为底栅型薄膜晶体管；然后，在衬底基板100上形成平坦层600，以平坦化显示基板的表面；然后，对平坦层600进行构图工艺处理，以在平坦层600和钝化层530中形成过孔；然后，在平坦层600上形成第一电极层410，第一电极层410通过上述过孔例如与源漏电极层中的漏电极电连接。

需要说明的是，在对平坦层600进行构图工艺的过程中，可以使得平坦层600的位于非显示区102的部分形成为第一阻挡坝的第一部分201a、第二阻挡坝的第一部分202a和第三阻挡坝的第一部分203a。

例如，在本公开至少一个实施例中，构图工艺可以为光刻构图工艺，例如可以包括：在需要被构图的结构层上涂覆光刻胶，使用掩模板对光刻胶进行曝光，对曝光的光刻胶进行显影以得到光刻胶图案，使用光刻胶图案对结构层进行蚀刻，然后可选地去除光刻胶图案。需要说明的是，如果被构图的结构层包括光刻胶，则可以不需要再进行涂覆光刻胶的工艺。

如图9a～图9b所示，在衬底基板100上形成第一界定层110，对第一界定层110进行构图工艺，在显示区101的第一界定层110中形成多个开口，并且使得第一界定层110的位于非显示区102的部分形成为第二阻挡坝的第二部分202b和第三阻挡坝的第二部分203b。第二阻挡坝和第三阻挡坝为在后续工艺中欲形成的阻挡坝。

如图9b～图9c所示，在衬底基板100上形成第二界定层120，对第二界定层120进行构图工艺，在显示区101的第二界定层120中形成多个开口，并且使得第二界定层120的位于非显示区102的部分形成为第一阻挡坝的第二部分201b和第三阻挡坝的第三部分203c。如此，可以获得第一阻挡坝201、第二阻挡坝202和第三阻挡坝203，第一界定层110和第二界定层120可以形成像素界定层103。

需要说明的是，形成第一阻挡坝201、第二阻挡坝202和第三阻挡坝203的材料可以相对于第一封装材料具有疏液性；或者，利用卤族元素对第一阻挡坝201、第二阻挡坝202和第三阻挡坝203进行改性处理，以使得第一阻挡坝201、第二阻挡坝202和第三阻挡坝203相对于第一封装材料具有疏液性。

如图9c～图9d所示，在像素界定层103的开口中形成有机发光功能层430，然后在有机发光功能层430上形成第二电极层420。第一电极层410、有机发光功能层430和第二电极层420形成为有机发光器件400。

如图9d～图9e所示，在有机发光器件400沉积无机材料薄膜以形成第二封装层320，第二封装层320形成在第一阻挡坝201的面向显示区的一侧。

如图9e～图9f所示，在第二封装层320上施加包括有机材料的第一封装材料301，第一封装材料301的高度大于第一阻挡坝201的高度，并且第一阻挡坝201阻挡第一封装材料301以使得第一封装材料301不能延伸至第二阻挡坝202。例如，利用喷墨打印方法施加第一封装材料301。例如，还可以通过旋涂等方式施加第一封装材料301。

如图9f～图9g所示，干燥第一封装材料301，使得第一封装材料301形成为第一封装层310。第一封装层310形成在第一阻挡坝201的面向显示区的一侧，并且第一封装层310的高度大于第一阻挡坝201的高度。

如图9g和图7所示，在第一封装层310上沉积无机材料薄膜以形成第三封装层330。第三封装层330覆盖第一封装层310，并且第三封装层330覆盖第一阻挡坝201、第二阻挡坝202和第三阻挡坝203。

本公开至少一个实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示面板，并且可以具有以下至少一项有益效果：

(1)在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，阻挡坝可以防止用于获得第一封装层的第一封装材料的溢流，从而提高第一封装层的平坦度，和设计厚度，从而提高显示基板的封装效果。

(2)在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，阻挡坝中的至少部分结构可以与像素界定层同层且同材料，不需要增加显示基板的制备工艺，降低成本。

(3)在本公开至少一个实施例提供的显示基板中，阻挡坝中的部分结构可以为光刻胶层，在增加阻挡坝的设计高度的基础上，不会增加显示基板的制备工艺。

对于本公开，还有以下几点需要说明：

(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。

(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。