1.一种硅异质结太阳电池的铜电极的包覆方法，其特征在于，包括：
(1)在第一透明导电氧化物层的上表面形成第一掩膜层，在第二透明导电氧化物层的下表面形成第二掩膜层；
(2)在所述第一掩膜层开设至少一个第一掩膜窗口，在所述第二掩膜层开设至少一个第二掩膜窗口；
(3)在所述第一掩膜窗口中依次形成第一金属铜层和第一金属锡层，在所述第二掩膜窗口中依次形成第二金属铜层和第二金属锡层；
(4)去除非电极区域的所述第一掩膜层和所述第二掩膜层，以便暴露所述非电极区域的第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层；
(5)将步骤(4)所得样品浸泡在锡盐溶液中，以便在所述第一金属铜层的侧表面形成第一锡包覆层，在所述第二金属铜层的侧表面形成第二锡包覆层；
(6)将步骤(5)所得样品进行热处理，以便使第一铜电极和第二铜电极被锡层完整包覆，所述第一铜电极由所述第一金属铜层形成，所述第二铜电极由所述第二金属铜层形成；
其中，所述第一透明导电氧化物层形成在硅异质结结构的上表面，所述第二透明导电氧化物层形成在硅异质结结构的下表面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(5)中的浸泡处理是在温度为20-90℃的条件下进行0.1-90min。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(5)中形成的第一锡包覆层和第二锡包覆层的厚度为0.01-10μm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述锡盐溶液包括锡盐，所述锡盐包括选自sncl2、snso4、na2sno3、k2sno3的至少之一。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述锡盐溶液进一步包括还原剂、络合剂、稳定剂和ph调节剂。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述还原剂包括选自次亚磷酸钠、三氯化钛、抗坏血酸的至少之一。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述络合剂包括选自硫脲、柠檬酸、乙二胺四乙酸、氨基三乙酸的至少之一。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：
所述步骤(3)之前，预先在所述第一掩膜窗口中形成第一金属种子层，在所述第二掩膜窗口中形成第二金属种子层，
所述步骤(5)中，在所述第一金属铜层和第一金属种子层的侧表面形成第一锡包覆层，在所述第二金属铜层和第二金属种子层的侧表面形成第二锡包覆层，
所述步骤(6)中，所述第一铜电极由所述第一金属铜层和第一金属种子层形成，所述第二铜电极由所述第二金属铜层和第二金属种子层形成。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：
所述步骤(1)之前，预先在所述第一透明导电氧化物层的上表面形成覆盖所述第一透明导电氧化物层全部上表面的第一金属种子层，在所述第二透明导电氧化物层的下表面形成覆盖所述第二透明导电氧化物层全部下表面的第二金属种子层，
所述步骤(1)中，所述第一掩膜层形成在所述第一金属种子层的上表面，所述第二掩膜层形成在所述第二金属种子层的下表面，
所述步骤(4)中，进一步去除非电极区域的所述第一金属种子层和第二金属种子层，
所述步骤(5)中，在所述第一金属铜层和第一金属种子层的侧表面形成第一锡包覆层，在所述第二金属铜层和第二金属种子层的侧表面形成第二锡包覆层，
所述步骤(6)中，所述第一铜电极由所述第一金属铜层和第一金属种子层形成，所述第二铜电极由所述第二金属铜层和第二金属种子层形成。
10.一种硅异质结太阳电池，其特征在于，包括：
硅异质结结构；
第一透明导电氧化物层，所述第一透明导电氧化物层形成在所述硅异质结结构的上表面；
第二透明导电氧化物层，所述第二透明导电氧化物层形成在所述硅异质结结构的下表面；以及
被锡层完整包覆的第一铜电极和第二铜电极；
其中，所述被锡层完整包覆的第一铜电极和/或第二铜电极是通过权利要求1～9任一项所述的方法形成的。