技术总结
本发明提出了一种硅异质结太阳电池的铜电极的包覆方法。该方法包括在沉积有透明导电氧化物薄膜的硅异质结结构表面形成具有一定图案的掩膜；在掩膜窗口位置依次电镀金属铜和金属锡；去除非电极区域的掩膜，使其下方的TCO薄膜暴露；将电池浸入锡盐溶液中，以便在铜电极侧表面形成金属锡包覆层；以及将电极进行热处理。该方法简便、高效，不会对电池表面和电极其他部分造成影响，同时在锡层被破坏的位置还可以形成新的锡层，从而使锡层完整包覆铜电极，增强铜电极在环境中的稳定性，同时金属锡的完整包覆有利于后续组件形成过程中的焊接工艺。
技术研发人员：周永谋;王伟;赵晓霞;田宏波;王恩宇;王雪松
受保护的技术使用者：国家电投集团科学技术研究院有限公司
技术研发日：2018.08.03
技术公布日：2020.02.14