宽频晶圆缺陷侦测系统及宽频晶圆缺陷侦测方法与流程

本揭露是有关于一种宽频晶圆缺陷侦测系统。

背景技术：

现代的组装产线制造流程多已高度自动化，以操控材料与元件制造出产品。品质控管流程通常需仰赖人力技术、知识与专业以检测制造中以及完成后的产品。

目前用于半导体元件的组装产线流程运用需仰赖分散且针对不同形式晶圆缺陷而特制的感测器检测技术。举例来说，硅晶格破损缺陷(例如：裂缝)通常是利用x-ray侦测系统，而晶圆表面的刮痕通常是利用晶圆表面扫描系统侦测。不同的侦测系统通常无法互换且仰赖分散的发射光种类以及光感测器以侦测缺陷。除此之外，一般的缺陷侦测仅判定缺陷于沿着晶圆截面上的二维位置。此种检测技术需要大量先进与昂贵的硬体，但仍无法产生满意的结果。因此，传统的检测技术并无法完全符合检测需求。

技术实现要素：

根据本揭露的一些实施例，提出一种宽频晶圆缺陷侦测系统，包含：宽频光源；具有面对宽频光源的第一侧的晶圆；设置以侦测自宽频光源发射且由第一侧散发的反射光的第一光感应器；设置以侦测自与晶圆的第一侧相对的第二侧散发的透射光的第二光感应器，其中透射光是源自于宽频光源；以及设置以分析反射光与透射光以辨别晶圆缺陷的侦测模块。

根据本揭露的一些实施例，提出一种宽频晶圆缺陷侦测系统，包含：宽频光源；具有面对宽频光源的第一侧的晶圆；设置以侦测自宽频光源发射且由第一侧散发的反射光的第一光感应器；设置以侦测自与晶圆的第一侧相对的第二侧散发的透射光的第二光感应器，其中透射光是源自于宽频光源；以及设置以根据反射光与透射光产生晶圆缺陷的三维分布图的侦测模块。

根据本揭露的一些实施例，提出一种宽频晶圆缺陷侦测方法，包含：照射宽频光于晶圆的第一侧上；自第一表面的反射光收集第一光感应器数据；自晶圆的与第一表面相对的第二表面所发散的透射光收集第二光感应器数据；以及根据反射光与透射光侦测晶圆缺陷。

附图说明

为让本揭露更明显易懂，所附附图将于下文中详细说明。应了解到，这些附图并非绘示各组件的实际尺寸。为了清楚表达这些实施例中各元件之间的连接关系，将于附图中将元件尺寸增加或缩减。

图1为根据本揭露一些实施例的宽频晶圆缺陷侦测系统的示意图；

图2a为根据本揭露一些实施例中位于晶圆平台上的宽频晶圆缺陷侦测系统的示意图；

图2b为根据本揭露一些实施例中具有晶圆支架的宽频晶圆缺陷侦测系统的示意图；

图2c为根据本揭露一些实施例中具有感测器运动控制系统的宽频晶圆缺陷侦测系统的示意图；

图3为根据本揭露一些实施例的宽频晶圆缺陷侦测系统的多种功能模块方块图；

图4为根据本揭露一些实施例的宽频晶圆缺陷侦测流程的流程图；

图5为根据本揭露一些实施例中反射光波长与透射光波长于能量及波长图表中的示意图。

具体实施方式

以下将以不同实施例揭露多个实施例，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本揭露。也就是说，在本揭露部分实施例中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。并且，除非有其他表示，在不同附图中相同的元件符号可视为相对应的组件。这些附图的绘示是为了清楚表达这些实施例中各元件之间的连接关系，并非绘示各元件的实际尺寸。

为让本揭露更明显易懂，标号以及/或是文字会于不同实施例中重复，然而其并非用于表示不同实施例间的关系。

空间相对词汇，如“下方”、“下”、“上方”、“上”或与上述词汇相似者，是用来描述附图中所示的一元件或特征与另一元件或特征的关系。空间相对词汇是用来描述装置在附图中所描述的方位以外的不同方位。例如，如果一附图中的装置被翻转(旋转90度或翻转到其他方向)，元件将会被描述原为位于其它元件的“下”侧将被定向为位于其他元件的“上”侧。例示性的词汇“下”，根据附图的特定方位可以包含“下”和“上”两种方位。

本揭露提出多种用于半导体元件制程中的宽频晶圆缺陷侦测的实施例。晶圆可以是任意种类的半导体元件或材料，例如硅晶圆。宽频晶圆缺陷侦测包含利用可发射宽频光的宽频光源。宽频光可自晶圆反射也可穿透晶圆。自晶圆反射的宽频光(例如：反射光)可由设置以侦测宽频反射光的反射光感测器所侦测。穿透晶圆的宽频光(例如：透射光)可由设置以侦测宽频透射光的透射光感测器所侦测。反射光感测器与透射光感测器可设置以侦测不同频段的光(例如：不同波长的光)。根据上述，单一的宽频光源可提供至少两种不同波长的光，以与检测中的晶圆以不同方式产生交互作用。举例来说，反射光感测器可设置以侦测波长自约400纳米(nm)至约700纳米(nm)的近红外光，或者于一些实施例中为约500纳米(例如：0.5微米(um))。此外，举例来说，透射光感测器可设置以侦测波长自约1000纳米(nm)至约1400纳米(nm)的红外光，或者于一些实施例中为约1.1微米(um)。反射光感测器可设置以收集用于侦测如沿着晶圆表面的刮痕等缺陷的反射光感测器数据。透射光感测器可设置以收集用于侦测如晶圆内的裂缝或晶格形变等缺陷的反射光感测器数据。缺陷至每一感测器的距离也可被收集以提供缺陷的深度信息。

宽频晶圆缺陷侦测系统可包含像是宽频光源、晶圆平台、感测器(例如：透射光感测器与反射光感测器)以及侦测模块等组件。侦测模块可分析由感测器收集的数据以及/或是于宽频晶圆缺陷侦测执行时控制不同组件。如同后续将讨论的，侦测模块可包含至少一处理器以及计算机可读取的储存区，用以分析感测器所收集的数据以及推断晶圆缺陷。于一些实施例中，侦测模块可即时分析感测器所收集的数据并控制感测器去得到更细部的感测器数据(例如：需要特定的感测器控制才能获得的感测器数据，像是控制感测器聚焦于检测中的晶圆的特定部位以收集更多细部的感测器数据)。于一些实施例中，侦测模块可分析由感测器收集、而并非于感测器收集数据时便已即时分析的感测器数据。

于不同实施例中，三维感测器数据可针对晶圆缺陷而收集，像是内部裂缝(例如：晶格形变)的位置信息(例如：沿着x轴或y轴)或是检测中的晶圆表面的刮痕，以及晶圆缺陷所在的深度(例如：沿着z轴)。举例来说，位置数据(例如：沿着x轴或y轴)可收集自一晶圆的二维影像(无论是从反射光或是透射光)。接着，深度信息可藉由像是孔径成像技术或是立体成像技术的深度影像技术而收集到。孔径成像技术可包含调整感测器视野深度以判定缺陷至感测器的距离。举例来说，在执行孔径成像技术时，具有特定焦距的感测器可调整覆盖感测器的孔径以判定何种孔径大小可得到聚焦的晶圆缺陷感测器数据。再举另一例，位置与深度信息也可藉由立体成像技术，利用两者或更多于空间上分散的感测器(例如：两者或更多透射光感测器以及/或是两者或更多反射光感测器)来收集。于立体成像技术中，可比较来自两者或更多于空间上分散的感测器数据，并从两者或更多于空间上分散的感测器数据间的差异撷取深度信息。于一些实施例中，可利用传统的孔径成像技术以及/或是立体成像技术，但可被调整以适用于宽频晶圆缺陷侦测。集结的三维感测器数据，加上缺陷相对于其他缺陷以及相对于晶圆的方向的三维信息，可作为晶圆缺陷的三维分布图。

于不同实施例中，宽频光源可为任意产生宽频光的光源。宽频光可包含反射光以及透射光。反射光可以是由检测中的晶圆所反射的任意波长的光。透射光可以是透过检测中的晶圆的任意波长的光。以另一方式描述，反射光可以是在穿透检测中的晶圆到某个深度后才被反射。相对地，透射光可穿透整个检测中的晶圆。举例来说，反射光可包含波长自约400纳米(nm)至约700纳米(nm)的近红外光，或者于一些实施例中为约500纳米(例如：0.5微米(um))。此外，透射光可包含波长自约1000纳米(nm)至约1400纳米(nm)的红外光，或者于一些实施例中为约1.1微米。于一些实施例中，反射光感测器可以是设置以侦测反射光的任意形式的光感测器。此外，透射光感测器可以是设置以侦测透射光的任意形式的光感测器。于一些实施例中，晶圆台可以是设置以将晶圆相对于宽频光源与感测器定位的任意形式的支柱、平台、支撑架或是连接器。

图1为根据本揭露一些实施例的宽频晶圆缺陷侦测系统100的示意图。宽频晶圆缺陷侦测系统100可包含一宽频光源102、一检测中的晶圆104、一反射光感测器106以及一透射光感测器108。宽频晶圆缺陷侦测系统100也可包含一侦测模块(图未示)，虽未明确绘示侦测模块与各个图中所绘示的组件间的相对关系，然而其将进一步与图3及后述内容连接。每个绘示出的反射光感测器106以及透射光感测器108可代表依据需求而使用于不同实施例的应用中的至少一反射光感测器106以及/或是至少一透射光感测器108。举例来说，至少两反射光感测器106以及至少两透射光感测器108可被利用于执行如上述的立体成像技术。

宽频晶圆缺陷侦测系统100可产生宽频光辐射110。部分的宽频光辐射110可被晶圆104反射且被反射光感测器106侦测为反射光112。此外，部分的宽频光辐射110可通过晶圆104且被透射光感测器108侦测为透射光114。为了简化图示，光辐射被绘示为光束110、112以及114。除此之外，为了简化图示，光束110、112以及114的折射光并未特地绘示为穿透不同介质的光辐射(例如：进入晶圆104或是离开晶圆104)。

图2a为根据本揭露一些实施例中位于晶圆平台上的宽频晶圆缺陷侦测系统200的示意图。如同先前介绍的，晶圆平台可以是一种可静置晶圆或是将晶圆于宽频晶圆缺陷侦测时固定住的晶圆台。宽频晶圆缺陷侦测系统100可包含一宽频光源202、一检测中的晶圆204、一反射光感测器206以及一透射光感测器208。一晶圆平台210可用于支撑晶圆204。晶圆平台210可由透明材料所制成，使通过晶圆204的透射光212也通过晶圆平台210。根据上述，透射光感测器208可侦测通过晶圆204以及晶圆平台210的透射光212。除此之外，晶圆平台210可被控制以相对于宽频光源202、反射光感测器206或是透射光感测器208移动。举例来说，当宽频光源202、反射光感测器206或是透射光感测器208维持不动时，可使晶圆平台210旋转。

图2b为根据本揭露一些实施例中具有晶圆支架的宽频晶圆缺陷侦测系统230的示意图。宽频晶圆缺陷侦测系统230可包含一宽频光源232、一检测中的晶圆236、一反射光感测器234以及一透射光感测器238。晶圆236可由晶圆支架240支撑住。晶圆支架240可以是无需使透射光242通过以抵达透射光感测器238的晶圆平台。举例来说，晶圆支架240可藉由卡固晶圆236的一末端244(例如：位于晶圆236边缘的一侧，像是圆形晶圆236的外缘)以固定晶圆236。于一些实施例中，相对于围绕圆形晶圆236的整个外围，晶圆支架240可藉由仅藉由卡固晶圆236的特定位置以固定晶圆236。也就是说，透射光感测器238可侦测通过晶圆236且未被晶圆支架240干扰的透射光242。除此之外，晶圆支架240可被控制以相对于宽频光源232、反射光感测器234或是透射光感测器238移动。举例来说，当宽频光源232、反射光感测器234或是透射光感测器238维持不动时，可使晶圆支架240旋转。

图2c为根据本揭露一些实施例的具有感测器以及/或是宽频光源的运动控制系统的宽频晶圆缺陷侦测系统260的示意图。感测器以及/或是宽频光源的运动控制系统可相对于其他宽频晶圆缺陷侦测系统260的组件去移动感测器以及/或是宽频光源。举例来说，感测器轨道262a、262b可移动至少一反射光感测器264以及/或是至少一透射光感测器268。运动控制系统可相对于晶圆270、另一反射光感测器264、透射光感测器268以及/或是宽频光源272中至少一者去移动每一个反射光感测器264、透射光感测器268。举例来说，透射光感测器268可相对于晶圆270、反射光感测器264以及/或是宽频光源272中至少一者而移动。同样地，反射光感测器264可相对于晶圆270、透射光感测器268以及/或是宽频光源272中至少一者而移动。此外，于一些实施例中，运动控制系统(例如：轨道276)可控制宽频光源272。也就是说，宽频光源272可相对于晶圆270、透射光感测器268以及反射光感测器264中至少一者而移动。于一些实施例中，当运动控制系统控制一反射光感测器264、一透射光感测器268以及/或是宽频光源272时，可藉由绕着一通过晶圆270中心的中心轴274旋转晶圆270而移动晶圆270。举例来说，当反射光感测器264、透射光感测器268沿着轨道262a、262b移动或是宽频光源272沿着轨道276移动时，可旋转晶圆270。

图3为根据本揭露一些实施例的宽频晶圆缺陷侦测系统的多种功能模块方块图。侦测模块302可包含一处理器304。于其他实施例中，实施中的处理器304可为一个或更多个处理器。

处理器304可有效连接一计算机可读的储存模块306(例如：记忆体以及/或是数据储存)、一网络连接模块308、一使用者界面模块310、一控制器模块312以及一感测器模块。于一些实施例中，计算机可读的储存模块306可包含使处理器304执行多种此处讨论的流程的宽频晶圆缺陷侦测逻辑。计算机可读的储存模块306也可储存数据，像是感测器所收集的数据(例如：藉由至少一透射光感测器以及/或是至少一反射光感测器)、缺陷信息(例如：缺陷位置、特定晶圆的缺陷数量、以及/或是晶圆缺陷的三维分布图)、缺陷的识别码、缺陷种类的识别码、半导体平台的识别码、宽频光源的识别码、感测器的识别码以及任意其他可用以执行此处讨论的不同流程的参数或信息。

网络连接模块308可促进宽频晶圆缺陷侦测系统与其他可与侦测模块302进行内部或外部沟通的装置间的网络连接。于一些实施例中，网络连接模块308可促进物理连接，像是铁路或公车。于一些其他实施例中，网络连接模块308可促进无线连接，像是藉由使用发射器、接收器以及/或是收发器以达成无线区域网路。

侦测模块302也可包含使用者界面模块310。使用者界面模块310可包含任意形式的界面，用于输入以及/或是输出至一宽频晶圆缺陷侦测系统的操作者，包含一监控器、一笔记型电脑、一平板或是一移动装置，但不限制于此。

侦测模块302也可包含控制器模块312。控制器模块312可设置以控制多种用于控制上述的感测器、宽频光源以及/或是晶圆平台的运动的物理性装置。举例来说，控制器模块312可藉由控制可移动感测器、晶圆平台或是宽频光源缺陷侦测系统的宽频光源中至少一者的马达以控制运动控制系统。控制器模块312可由处理器304控制且可实现如下所述的多种层面的宽频光源缺陷侦测流程。

图4为根据本揭露一些实施例的宽频晶圆缺陷侦测流程400的流程图。宽频晶圆缺陷侦测流程可由上述讨论的宽频晶圆缺陷侦测系统执行。流程400仅为示例，并非用以限定本揭露。根据上述，应当理解到，额外的操作步骤可提供于图4中的流程400之前、之中以及之后，一些步骤可省略，一些步骤可与其他步骤一起执行，且一些其他操作步骤仅简短描述。

于步骤402中，晶圆可装载至宽频晶圆缺陷侦测流程晶圆台上。晶圆可为任意形式的半导体元件，像是硅晶圆，以执行宽频晶圆缺陷侦测。晶圆可由使透射光及反射光皆可由感测器侦测到的材料所组成。

于步骤404中，宽频光源缺陷侦测系统的多种组件可因宽频晶圆缺陷侦测而定位。举例来说，宽频光源、至少一透射光感测器、一反射光感测器以及晶圆可相对于彼此定位以执行宽频晶圆缺陷侦测。举例来说，晶圆可相对于宽频光源缺陷侦测系统的其他组件而定位，以使得每一感测器可撷取用于判断晶圆内至少一晶圆缺陷的感测器数据。可选择地，于一些实施例中，宽频光源缺陷侦测系统的组件可于初次的感测器数据收集后定位，以收集更精确的感测器数据(例如：聚焦于晶圆特定区域的感测器数据)。

于步骤406中，可暴露宽频光源于系统中。于一些实施例中，照射宽频光源可执行于步骤404前(例如：定位宽频光源缺陷侦测系统的组件)。宽频光源可发射包含反射光及透射光的宽频光。如上所述，自晶圆反射的宽频光(例如：反射光)可由设置以侦测反射的宽频光的反射光感测器所侦测。穿透晶圆的宽频光(例如：透射光)可由设置以侦测透射的宽频光的透射光感测器所侦测。反射光及透射光可为不同频段的光(例如：不同波长的光)且与晶圆以不同方式产生交互作用。举例来说，反射光可为波长自约400纳米(nm)至约700纳米(nm)的近红外光，或者于一些实施例中为约500纳米(例如：0.5微米(um))。此外，透射光可包含波长自约1000纳米(nm)至约1400纳米(nm)的红外光，或者于一些实施例中为约1.1微米。虽然上述仅讨论单一宽频光源，仍可依据不同实施例中的不同应用的设计需求而使用多个宽频光源。举例来说，于一些实施例中，为了使晶圆的光照均匀，可使用多于一个的宽频光源。于一些实施例中，一宽频光源可包含多个光源，其组合包含反射光与透射光，像是同一外壳里或是自同一位置辐射出的反射光源以及透射光源。

于步骤408中，感测器数据可由不同反射光感测器及透射光感测器所收集。如上所述，一宽频光源晶圆缺陷侦测系统使用至少一反射光感测器及至少一透射光感测器。感测器数据可由反射光感测器自检测中的晶圆反射的辐射宽频光收集到。此外，感测器数据可由透射光感测器自通过晶圆的辐射宽频光收集到。感测器可设置以于透射光以及/或是宽频光的波长频谱内产生影像数据。举例来说，感测器可设置以产生影像或是一系列影像(例如：影片)，且可接续地或即时地被分析以判定晶圆里的裂缝或是晶圆上的刮痕。

如上所述，于不同实施例中，三维感测器数据可针对晶圆缺陷而收集，像是内部裂缝(例如：晶格形变)的位置信息(例如：沿着x轴或y轴)或是检测中的晶圆表面的刮痕，以及晶圆缺陷所在的深度(例如：沿着z轴)。举例来说，位置数据(例如：沿着x轴或y轴)可收集自一晶圆的二维影像(无论是从反射光或是透射光)。接着，深度信息可藉由像是孔径成像技术或是立体成像技术的深度影像技术而收集到。孔径成像技术可包含调整感测器视野深度以判定缺陷至感测器的距离。举例来说，在执行孔径成像技术时，具有特定焦距的感测器可调整覆盖感测器的孔径以判定何种孔径大小可得到聚焦的晶圆缺陷感测器数据。再举另一例，位置与深度信息也可藉由立体成像技术，利用两者或更多于空间上分散的感测器(例如：两者或更多透射光感测器以及/或是两者或更多反射光感测器)来收集。于立体成像技术中，可比较来自两者或更多于空间上分散的感测器数据，并从两者或更多于空间上分散的感测器数据间的差异撷取深度信息。于一些实施例中，可利用传统的孔径成像技术以及/或是立体成像技术，但可被调整以适用于宽频晶圆缺陷侦测。

于一些实施例中，感测器数据可自检测中的晶圆的扫描图而收集到，像是沿着晶圆表面撷取影像并于个别感测器的不同距离外收集信息。接着，不同距离处的影像数据可被编译为三维感测器数据(例如：三维晶圆缺陷分布图)。

于步骤410中，可分析多个感测器收集到的感测器数据以得到晶圆缺陷。于一些实施例中，步骤408与410皆可为单一步骤，分析感测器数据并接着进一步根据分析结果收集感测器数据(例如：根据晶圆的分析再从晶圆的一特定区域收集聚焦的或是更高解析度的影像数据)。

于一些实施例中，晶圆缺陷可能是检测中的晶圆内或沿着表面上无法预测的(例如：不在可接受变异范围内)非均匀区域。举例来说，完全位在晶格结构内的非均匀区域可被判定为是属于裂缝的晶圆缺陷。此外，沿着晶圆表面的非均匀区域(例如：自晶圆表面曝露)可被判定为是属于刮痕的晶圆缺陷。于一些实施例中，晶圆缺陷可藉由阀值判定，像是判定沿着晶圆表面或是晶格结构内部的非均匀性超过阀值的程度(例如：大于或小于一阀值)。于一些实施例中，阀值数值可表示远大于沿着晶圆表面或是晶格结构内部的平均或可接受程度的非均匀性。于一些实施例中，阀值可表示非均匀性数值上升到会影响进一步晶圆半导体制程的显著水准(例如：晶圆内部显著大小的裂缝可能，或者可能性很大地，会造成晶圆于半导体制程中破裂)。

图5为根据本揭露一些实施例中反射光波长与透射光波长于能量及波长图表中的示意图。图表中的宽频光可为来自一波长自约300纳米(nm)至波长约2500纳米(nm)的宽频光源。反射光502为波长自约400纳米(nm)至约700纳米(nm)的红外光的宽频光区段，或者于一些实施例中为约500纳米(例如：0.5微米(um))。透射光504为波长自约1000纳米(nm)至约1400纳米(nm)的宽频光区段，或者于一些实施例中为约1.1微米(um)。

于一些实施例中，一系统包含：宽频光源；具有面对宽频光源的第一侧的晶圆；设置以侦测自宽频光源发射且由第一侧反射的反射光的第一光感应器；设置以侦测反射自与晶圆的第一侧相对的第二侧的透射光的第二光感应器，其中透射光是源自于宽频光源；以及设置以分析反射光与透射光以辨别晶圆缺陷的侦测模块。于一些实施例中，侦测模块是设置以根据透射光侦测晶圆内的内部裂缝。于一些实施例中，侦测模块是设置以组是设置以判定内部裂缝的深度。于一些实施例中，侦测模块是设置以根据内部裂缝的焦距判定内部裂缝的深度。于一些实施例中，侦测模块是设置以根据反射光侦测沿着第一侧的刮痕。于一些实施例中，侦测模块是设置以判定沿着第一侧的刮痕的位置。于一些实施例中，侦测模块是设置以根据刮痕的焦距判定刮痕的位置。于一些实施例中，晶圆包含硅。于一些实施例中，反射光的波长实质上为0.5微米。于一些实施例中，透射光的波长实质上为1.1微米。

于一些实施例中，一系统包含：宽频光源；具有面对宽频光源的第一侧的晶圆；设置以侦测自宽频光源发射且由第一侧反射的反射光的第一光感应器；设置以侦测反射自与晶圆的第一侧相对的第二侧的透射光的第二光感应器，其中透射光是源自于宽频光源；以及设置以根据反射光与透射光产生晶圆缺陷的三维分布图的侦测模块。于一些实施例中，系统还包含光源控制器，设置以相对于晶圆、第一光感应器以及第二光感应器移动宽频光源。于一些实施例中，系统还包含晶圆平台控制器，设置以相对于宽频光源、第一光感应器以及第二光感应器移动晶圆。于一些实施例中，系统还包含第一第二光感应器控制器，设置以相对于宽频光源以及晶圆移动第一光感应器以及第二光感应器。于一些实施例中，系统还包含第一光感应器控制器，设置以相对于第二光感应器移动第一光感应器。

于另一些实施例中，一种方法包含：照射宽频光于晶圆的第一侧上；自第一表面的反射光收集第一光感应器数据；自晶圆的与第一表面相对的第二表面透射的透射光收集第二光感应器数据；以及根据反射光与透射光侦测晶圆缺陷。于一些实施例中，方法还包含根据透射光侦测晶圆内的内部裂缝。于一些实施例中，方法还包含根据内部裂缝的焦距判定内部裂缝的深度。于一些实施例中，方法还包含根据反射光侦测沿着第一侧的刮痕。于一些实施例中，方法还包含根据刮痕的焦距判定沿着第一侧的刮痕的位置。

前述已概略描述多个实施例以使熟悉此领域者可更佳地理解本揭露的意义。熟悉此领域者可将本揭露作为基础而设计或改进其他制程与结构以达成如本揭露实施例所示的相同的目的以及/或是达到同样的功效。熟悉此领域者应理解，上述同等的操作并不脱离本揭露的范畴与本意，且可在不脱离本揭露的精神和范围内作各种的更动与润饰。

条件用语像是，除此之外，“可以”、“可能”或是“可”，除非特别定义，否则应理解为广义地表示于特定实施例中包含，而其他实施例不包含，特定特征、元件以及/或是步骤。因此，此种条件用语通常并非用于表示特定特征、元件以及/或是步骤于一或多个实施例中是必须的，或是无论使用者有无输入或提示这些特征、元件以及/或是步骤是否包含或执行于任何特定实施例中，都必须包含于一或多个实施例中的判定规则。

除此之外，熟悉此领域者于阅读本揭露后应当能够设置用以执行此处所述的操作的装置。此处对于特定的操作或功能所用的“设置”一词，是指一系统、元件、组件、电路、结构、机器等，是实体或虚拟地被建构、计画以及/或是排列为以执行特定的操作或功能。

分裂集用语，像是“x、y或是z中至少一”，除非特别强调，否则应理解为广义地表示一项目或术语等可为x、y或是z，或是其组合(例如：x、y以及/或是z)。因此，此分裂集并非普遍地用于，且不应用于，表示特定实施例中需要至少一x、至少一y或是至少一z。

虽然本揭露已以实施例揭露如上，然其并不用以限定本揭露，任何熟悉此技艺者，在不脱离本揭露的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本揭露的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。