1.一种能降低导通压降和关断损耗的沟槽栅IGBT器件，包括半导体基板以及位于所述半导体基板中心的元胞区，所述半导体基板包括第一导电类型漂移区以及位于所述第一导电类型漂移区内上部的第二导电类型基区；
元胞区包括若干元胞，每个元胞内包括两个元胞沟槽，所述元胞沟槽位于第二导电类型基区内且元胞沟槽的深度伸入第二导电类型基区下方的第一导电类型漂移区内；在所述第一导电类型漂移区内还设置第二导电类型杂质区，所述第二导电类型杂质区的底部与元胞沟槽的槽底接触；其特征是：
在所述第二导电类型杂质区内还设置对称分布的第一导电类型杂质区，所述第一导电类型杂质区邻近元胞沟槽；
在所述IGBT器件的截面上，在第二导电类型基区内设置第一导电类型源区，所述第一导电类型源区与第一导电类型杂质区分别位于元胞沟槽的两侧，元胞沟槽内填充有栅极导电多晶硅，所述栅极导电多晶硅通过元胞沟槽内的绝缘栅氧化层与元胞沟槽的侧壁、底壁绝缘隔离；
在第一导电类型漂移区的上方设置源极金属以及栅极金属，所述源极金属与第一导电类型源区、第二导电类型基区以及第二导电类型杂质区欧姆接触，栅极金属与栅极导电多晶硅以及第一导电类型杂质区欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的能降低导通压降和关断损耗的沟槽栅IGBT器件，其特征是：所述第二导电类型杂质区的底部位于第二导电类型基区的下方，第二导电类型杂质区覆盖元胞沟槽的距离大于绝缘栅氧化层的厚度。
3.根据权利要求1所述的能降低导通压降和关断损耗的沟槽栅IGBT器件，其特征是：在所述第一导电类型漂移区的背面设置第二导电类型集电区，在所述第二导电类型集电区上设置集电极金属，所述集电极金属与第二导电类型集电区欧姆接触。
4.根据权利要求1所述的能降低导通压降和关断损耗的沟槽栅IGBT器件，其特征是：所述元胞沟槽的深度为5μm～8μm，栅极导电多晶硅的宽度为0.5μm～2μm，第二导电类型基区的深度为3μm～7μm。