技术特征：
技术总结
本发明公开了一种倾角硅槽刻蚀工艺，包括以下步骤：在待刻蚀晶圆的表面生成硬掩膜层，在硬掩膜层表面涂光刻胶，曝光显影，露出需要刻蚀的硬掩膜层窗口；在露出的窗口处进行硬掩膜刻蚀，刻蚀至晶圆表面；在完成硬掩膜刻蚀的窗口处进行硅槽刻蚀，刻蚀至硅槽深度为设定值；其中，刻蚀气体为SF6；钝化气体包括O2和Hbr；偏置功率为50～55W；偏置功率频率为110～130Hz；偏置功率循环为65％～75％；源射频功率为1000～1100W；采用干法去胶的方法去除非硅槽区域的光刻胶。本发明将硅槽侧壁角度由90°优化到接近80°，在后续硅槽的填充过程中，消除了填充后形成的空洞，进而提升了击穿电压，降低了漏电，增加了介质隔离集成工艺的可靠性。
技术研发人员：郝军;李林;代鹏昊;何鑫鑫;陈宝忠
受保护的技术使用者：西安微电子技术研究所
技术研发日：2018.09.11
技术公布日：2019.02.12