一种固晶方法及终端与流程

本发明涉及固晶技术领域，尤其涉及一种固晶方法及终端。

背景技术：

随着led技术的发展，miniled将会作为下一代背光技术的核心，当采用传统固晶设备对miniled的晶元进行固晶时，其固晶速度慢，效率低，并且对位精度低，将会严重影响后期miniled的使用。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题是：提供一种固晶方法及终端，可大大提高固晶效率和固晶精度。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

一种固晶方法，包括：

分别预设固晶参考点、待固定晶元参考点和待固晶位置参考点；

分别获取至少两个的待固定晶元的第一图像信息；

根据所述第一图像信息和待固定晶元参考点分别计算得到至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差；

根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整；

分别获取至少两个的待固晶位置的第二图像信息，至少两个的所述待固晶位置与至少两个的所述待固定晶元一一对应设置；

根据所述第二图像信息和待固晶位置参考点分别计算得到至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差；

根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整；

将调整后的至少两个的所述待固定晶元固定在调整后的至少两个的所述待固晶位置上。

本发明涉及的另一技术方案为：

一种固晶终端，包括处理器、存储器以及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，

所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：

分别预设固晶参考点、待固定晶元参考点和待固晶位置参考点；

分别获取至少两个的待固定晶元的第一图像信息；

根据所述第一图像信息和待固定晶元参考点分别计算得到至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差；

根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整；

分别获取至少两个的待固晶位置的第二图像信息，至少两个的所述待固晶位置与至少两个的所述待固定晶元一一对应设置；

根据所述第二图像信息和待固晶位置参考点分别计算得到至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差；

根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整；

将调整后的至少两个的所述待固定晶元固定在调整后的至少两个的所述待固晶位置上。

本发明的有益效果在于：分别对每一个待固定晶元和待固晶位置进行坐标偏差的计算，然后进行相应的调整，有利于提高固晶精度；同时将多个待固定晶元固定在多个的待固晶位置上，其固晶效率高。本发明的固晶方法及终端适用于对miniled进行固晶。

附图说明

图1为本发明实施例一的固晶方法的流程图；

图2为本发明实施例二的固晶终端的结构示意图。

标号说明：

100、固晶终端；1、处理器；2、存储器。

具体实施方式

为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。

本发明最关键的构思在于：对每一个待固定晶元和待固晶位置进行调整，然后将多个待固定晶元同时固定在多个的待固晶位置上，可大大提高固晶效率和固晶精度。

请参照图1，一种固晶方法，包括：

分别预设固晶参考点、待固定晶元参考点和待固晶位置参考点；

分别获取至少两个的待固定晶元的第一图像信息；

根据所述第一图像信息和待固定晶元参考点分别计算得到至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差；

根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整；

分别获取至少两个的待固晶位置的第二图像信息，至少两个的所述待固晶位置与至少两个的所述待固定晶元一一对应设置；

根据所述第二图像信息和待固晶位置参考点分别计算得到至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差；

根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整；

将调整后的至少两个的所述待固定晶元固定在调整后的至少两个的所述待固晶位置上。

从上述描述可知，本发明的有益效果在于：分别对每一个待固定晶元和待固晶位置进行坐标偏差的计算，然后进行相应的调整，有利于提高固晶精度；同时将多个待固定晶元固定在多个的待固晶位置上，其固晶效率高。

进一步的，所述根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整具体为：

根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差计算得到坐标偏差的第一平均值；

根据所述第一平均值和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整。

由上述描述可知，将多个待固定晶元的坐标偏差进行平均值的计算，然后根据平均值来调整多个待固定晶元，其调整效率高，并且使得各个待固定晶元的坐标偏差在可接受的范围内。

进一步的，所述根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整具体为：

根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差计算得到坐标偏差的第二平均值；

根据所述第二平均值和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整。

由上述描述可知，将多个待固晶位置的坐标偏差进行平均值的计算，然后根据平均值来调整多个待固晶位置，其调整效率高，并且使得各个待固晶位置的坐标偏差在可接受的范围内。

进一步的，所述将调整后的至少两个的所述待固定晶元固定在调整后的至少两个的所述待固晶位置上之前还包括：在待固晶位置上涂覆粘接层。

进一步的，至少两个的所述待固定晶元分别固定设置于膜材料上，所述将调整后的至少两个的所述待固定晶元固定在调整后的至少两个的所述待固晶位置上具体为：

同时驱动至少两个的所述待固定晶元朝靠近待固晶位置的方向运动，并同时通过真空吸附的方式吸附所述膜材料，使膜材料与待固定晶元分离，完成固晶。

由上述描述可知，通过真空吸附的方式吸附膜材料，有利于使膜材料与待固定晶元快速分离，提高固晶效率。

请参照图2，本发明涉及的另一技术方案为：

一种固晶终端100，包括处理器1、存储器2以及存储在存储器2上并可在处理器1上运行的计算机程序，

所述处理器1执行所述计算机程序时实现以下步骤：

分别预设固晶参考点、待固定晶元参考点和待固晶位置参考点；

分别获取至少两个的待固定晶元的第一图像信息；

根据所述第一图像信息和待固定晶元参考点分别计算得到至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差；

根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整；

分别获取至少两个的待固晶位置的第二图像信息，至少两个的所述待固晶位置与至少两个的所述待固定晶元一一对应设置；

根据所述第二图像信息和待固晶位置参考点分别计算得到至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差；

根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整；

将调整后的至少两个的所述待固定晶元固定在调整后的至少两个的所述待固晶位置上。

进一步的，所述根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整具体为：

根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差计算得到坐标偏差的第一平均值；

根据所述第一平均值和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整。

进一步的，所述根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整具体为：

根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差计算得到坐标偏差的第二平均值；

根据所述第二平均值和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整。

进一步的，所述处理器1执行所述计算机程序时还实现以下步骤：

所述将调整后的至少两个的所述待固定晶元固定在调整后的至少两个的所述待固晶位置上之前还包括：在待固晶位置上涂覆粘接层。

进一步的，至少两个的所述待固定晶元分别固定设置于膜材料上，所述将调整后的至少两个的所述待固定晶元固定在调整后的至少两个的所述待固晶位置上具体为：

同时驱动至少两个的所述待固定晶元朝靠近待固晶位置的方向运动，并同时通过真空吸附的方式吸附所述膜材料，使膜材料与待固定晶元分离，完成固晶。

请参照图1，本发明的实施例一为：

一种固晶方法，包括如下步骤：

s1、分别预设固晶参考点、待固定晶元参考点和待固晶位置参考点。三个参考点的设置均在同一坐标系下进行，固晶参考点即为将待固定晶元固定在待固晶位置的具体坐标，这里具体指水平面上x、y方向上的坐标。待固定晶元参考点和待固晶位置参考点也均指水平面上x、y方向上的坐标。

s2、分别获取至少两个的待固定晶元的第一图像信息。第一图像信息通过大靶面相机获得，本实施例中，将大靶面相机的中心点作为待固定晶元参考点，大靶面相机的摄像头朝上，待固定晶元固定设置于膜材料上，并且待固定晶元朝下，待固定晶元位于大靶面相机的上方。待固定晶元通过晶元夹具进行固定，晶元夹具固定在晶元工作台上，晶元工作台可以在x方向和y方向上运动。

s3、根据所述第一图像信息和待固定晶元参考点分别计算得到至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差。每一个待固定晶元的坐标偏差可能相同也可能不同。

s4、根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整。本实施例中，步骤s4具体为：s41、根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差计算得到坐标偏差的第一平均值；s42、根据所述第一平均值和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整。调整时，每一个待固定晶元均通过第一平均值的偏差来进行调整，并同时考虑到固晶参考点，通过驱动晶元工作台在x方向和y方向上运动将每一个待固定晶元调整到位。

s5、分别获取至少两个的待固晶位置的第二图像信息，至少两个的所述待固晶位置与至少两个的所述待固定晶元一一对应设置。第二图像信息通过另一个大靶面相机获取，本实施例中，将此大靶面相机的中心点作为待固晶位置参考点。大靶面相机设置在待固晶位置的上方，待固晶位置朝上。待固晶位置设置在固晶支架上，固晶支架通过支架夹具进行固定，支架夹具固定在支架工作台上，支架工作台可以在水平的x方向和y方向上运动。步骤s5之前先在待固晶位置上涂覆粘接层。

s6、根据所述第二图像信息和待固晶位置参考点分别计算得到至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差。

s7、根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整。本实施例中，步骤s7具体为：s71、根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差计算得到坐标偏差的第二平均值；s72、根据所述第二平均值和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整。调整时，每一个待固晶位置均通过第二平均值的偏差进行调整，并同时考虑到固晶参考点，通过驱动支架工作台在x方向和y方向上运动将每一个待固晶位置调整到位。

s8、将调整后的至少两个的所述待固定晶元固定在调整后的至少两个的所述待固晶位置上。具体的：同时驱动至少两个的所述待固定晶元朝靠近待固晶位置的方向运动，并同时通过真空吸附的方式吸附所述膜材料，使膜材料与待固定晶元分离，完成固晶。调整后的待固定晶元位于待固晶位置的上方，固晶通过焊头机构来进行，焊头机构位于膜材料的上方，焊头机构上设有至少两个的顶针，每一个顶针上套设有真空吸嘴，每一个顶针都可以驱动一个待固定晶元朝对应的待固晶位置运动。本实施例中，固晶参考点可以是焊头机构的中心点，焊头机构只在z方向上上下运动，不在x方向或y方向上运动。在顶针将待固定晶元压向待固晶位置时，同时开启真空吸嘴，快速让待固定晶元与膜材料分离，完成批量固晶。

本实施例中，步骤s2～s4与步骤s5～s7不分先后，可以同时进行，也可以逐步进行。

请参照图2，本发明的实施例二为：

一种固晶终端100，与实施例一的方法相对应。所述固晶终端100包括处理器1、存储器2以及存储在存储器2上并可在处理器1上运行的计算机程序，

所述处理器1执行所述计算机程序时实现以下步骤：

分别预设固晶参考点、待固定晶元参考点和待固晶位置参考点；

分别获取至少两个的待固定晶元的第一图像信息；

根据所述第一图像信息和待固定晶元参考点分别计算得到至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差；

根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整；

分别获取至少两个的待固晶位置的第二图像信息，至少两个的所述待固晶位置与至少两个的所述待固定晶元一一对应设置；

根据所述第二图像信息和待固晶位置参考点分别计算得到至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差；

根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整；

将调整后的至少两个的所述待固定晶元固定在调整后的至少两个的所述待固晶位置上。

进一步的，所述根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整具体为：

根据至少两个的所述待固定晶元的坐标偏差计算得到坐标偏差的第一平均值；

根据所述第一平均值和固晶参考点对至少两个的所述待固定晶元进行调整。

进一步的，所述根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整具体为：

根据至少两个的所述待固晶位置的坐标偏差计算得到坐标偏差的第二平均值；

根据所述第二平均值和固晶参考点对至少两个的所述待固晶位置进行调整。

进一步的，所述处理器1执行所述计算机程序时还实现以下步骤：

所述将调整后的至少两个的所述待固定晶元固定在调整后的至少两个的所述待固晶位置上之前还包括：在待固晶位置上涂覆粘接层。

进一步的，至少两个的所述待固定晶元分别固定设置于膜材料上，所述将调整后的至少两个的所述待固定晶元固定在调整后的至少两个的所述待固晶位置上具体为：

同时驱动至少两个的所述待固定晶元朝靠近待固晶位置的方向运动，并同时通过真空吸附的方式吸附所述膜材料，使膜材料与待固定晶元分离，完成固晶。

综上所述，本发明提供的一种固晶方法及终端，可大大提高固晶效率和固晶精度，适用于对miniled进行批量固晶。

以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。