一种使用碳化硅基板无导线封装白光led的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及LED。
【背景技术】
[0002]传统的LED制造，广泛使用带注塑的金属基板，通过固晶胶固定芯片在金属基板的底部，烘烤固化后，通过金属导线焊接芯片正负极于基板正负极，最后调色点粉烘烤成型。所用的金属基板材质通常为镀银的铜、铝、铁等材质，LED在工作过程中会产生大量热量，固晶胶导热能力有限难以将芯片散发热量传导，同时金属基板极容易发生氧化、硫化等现象，此时基板出现发黑、发黄、荧光胶分离基板等现象，氧化、硫化的金属基板将失去反光效果使LED产生严重光衰。使用金属基板封装的LED组装的灯具，较难通过3750V安规耐压要求。为通过耐高电压测试，少数LED使用陶瓷材料作基板，但陶瓷材料导热效果差且易碎。
[0003]使用金属导线封装的LED，导线直径通常小于1.2mil，LED在装配过程中胶体被触碰或LED发热过度下胶体形变极易扯断导线，从而导致死灯。
【发明内容】
[0004]本实用新型目的是为了改善LED的散热，提高灯珠耐高电压能力，解决因为组装过程误触碰挤压胶体或工作过热的情况下胶体变形扯断导线导致LED死灯现象。
[0005]为达到上述目的，一种使用碳化硅基板无导线封装白光LED，包括碳化硅基板和倒装芯片，碳化硅基板上具有功能区，碳化硅基板的功能区内设有二个以上的镀银固晶区，在每一镀银固晶区上设有倒装芯片，倒装芯片通过高温锡膏连接在镀银固晶区上；在碳化硅基板上位于功能区外设有围坝，在围坝内设有封装倒装芯片的荧光胶层。
[0006]上述LED，倒装芯片产生的热量能快速的经高温锡膏传递到镀银固晶层上，镀银固晶层对热的传递速度快，因此，能将其上的热量快速的传递到碳化硅基板上，通过碳化硅基板进行散热，从而改善了 LED的散热。在本实用新型中，不需要导线，因此，解决了因为组装过程误触碰挤压胶体或工作过热的情况下胶体变形扯断导线导致LED死灯现象。
[0007]进一步的，碳化硅基板上设有四个定位螺丝孔。方便固定LED。
[0008]进一步的，碳化硅基板呈圆形，功能区呈方形。
[0009]进一步的，碳化娃基板的厚度为0.5-0.7mm。采用该厚度，既能保证碳化娃基板的强度，且热量在碳化硅基板上的传递路径短，加快了热量的散失，进一步提高了散热效果。
[0010]进一步的，每个镀银固晶区的正负极间隔0.02mm。该结构，有利于倒装芯片的热量向碳化硅基板上集中传递，进一步提高散热效果。
[0011]进一步的，倒装芯片为10X20~45X45mil的蓝光倒装芯片。
【附图说明】
[0012]图1为本碳化硅基板无导线封装白光LED的主视图。
[0013]图2为本碳化娃基板无导线封装白光LED的固晶不意图。
[0014]图3为本碳化硅基板无导线封装白光LED高温锡膏熔合焊接芯片示意图。
[0015]图4为本碳化硅基板无导线封装白光LED的左视图。
【具体实施方式】
[0016]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型进行进一步详细说明。
[0017]如图1至图4所示，一种碳化硅基板无导线封装白光LED包括碳化硅基板1、围坝
2、倒装芯片3、荧光胶层4和高温锡膏5。
[0018]碳化娃基板I为圆形，碳化娃基板I上具有功能区11，功能区11呈方形，碳化娃基板的功能区11内设有二个以上的镀银固晶区12。每一倒装芯片3对应一个镀银固晶区12。碳化硅基板I的厚度为0.5-0.7mm。采用该厚度，既能保证碳化硅基板I的强度，且热量在碳化硅基板I上的传递路径短，加快了热量的散失，进一步提高了散热效果。每个镀银固晶区12的正负极间隔0.02mm，有利于倒装芯片的热量向碳化硅基板上集中传递，进一步提尚散热效果。
[0019]碳化硅基板上设有四个定位螺丝孔6。方便固定LED。
[0020]所述围坝2由白胶成型，外观颜色乳白，粘度12000mpa.S，硬度邵A50，无需加热，常温30min可固化。围坝2设在碳化硅基板I上，且位于功能区11外。
[0021]倒装芯片3为10X20~45X45mil的蓝光倒装芯片，倒装芯片优选主波长450-462.5nm，倒装结构，电极朝下，正负电极镀金。倒装芯片3通过高温锡膏5连接在镀银固晶区12上。
[0022]荧光胶层4封装在倒装芯片上，且位于围坝2内。所述荧光胶层4由粒径15 μ m、波长519nm、材质为招酸盐的绿色焚光粉，粒径15 μπκ波长625nm、材质为氮化物的红色焚光粉，粒径20 μπκ波长560、材质为铝酸盐黄色荧光粉，A胶和B胶混合而成，A胶和B胶的质量比为1: 1，荧光胶层4固化后硬度邵Α50，折射率1.57。
[0023]所述高温锡膏5，熔点220°C，导热率90 ff/m.K。
[0024]本实施例一种碳化娃基板无导线封装白光LED的制造流程是:固晶一围现一点粉。如图3所示，固晶:通过高温锡膏5将倒装芯片3固定在镀银固晶区12上，260°C烘烤5min，此条件下高温锡膏5融化，冷却至常温，倒装芯片3的正负电极、高温锡膏5与镀银固晶层12熔合，倒装芯片3电极与碳化硅基板I焊接完成；在本实用新型中，高温锡膏是指能耐260°C—下温度的锡膏。围坝:将围坝胶在碳化硅基板I上功能区11外围出所需的封闭坝体外型，常温放置30min坝体即固化；点粉:根据倒装芯片3的波长，将白光胶A胶和B胶与黄色荧光粉、绿色荧光粉、红色荧光粉按一定比例搭配调制出所需颜色、显指，将配制的荧光粉搅拌、脱泡后涂覆在围坝内用于封装倒装芯片3，70°C烘烤IH转150°C烘烤3H后，灯珠成型，切开连片，一种碳化基板无导线封装白光LED制成。
[0025]本实用新型的LED。倒装芯片3产生的热量能快速的经高温锡膏5传递到镀银固晶层12上，镀银固晶层12对热的传递速度快，因此，能将其上的热量快速的传递到碳化硅基板I上，通过碳化硅基板I进行散热，从而改善了 LED的散热。在本实用新型中，不需要导线，因此，解决了因为组装过程误触碰挤压胶体或工作过热的情况下胶体变形扯断导线导致LED死灯现象。
【主权项】
1.一种使用碳化硅基板无导线封装白光LED，其特征在于:包括碳化硅基板和倒装芯片，碳化硅基板上具有功能区，碳化硅基板的功能区内设有二个以上的镀银固晶区，在每一镀银固晶区上设有倒装芯片，倒装芯片通过高温锡膏连接在镀银固晶区上；在碳化硅基板上位于功能区外设有围坝，在围坝内设有封装倒装芯片的荧光胶层。2.根据权利要求1所述的使用碳化硅基板无导线封装白光LED，其特征在于:碳化硅基板上设有四个定位螺丝孔。3.根据权利要求1所述的使用碳化硅基板无导线封装白光LED，其特征在于:碳化硅基板呈圆形，功能区呈方形。4.根据权利要求1所述的使用碳化硅基板无导线封装白光LED，其特征在于:碳化硅基板的厚度为0.5-0.7mm。5.根据权利要求1所述的使用碳化硅基板无导线封装白光LED，其特征在于:每个镀银固晶区的正负极间隔0.02mm。6.根据权利要求1所述的使用碳化硅基板无导线封装白光LED，其特征在于:倒装芯片为10X20~45X45mil的蓝光倒装芯片。
【专利摘要】本实用新型公开了一种使用碳化硅基板无导线封装白光LED，包括碳化硅基板和倒装芯片，碳化硅基板上具有功能区，碳化硅基板的功能区内设有二个以上的镀银固晶区，在每一镀银固晶区上设有倒装芯片，倒装芯片通过高温锡膏连接在镀银固晶区上；在碳化硅基板上位于功能区外设有围坝，在围坝内设有封装倒装芯片的荧光胶层。本实用新型目的是为了改善LED的散热，提高灯珠耐高电压能力，解决因为组装过程误触碰挤压胶体或工作过热的情况下胶体变形扯断导线导致LED死灯现象。
【IPC分类】H01L33/64, H01L33/62, H01L33/48
【公开号】CN205211790
【申请号】CN201520886568
【发明人】莫宜颖, 左小波
【申请人】江西众光照明科技有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年11月9日