显示基板和显示装置的制作方法

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种显示基板和显示装置。

背景技术：

在显示基板中，例如无机微发光二极管(microled)显示基板中，由于其中的微发光二极管需要的驱动电流较大，相应地，要求显示基板中的线路的电阻更低，线路上的压降更低，从而保证在整个显示基板上各个微发光二极管上电流的均匀性。

技术实现要素：

本发明至少部分解决现有的显示基板中线路电阻过大的问题，提供一种显示基板和显示装置。

根据本发明第一方面，提供一种显示基板，包括多个晶体管和多条信号线，晶体管包括有源区，信号线与有源区之间设有至少一个绝缘层，所述显示基板还包括与有源区同层设置且相互间隔的至少一块辅助电极，每块辅助电极通过绝缘层中至少两个第一过孔与同一条信号线电连接。

可选地，所述辅助电极由导体化的有源区材料形成。

可选地，对应同一信号线的所述第一过孔沿该信号线的长度方向排列。

可选地，所述显示基板包括发光元件，至少部分所述信号线为第一信号线，所述第一信号线连接在所述发光元件与所述晶体管的第一极之间。

可选地，所述发光元件包括无机微发光二极管或有机发光二极管。

可选地，所述晶体管包括栅极，所述显示基板还包括用于电连接并固定驱动芯片的绑定电极，至少部分所述信号线为第二信号线，所述第二信号线连接所述绑定电极和至少一个所述晶体管的栅极或晶体管第一极。

可选地，所述显示基板还包括基底，所述晶体管设于所述基底上，所述辅助电极在所述基底的投影包裹对应的信号线的在相邻第一过孔之间的部分在所述基底的投影。

可选地，至少部分所述信号线包括多个子信号线，不同子信号线之间设有绝缘层，且相邻子信号线之间通过至少两个第二过孔电连接。

可选地，对应同一信号线的所述第二过孔沿该信号线的长度方向排列。

根据本发明第二方面，提供一种显示装置，包括根据本发明第一方面所提供的显示基板。

附图说明

图1a和图1b为本发明的实施例的一种显示基板在制造的第一阶段中的俯视图和沿l1线的截面图；

图2为本发明的实施例的一种显示基板在制造的第二阶段中截面图；

图3a和图3b为本发明的实施例的一种显示基板在制造的第三阶段中的俯视图和沿l2线的截面图；

图4为本发明的实施例的一种显示基板在制造的第四阶段中的截面图；

其中，附图标记为：1、基底；2、缓冲层；31、第一栅绝缘层；32、第二栅绝缘层；41、有源区；42、晶体管第一极；43、晶体管第二极；44、栅极；5、辅助电极；51、第一过孔；52、信号线；521、子数据线；53、第二过孔；6、层间绝缘层；71、第一平坦化层；72、第二平坦化层；8、钝化层；9、黑矩阵；100、发光元件；101、发光元件第一极；102、发光元件第二极；103、键合物。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

在本发明中，两结构“同层设置”是指二者是由同一个材料层形成的，故它们在层叠关系上处于相同层中，但并不代表它们与基底间的距离相等，也不代表它们与基底间的其它层结构完全相同。

在本发明中，“构图工艺”是指形成具有特定的图形的结构的步骤，其可为光刻工艺，光刻工艺包括形成材料层、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤中的一步或多步；当然，“构图工艺”也可为压印工艺、喷墨打印工艺等其它工艺。

以下以无机微发光二极管显示基板的制造过程来说明本发明的显示基板的结构以及优点。相同的原理也适用于有机发光二极管显示基板以及液晶显示基板等其他类型的显示基板。

实施例1：

本实施例提供一种显示基板，包括多个晶体管(包括栅极44、晶体管第一极42、晶体管第二极43、有源区41)和多条信号线52，晶体管包括有源区41，信号线52与有源区41之间设有至少一个绝缘层，显示基板还包括与有源区41同层设置且相互间隔的至少一块辅助电极5，每块辅助电极5通过绝缘层中至少两个第一过孔51与同一条信号线52电连接。

也即是在相邻有源区41之间的间隙处，在制作有源区41的同时制作辅助电极5，由于二者采用的是相同的材料形成且为同层设置，故不需要在现有的显示基板的制造工艺中增加掩模数量。每个辅助电极5通过绝缘层中至少两个第一过孔51与同一条信号线52电连接，也即是辅助电极5与这条信号线52并联，二者整体的等效电阻降低，如此降低了信号的损耗，有利于提高显示基板内驱动电流的均匀性。

参见图1a和图1b，在显示基板制造的第一阶段，首先在基底1上形成一层缓冲层2。基底1例如由玻璃材料形成，缓冲层2例如是由硅的氮化物或硅的氧化物或二者的混合物形成。之后利用构图工艺在缓冲层2上同时形成有源区41和辅助电极5。辅助电极5设在相邻有源区41之间的间隙位置，且与有源区41分开。

参见图2，在显示基板制造的第二阶段，形成覆盖有源区41和辅助电极5的第一栅绝缘层31，随后利用构图工艺在第一绝缘层31上形成栅极44的图案。之后利用栅极44作为掩模，对有源区41进行掺杂，形成晶体管的源极掺杂区和漏极掺杂区。优选地，在对有源区41进行掺杂的同时，对辅助电极5也进行掺杂，从而使辅助电极5导体化，进一步降低辅助电极5本身的电阻。以上第一栅绝缘层31的材料例如是硅的氧化物，掺杂离子例如是硼(b)或者磷(p)。在该步骤中，对辅助电极5进行掺杂的步骤也不会增加掩模数。

参见图3a和图3b，在显示基板制造的第三阶段，依次形成第二栅绝缘层32(例如是硅的氮化物)、层间绝缘层6(硅的氧化物或硅的氮化物或二者的混合物)，之后制作过孔，这些过孔中部分用于引出晶体管第一极42和晶体管第二极43，还有部分过孔为第一过孔51，第一过孔51用于将辅助电极5与随后形成的信号线52连接。如此，增大了电流行走的横截面，也就相当于整体上降低了信号线52的电阻。

可选地，对应同一信号线52的第一过孔51沿该信号线52的长度方向排列。如是，则是使信号在辅助电极5中行走的路径与在对应信号线52上行走的路径一致，减少信号的损耗。

截至该第三阶段完成后的显示基板同样可用于制作有机发光二极管显示基板和液晶显示基板。区别仅在于在该步骤之后制作的结构有所不同，但都能够实现信号线52电阻的降低，且不增加掩模数量。

可选地，显示基板包括发光元件100，至少部分信号线52为第一信号线第一信号线连接在发光元件100与晶体管的第一极之间。

可选地，晶体管包括栅极44，显示基板还包括用于电连接并固定驱动芯片的绑定电极，至少部分信号线52为第二信号线，第二信号线连接绑定电极和至少一个晶体管的栅极44或晶体管第一极42。

具体地，信号线52可以是连接晶体管第一极42到发光元件100的线路(此处称为第一信号线52)，也可以是在显示基板的一个亚像素内部连接某个晶体管的栅极44与另一个晶体管的第一极的线路，当然可以是连接显示基板的绑定电极(bondingpad)到亚像素的(该亚像素内的晶体管的栅极44或第一极42)。本领域技术人员可根据实际需要进行设置，对此不做限定。

可选地，发光元件100包括无机微发光二极管或有机发光二极管。当然发光元件100可以被替换为像素电极(对应液晶显示面板的情况)。

可选地，显示基板还包括基底1，晶体管设于基底1上，辅助电极5在基底1的投影包裹对应的信号线52的在相邻第一过孔51之间的部分在基底1的投影。

即如图3a所示，辅助电极5在与信号线52交叠的位置处是比信号线52宽的，且从基底1一侧看去，完全“覆盖”这一段信号线52。这是为了进一步降低辅助电极5本身的电阻。

可选地，至少部分信号线52包括多个子信号线521，不同子信号线521之间设有绝缘层，且相邻子信号线521之间通过至少两个第二过孔53(用于连接两条子信号线521的过孔)电连接。

即对于多层布线的信号线52，构成该信号线52的多个子信号线521(分别位于不同层)也实现线路的并联，如此，进一步降低信号线52的等效电阻。

可选地，对应同一信号线52的第二过孔53沿该信号线52的长度方向排列。这也是为了进一步降低信号在线路上的损耗。

仍以无机微发光二极管显示基板的制造工艺为例，如图4所示，在制造的第四阶段，形成覆盖第一层子信号线521的第一平坦化层71，制作第二过孔53，利用构图工艺形成第二层子信号线521(两条子信号线521多段并联)，随后形成钝化层8，利用构图工艺形成第二平坦化层72，利用构图工艺形成发光元件第一极101、发光元件第二极102、黑矩阵9，最后通过转移工艺，将无机微发光二极管通过键合物103固定在发光元件100第一极和发光元件100第二极上。

实施例2：

本实施例提供一种显示装置，包括根据本发明的实施例1所提供的显示基板。

具体的，该显示装置可为液晶显示面板、有机发光二极管(oled)显示面板、无机微发光二极管(microled)显示面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。