一种显示面板的制作方法和显示面板与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板的制作方法和显示面板。

背景技术：

随着科技的发展和进步，液晶显示器由于具备机身薄、省电和辐射低等热点而成为显示器的主流产品，得到了广泛应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶面板及背光模组(backlightmodule)。液晶面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，并在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。

目前igzo(铟镓锌氧化物)技术已得到广泛的研究及应用，常见的igzo结构有三种，bce(backchanneletch，背沟道刻蚀)结构，esl(etchstopperlayer，刻蚀阻挡层)结构，self-alignedtopgate(自对准的顶栅)结构，其中，bce结构因是背沟道蚀刻，会产生背沟道损坏,影响tft器件稳定性，esl结构可以对背沟道进行保护，但不适合做短沟道结构，并且有较大的寄生电容,顶栅型可以做短沟道结构并且有极小的寄生电容，但光罩会多一道。

技术实现要素：

鉴于上述问题，本发明所要解决的技术问题是提供一种减少光罩的显示面板的制作方法和显示面板。

为实现上述目的，本发明提供了一种显示面板的制作方法，包括：

在基板上依次形成第一金属层、缓冲层和氧化物膜层；

通过半色调掩膜在所述氧化物膜层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成第二层金属，并通过同一道光罩制程蚀刻第二层金属得到栅极层、以及通过氧化物膜层连接的源极层和漏极层；

在所述栅极层、源极层和漏极层的上方依次形成钝化层和透明电极层。

可选的，所述通过半色调掩膜在所述氧化物膜层上形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上形成第二层金属，并通过同一道光罩制程蚀刻第二层金属得到栅极层、以及通过氧化物膜层连接的源极层和漏极层的步骤包括：

通过半色调掩膜在所述氧化物膜层上形成包括中部、第一侧部、第二侧部和镂空部的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层的中部高度高于第一侧部和第二侧部的高度，所述镂空部分别形成在中部和第一侧部，以及中部和第二侧部之间；

在栅极绝缘层上形成第二层金属；

通过同一道光罩制程蚀刻第二层金属，得到位于栅极绝缘层的中部上方的栅极层；

同时，得到位于所述栅极绝缘层第一侧部上方的源极层，以及第二侧部上方的漏极层；

形成的所述源极层和漏极层，与所述栅极层绝缘。

可选的，所述通过同一道光罩制程蚀刻第二层金属，得到位于栅极绝缘层的中部上方的栅极层的步骤中，所述栅极层位于所述中部上方的中间位置，且所述栅极层的宽度小于中部的宽度。

可选的，所述在基板上依次形成第一金属层、缓冲层和氧化物膜层的步骤包括：

在基板上形成第一层金属，并通过一道光罩蚀刻第一层金属形成第一金属层；

在所述第一金属层上沉积形成缓冲沉积层，并在缓冲沉积层上沉积形成氧化物膜沉积层；

通过同一道光罩制程蚀刻缓冲沉积层和氧化物膜沉积层，得到覆盖第一金属层四周的缓冲层和氧化物膜层。

可选的，所述在基板上依次形成第一金属层、缓冲层和氧化物膜层包括：

在基板上得到第一层金属，并通过一道光罩蚀刻形成第一金属层；

在所述第一金属层上沉积形成缓冲沉积层，并在缓冲层上沉积形成氧化物膜沉积层；

通过一道光罩形成缓冲层和氧化物膜层；

所述第一金属层、缓冲层和氧化物膜层的宽度相当。

本发明公开了一种显示面板的制作方法，包括：

在基板上形成第一层金属，并通过一道光罩蚀刻形成第一层金属形成第一金属层；

在所述第一金属层上沉积形成缓冲沉积层，并在缓冲沉积层上沉积形成氧化物膜沉积层；

通过同一道光罩制程蚀刻缓冲沉积层和氧化物膜沉积层，得到覆盖第一金属层四周的缓冲层和氧化物膜层；

通过半色调掩膜在所述氧化物膜层上形成包括中部、第一侧部、第二侧部和镂空部的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层的中部高度高于第一侧部和第二侧部的高度，所述镂空部分别形成在中部和第一侧部，以及中部和第二侧部之间；

在栅极绝缘层上形成第二层金属；

通过同一道光罩蚀刻第二层金属，得到位于栅极绝缘层的中部上方的栅极层；

同时，得到位于所述栅极绝缘层第一侧部上方的源极层，以及第二侧部上方的漏极层；

形成的所述源极层和漏极层，与所述栅极层绝缘；

所述栅极层位于所述中部上方的中间位置，且所述栅极层的宽度小于中部的宽度；

在所述栅极层、源极层和漏极层的上方依次形成钝化层和透明电极层。

本发明还公开了一种显示面板，包括：

第一基板，所述第一基板的上方依次设置有第一金属层、缓冲层和氧化物膜层；

栅极绝缘层，位于所述氧化物膜层的上方；

栅极层，形成在所述栅极绝缘层上方的中部；

源极层和漏极层，形成在所述栅极绝缘层上方、位于所述栅极层的两侧；

钝化层和透明电极层，依次形成在所述栅极层、源极层和漏极层的上方；

所述源极层和漏极层，与所述栅极层绝缘；所述源极层和漏极层通过所述氧化物膜层连接；

所述栅极层、源极层和漏极层通过同一道光罩制程形成。

可选的，所述栅极绝缘层包括中部、第一侧部和第二侧部，所述中部的厚度大于所述第一侧部和第二侧部的厚度；

所述栅极绝缘层还包括形成在所述中部和第一侧部之间的第一镂空部，以及形成在所述中部和第二侧部之间的第二镂空部；

所述栅极层形成在所述中部上方；

所述源极层形成在所述第一侧部的上方，并通过所述第一镂空部连接于所述氧化物膜层；

所述漏极层形成在所述第二侧部的上方，并通过所述第二镂空部连接于所述氧化物膜层；

所述栅极层、源极层和漏极层由同一金属层，通过同一道光罩制程形成。

可选的，所述栅极层位于所述中部上方的中间位置，且所述栅极层的宽度小于所述中部的宽度。

可选的，第一金属层的两侧镂空，缓冲层覆盖住第一金属层的上表面及两侧镂空的部分。

本方案中，对自对准的顶栅结构进行改善，利用半色调掩膜形成栅极绝缘层，如此，在栅极绝缘层上溅渡一层金属为第二层金属，并通过同一道光罩制程蚀刻，即可同时形成栅极层、源极层和漏极层，由七道光罩变为六道光罩,减少了一道光罩,节省一道曝光显影时间，达到节约成本及提升产能的目的。

附图说明

所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1a到图1g是本发明实施例一种显示面板七道光罩制程的示意图；

图2a到图2f是本发明实施例一种显示面板六道光罩制程的示意图；

图3是本发明实施例一种显示面板六道光罩制程的示意图(2)；

图4是本发明实施例一种显示面板的制作方法流程示意图。

其中，100、显示面板；110、基板；120、第一金属层；130、缓冲层；140、氧化物膜层；150、栅极绝缘层；151、中部；152、第一侧部；153、第二侧部；154、第一镂空部；155、第二镂空部；161、栅极层；162、源极层；163、漏极层；170、钝化层；180、透明电极层。

具体实施方式

这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。

参考图1a，在玻璃基板110上通过一道光罩的制程形成第一金属层120；

参考图1b，在第一金属层120上沉积形成缓冲沉积层，并在缓冲沉积层上沉积形成氧化物膜沉积层，通过同一道光罩制程蚀刻缓冲沉积层和氧化物膜沉积层，得到覆盖第一金属层120四周的缓冲层130和氧化物膜层140；

参考图1c，在氧化物膜层140上沉积形成栅极绝缘沉积层，并在栅极绝缘沉积层上沉积形成栅极金属层，通过一道光罩制程对栅极绝缘沉积层和栅极金属层进行蚀刻，形成栅极绝缘层150和栅极层161；

参考图1d，在氧化物膜层140上通过一道光罩形成包括中部151、第一侧部152、第二侧部153以及镂空部的互联层，所述镂空部形成在中部151和第一侧部152，以及中部151和第二侧部153之间；

参考图1e，在互联层的上方形成第二层金属，并对第二层金属通过同一道光罩制程进行蚀刻得到漏极层163和源极层162；

参考图1f，在漏极层163和源极层162的上方，通过一道光罩制程蚀刻得到钝化层170；

参考图1g，在钝化层170的上方，通过一道光罩蚀刻得到透明电极层180。

总共使用了七道光罩。

下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。

参考图2a至图4所示，本发明实施例公开了一种显示面板100的制作方法，包括：

在基板110上依次形成第一金属层120、缓冲层130和氧化物膜层140；

通过半色调掩膜在所述氧化物膜层140上形成栅极绝缘层150；

在所述栅极绝缘层150上形成第二层金属，并通过同一道光罩制程蚀刻第二层金属得到栅极层161、以及通过氧化物膜层140连接的源极层162和漏极层163；

在所述栅极层161、源极层162和漏极层163的上方依次形成钝化层170和透明电极层180。

其中，基板110为玻璃基板110。

本方案中，对自对准的顶栅结构进行改善，利用半色调掩膜形成栅极绝缘层150，如此，在栅极绝缘层150上溅渡一层金属为第二层金属，并通过同一道光罩制程蚀刻，即可同时形成栅极层161、源极层162和漏极层163，由七道光罩变为六道光罩,减少了一道光罩,节省一道曝光显影时间，达到节约成本及提升产能的目的。

本实施例可选的，参考图2c和图2d，所述通过半色调掩膜在所述氧化物膜层140上形成栅极绝缘层150，在所述栅极绝缘层150上形成第二层金属，并通过同一道光罩制程蚀刻第二层金属得到栅极层161、以及通过氧化物膜层140连接的源极层162和漏极层163的步骤包括：

通过半色调掩膜在所述氧化物膜层140上形成包括中部151、第一侧部152、第二侧部153和镂空部的栅极绝缘层150，所述栅极绝缘层150的中部151高度高于第一侧部152和第二侧部153的高度，所述镂空部分别形成在中部151和第一侧部152，以及中部151和第二侧部153之间，所述第一侧部152和第二侧部153的高度是相当的；

在栅极绝缘层150上形成第二层金属；

通过同一道光罩制程蚀刻第二层金属，得到位于栅极绝缘层150的中部151上方的栅极层161；

同时，得到位于所述栅极绝缘层150第一侧部152上方的源极层162，以及第二侧部153上方的漏极层163；

形成的所述源极层162和漏极层163，与所述栅极层161绝缘。

本方案中，在源极层162、栅极层161和漏极层163形成之前，栅极绝缘层150包括中部151、第一侧部152和第二侧部153，所述栅极绝缘层150的中部151的高度高于第一侧部152和第二侧部153的高度，使得栅极绝缘层150的中部151与第一侧部152和第二侧部153之间存在段差，可避免短路的情况发生；另外，所述镂空部分别形成在中部151和第一侧部152，以及中部151和第二侧部153之间，由于镂空部的设置，可以避免短路的问题，保证绝缘，保证了tft的开关性能。

参考图2d，其中，所述在栅极绝缘层150上金属溅渡形成第二层金属，并蚀刻得到栅极层161、源极层162和漏极层163的步骤中，所述漏极层163由栅极绝缘层150中部151的一侧往远离栅极层161的方向延伸，所述源极层162由栅极绝缘层150中部151的另一侧往远离栅极层161的方向延伸。

本实施例可选的，所述通过同一道光罩制程蚀刻第二层金属，得到位于栅极绝缘层150的中部151上方的栅极层161的步骤中，所述栅极层161位于所述中部151上方的中间位置，且所述栅极层161的宽度小于中部151的宽度。

本方案中，栅极层161位于与栅极绝缘层150的中部151上方的中间位置，栅极层161的宽度小于栅极绝缘层150的中部151的宽度，源极层162和漏极层163分别位于栅极绝缘层150两侧部上方的，可以减少栅极层161和漏极层163之间产生的寄生电容，以及栅极层161和源极层162之间产生的寄生电容。

参考图2b，本实施例可选的，所述在基板110上依次形成第一金属层120、缓冲层130和氧化物膜层140的步骤包括：

在基板110上形成第一层金属，并通过一道光罩蚀刻第一层金属形成第一金属层120；

在所述第一金属层120上沉积形成缓冲沉积层，并在缓冲沉积层上沉积形成氧化物膜沉积层；

通过同一道光罩制程蚀刻缓冲沉积层和氧化物膜沉积层，得到覆盖第一金属层120四周的缓冲层130和氧化物膜层140。

本方案中，在第一金属层120上形成缓冲层130，缓冲层130覆盖住第一金属层120的四周，相对于缓冲层130未将第一金属层120全面覆盖时来说，缓冲层130覆盖住第一金属层120的四周可以更好的绝缘。

本实施例可选的，参考图3，所述在基板110上依次形成第一金属层120、缓冲层130和氧化物膜层140包括：

在基板110上得到第一层金属，并通过一道光罩蚀刻形成第一金属层120；

在所述第一金属层120上沉积形成缓冲沉积层，并在缓冲层130上沉积形成氧化物膜沉积层；

通过一道光罩形成缓冲层130和氧化物膜层140；

所述第一金属层120、缓冲层130和氧化物膜层140的宽度相当，相当指的是，两者的宽度差在预设的阈值之内，即认为两者的宽度相当；实际上，位于下方的一层会比位于上方的一层稍微大一点点。

实际上，由于蚀刻的问题，该缓冲层130会略大于氧化物膜层140，该第一金属层120会略大于该缓冲层130，这都是正常情况；甚至，本身就设计使得该缓冲层130大于氧化物膜层140，该第一金属层120大于该缓冲层130也是可以的。

本方案中，所述第一金属层120、缓冲层130和氧化物膜层140的宽度相当，在制程的过程，蚀刻方便。

作为本发明的另一实施例，参考图2a至图2f和图4所示，公开了一种显示面板100的制作方法，包括：

s41：在基板110上形成第一层金属，并通过一道光罩蚀刻形成第一层金属形成第一金属层120；

s42：在所述第一金属层120上沉积形成缓冲沉积层，并在缓冲沉积层上沉积形成氧化物膜沉积层；

通过同一道光罩制程蚀刻缓冲沉积层和氧化物膜沉积层，得到覆盖第一金属层120四周的缓冲层130和氧化物膜层140；

s43：通过半色调掩膜在所述氧化物膜层140上形成包括中部151、第一侧部152、第二侧部153和镂空部的栅极绝缘层150，所述栅极绝缘层150的中部151高度高于第一侧部152和第二侧部153的高度，所述镂空部分别形成在中部151和第一侧部152，以及中部151和第二侧部153之间；

s44：在栅极绝缘层150上形成第二层金属；

通过同一道光罩蚀刻第二层金属，得到位于栅极绝缘层150的中部151上方的栅极层161；

同时，得到位于所述栅极绝缘层150第一侧部152上方的源极层162，以及第二侧部153上方的漏极层163；

形成的所述源极层162和漏极层163，与所述栅极层161绝缘；

所述栅极层161位于所述中部151上方的中间位置，且所述栅极层161的宽度小于中部151的宽度；

s45：在所述栅极层161、源极层162和漏极层163的上方依次形成钝化层170和透明电极层180。

本方案中，对自对准的顶栅结构进行改善，利用半色调掩膜形成中间高两侧部低且中部151和两侧部之间分别形成镂空部的栅极绝缘层150，如此，在栅极绝缘层150上溅渡一层金属为第二层金属，并通过同一道光罩制程蚀刻，即可同时形成栅极层161、源极层162和漏极层163，减少一道光罩,由七道光罩变为六道光罩,节省一道曝光显影时间，达到节约成本及提升产能的目的；并且该源极层162和漏极层163，同该栅极层161之前，由于断差结构和镂空部的设置，可以避免短路的问题，保证绝缘，保证了tft的开关性能。

作为本发明的另一实施例，参考图2a至图2f所示，公开了一种显示面板100，包括：

第一基板110，所述第一基板110的上方依次设置有第一金属层120、缓冲层130和氧化物膜层140；

栅极绝缘层150，位于所述氧化物膜层140的上方；

栅极层161，形成在所述栅极绝缘层150上方的中部151；

源极层162和漏极层163，形成在所述栅极绝缘层150上方、位于所述栅极层161的两侧；

钝化层170和透明电极层180，依次形成在所述栅极层161、源极层162和漏极层163的上方；

所述源极层162和漏极层163，与所述栅极层161绝缘；所述源极层162和漏极层163通过所述氧化物膜层140连接；

所述栅极层161、源极层162和漏极层163通过同一道光罩制程形成。

本方案中，对自对准的顶栅结构进行改善，在栅极绝缘层150上溅渡一层金属为第二层金属，并通过同一道光罩制程蚀刻，即可同时形成栅极层161、源极层162和漏极层163，栅极层161、源极层162和漏极层163可在半色调光罩形成的栅极绝缘层150结构上一起完成，减少一道光罩,由七道光罩变为六道光罩,节省一道曝光显影时间，达到节约成本及提升产能的目的。

本实施例可选的，所述栅极绝缘层150包括中部151、第一侧部152和第二侧部153，所述中部151的厚度大于所述第一侧部152和第二侧部153的厚度；

所述栅极绝缘层150还包括形成在所述中部151和第一侧部152之间的第一镂空部154，以及形成在所述中部151和第二侧部153之间的第二镂空部155；

所述栅极层161形成在所述中部151上方；

所述源极层162形成在所述第一侧部152的上方，并通过所述第一镂空部154连接于所述氧化物膜层140；

所述漏极层163形成在所述第二侧部153的上方，并通过所述第二镂空部155连接于所述氧化物膜层140；

所述栅极层161、源极层162和漏极层163由同一金属层，通过同一道光罩制程形成。

本方案中，在源极层162、栅极层161和漏极层163形成之前，栅极绝缘层150包括中部151、第一侧部152和第二侧部153，所述栅极绝缘层150的中部151的高度高于第一侧部152和第二侧部153的高度，使得栅极绝缘层150的中部151与第一侧部152和第二侧部153之间存在段差，可避免短路的情况发生；另外，所述镂空部分别形成在中部151和第一侧部152，以及中部151和第二侧部153之间，由于镂空部的设置，可以避免短路的问题，保证绝缘，保证了薄膜晶体管的开关性能。

本实施例可选的，所述栅极层161位于所述中部151上方的中间位置，且所述栅极层161的宽度小于所述中部151的宽度。

本方案中，栅极层161位于与栅极绝缘层150的中部151上方的中间位置，栅极层161的宽度小于栅极绝缘层150的中部151的宽度，源极层162和漏极层163分别位于栅极绝缘层150两侧部上方的，可以减少栅极层161和漏极层163之间产生的寄生电容，以及栅极层161和源极层162之间产生的寄生电容。

本实施例可选的，第一金属层120的两侧镂空，缓冲层130覆盖住第一金属层120的上表面及两侧镂空的部分。

在第一金属层120上形成缓冲层130，缓冲层130覆盖住第一金属层120的四周，相对于缓冲层130未将第一金属层120全面覆盖时来说，缓冲层130覆盖住第一金属层120的四周可以更好的绝缘。

本发明的面板可以是tn面板(全称为twistednematic，即扭曲向列型面板)、ips面板(in-planeswitching，平面转换)、va面板(multi-domainverticalalignment，多象限垂直配向技术)，当然，也可以是其他类型的面板，适用即可。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。