跨线结构及其制作方法、显示面板与流程

本发明涉及显示领域，特别是涉及一种跨线结构及其制作方法、显示面板。

背景技术：

在显示面板行业，面板内的不同功能，不同层别的走线设计有数以百万条，走线和走线之间亦会有无数个位置会发生跨线交叠。

以液晶显示器为例，通常在上层导线层和下层导线层的跨线处，由于下层导线层有厚度和坡度角，在上层导线层镀膜时，坡度角上的膜厚会比非跨线平坦处的膜厚要薄。在上层导线层镀膜完成后，需要进行光阻镀膜，由于光阻的流平性，光阻在坡度角和跨线金属上方上的膜厚会比非跨线平坦处的膜厚要薄，曝光时，光阻比较薄的地方曝光后留下来的光阻会比较细。蚀刻的时候，细的光阻下面被酸刻蚀的更多，在加上坡度较上的上层导线层镀膜比较薄，就容易被酸刻蚀的比较细，严重的会断掉，导致信号传输出现异常，降低了面板的品质。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题是提供一种能有效防止跨线结构断线导致信号传输异常的跨线结构及其制作方法、显示面板。

为实现本发明的目的，本发明采用如下技术方案：

一种跨线结构的制作方法，包括如下步骤：

提供基板，并在所述基板上沉积第一导电物质，并将所述第一导电物质刻蚀得到第一导电层；

在所述第一导电层上依次沉积第二导电物质和光阻物质；

通过光罩将不需要形成第二导电层的位置的部分光阻物质去除；

将未蚀刻的部分光阻物质作为阻挡层，对第二导电物质进行蚀刻；

去除未蚀刻的部分光阻物质，得到第二导电层，所述第二导电层与所述第一导电层交叠设置；

其中，通过对光罩图形进行补偿使得第二导电层上与所述第一导电层交叠部分的宽度大于或等于未与所述第一导电层交叠部分的宽度。

在其中一个实施例中，作为阻挡层的所述未蚀刻的部分光阻物质的结构包括依次连接的平坦段m1、斜坡段p1、平坦段m2、斜坡段p2和平坦段m3，所述斜坡段p1、平坦段m2和斜坡段p2位于所述第一导电层与所述第二导电层的投影重合处，所述斜坡段p1的宽度分别大于所述平坦段m1、平坦段m2和平坦段m3的宽度，且所述斜坡段p2的宽度分别大于所述平坦段m1、平坦段m2和平坦段m3的宽度。

在其中一个实施例中，所述平坦段m1的宽度小于所述平坦段m2的宽度，且所述平坦段m3的宽度小于所述平坦段m2的宽度。

在其中一个实施例中，所述第一导电层的结构包括依次连接的平坦段m4、平坦段m5和平坦段m6，所述平坦段m5的宽度分别小于所述平坦段m4和平坦段m6的宽度，且所述平坦段m5位于所述第一导电层和所述第二导电层的投影重合处。

在其中一个实施例中，所述第一导电层为第一金属层，所述第二导电层为第二金属层或铟锡金属氧化层。

在其中一个实施例中，所述第一导电层用来形成栅极走线，第二层导电层用来形成源极和漏极走线。

在其中一个实施例中，所述第一导电层与所述第二导电层垂直设置。

为实现本发明的目的，本发明还采用了如下技术方案:

一种跨线结构的制作方法，包括如下步骤：

提供基板，并在所述基板上沉积第一导电物质，并将所述第一导电物质刻蚀得到第一导电层，所述第一导电层用来形成栅极走线；

在所述第一导电层上依次沉积第二导电物质和光阻物质；

通过光罩将不需要形成第二导电层的位置的部分光阻物质去除；

将未蚀刻的部分光阻物质作为阻挡层，对第二导电物质进行蚀刻；

去除未蚀刻的部分光阻物质，得到第二导电层，第二导电层用来形成源极和漏极走线，所述第二导电层与所述第一导电层垂直设置；

其中，通过对光罩图形进行补偿使得第二导电层上与所述第一导电层交叠部分的宽度大于或等于未与所述第一导电层交叠部分的宽度。

一种跨线结构，所述跨线结构采用如上所述的跨线结构的制作方法制作得到。

一种显示面板，包括如上所述的跨线结构。

上述的跨线结构的制作方法，通过对光罩图形进行补偿使得第二导电层上与第一导电层交叠部分的宽度大于或等于未与第一导电层交叠部分的宽度，解决了传统的跨线结构的制作方法中由于下层导线层有厚度和坡度角，在上层导线层镀膜时，坡度角上的膜厚会比非跨线平坦处的膜厚要薄；在上层导线层镀膜完成后，进行光阻镀膜时，由于光阻的流平性，光阻在坡度角和跨线金属上方上的膜厚会比非跨线平坦处的膜厚要薄；曝光时，光阻比较薄的地方曝光后留下来的光阻会比较细；蚀刻的时候，细的光阻下面被酸刻蚀的更多，在加上坡度较上的上层导线层镀膜比较薄，就容易被酸刻蚀的比较细，严重的会断掉，导致信号传输出现异常的问题。

附图说明

图1为一实施例中跨线结构的制作方法的流程图；

图2为一实施例中步骤s11的结构俯视图；

图3为一实施例中步骤s12的结构俯视图；

图4为一实施例中步骤s13的结构俯视图；

图5为一实施例中步骤s14的结构俯视图；

图6为另一实施例中步骤s15的结构俯视图；

图7为一实施例中未蚀刻的部分光阻物质的纵截面图；

图8a为一实施例中未蚀刻的部分光阻物质的俯视图；

图8b为另一实施例中未蚀刻的部分光阻物质的俯视图；

图9为一实施例中第一导电层的俯视图；

图10为另一实施中跨线结构的制作方法的流程图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的首选实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。在本发明的描述中，“若干”的含义是至少一个，例如一个，两个等，除非另有明确具体的限定。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方法或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

参见图1，图1为一实施例中跨线结构的制作方法的流程图。

一种跨线结构的制作方法，包括如下步骤：

步骤s10：提供基板，并在基板上沉积第一导电物质，并将第一导电物质刻蚀得到第一导电层。具体地，基板可以为玻璃基板或柔性基板。

参见图2，图2为一实施例中步骤s11的结构俯视图，步骤s11：在第一导电层100上依次沉积第二导电物质200和光阻物质300。具体地，沉积的光阻物质300完全覆盖于第二导电物质200上，沉积的第二导电物质200完全覆盖于第一导电层100上。其中，光阻物质可以为正向光阻或负向光阻。

参见图3，图3为一实施例中步骤s12的结构俯视图，步骤s12：通过光罩将不需要形成第二导电层的位置的部分光阻物质去除。具体地，本实施例中采用的光阻物质300为正向光阻时，将需要形成第二导电层的位置通过光罩覆盖，通过光照，使得不需要形成第二导电层上的光阻物质溶于光阻显影液中，同时配合通过光阻剥膜液将不需要形成第二导电层的位置的部分光阻物质去除。

参见图4，图4为一实施例中步骤s13的结构俯视图，步骤s13：将未蚀刻的部分光阻物质310作为阻挡层，对第二导电物质200进行蚀刻。具体地，将未蚀刻的部分光阻物质310作为阻挡层，将已蚀刻部分光阻物质后暴露的第二导电物质进行蚀刻。

参见图5，图5为一实施例中步骤s14的结构俯视图，步骤s14：去除未蚀刻的部分光阻物质310，得到第二导电层210，第二导电层210与第一导电层100交叠设置。通过和光反应，将未蚀刻的部分光阻物质310去除，得到第二导电层210。

参见图6，图6为一实施例中步骤s15的结构俯视图，步骤s15：其中，通过对光罩图形进行补偿使得第二导电层210上与第一导电层100交叠部分211的宽度大于或等于未与第一导电层100交叠部分的宽度。

上述的跨线结构的制作方法，通过对光罩图形进行补偿使得第二导电层210上与第一导电层100交叠部分211的宽度大于或等于未与第一导电层100交叠部分的宽度，解决了由于下层导线层有厚度和坡度角，在上层导线层镀膜时，坡度角上的膜厚会比非跨线平坦处的膜厚要薄；在上层导线层镀膜完成后，进行光阻镀膜时，由于光阻的流平性，光阻在坡度角和跨线金属上方上的膜厚会比非跨线平坦处的膜厚要薄；曝光时，光阻比较薄的地方曝光后留下来的光阻会比较细；蚀刻的时候，细的光阻下面被酸刻蚀的更多，在加上坡度较上的上层导线层镀膜比较薄，容易被酸刻蚀的比较细，严重的会断掉，导致信号传输出现异常的问题。

在一个实施中，参见图7，图7为一实施例中未蚀刻的部分光阻物质的纵截面图，作为阻挡层的未蚀刻的部分光阻物质310的结构包括依次连接的平坦段m1、斜坡段p1、平坦段m2、斜坡段p2和平坦段m3，参见图8a，图8a为一实施例中未蚀刻的部分光阻物质的俯视图，斜坡段p1、平坦段m2和斜坡段p2位于第一导电层100与第二导电层210的投影重合处，斜坡段p1的宽度分别大于平坦段m1、平坦段m2和平坦段m3的宽度，且斜坡段p2的宽度分别大于平坦段m1、平坦段m2和平坦段m3的宽度。其中，斜坡段p1和斜坡段p2的加宽设计可以解决坡度角上沉积的第二导电层210和光阻物质太薄，刻蚀时，坡度角上的光阻物质被刻蚀较多，造成坡度角上的第二导电层210变细，导致断线的问题。因此，通过对光罩图形进行补偿，使得第二导电层210上的光阻物质斜坡段变宽，可以减小刻蚀时处于斜坡上的第二导电层210过细导致断线的问题。

在一个实施例中，参见图8b，图8b为另一实施例中未蚀刻的部分光阻物质的俯视图，平坦段m1的宽度小于平坦段m2的宽度，且平坦段m3的宽度小于平坦段m2的宽度。在本实施例中，通过光罩图像的补偿使得未蚀刻的部分光阻物质上的平坦段m2变宽，即平坦段m2、斜坡段p1和斜坡段p2同时加宽，也可以可以达到减小刻蚀时处于斜坡上的第二导电层210过细导致断线的问题。

进一步地，参见图9，图9为一实施例中第一导电层的俯视图，第一导电层100的结构包括依次连接的平坦段m4、平坦段m5和平坦段m6，平坦段m5的宽度分别小于平坦段m4和平坦段m6的宽度，且平坦段m5位于第一导电层100和第二导电层210的投影重合处。由于投影重合上方的第二导电层210设计的比平坦位置宽，会导致重合位置电容比较大，将第一导电层在重合位置的宽度减小，避免因为重合处的第二导电层的宽度过大导致电容变大的影响。

进一步地，第一导电层100为第一金属层，第二导电层210为第二金属层或铟锡金属氧化层。其中，第一金属层100和第二金属层210的材料包括铝、铜、钛、钨、钼及以上金属的组合中的至少一种，且第一导电层100和第二导电层210为双层结构，可以有效降低走线的阻抗。

具体地，第一导电层100用来形成栅极走线，第二导电层210用来形成源极和漏极走线。其中，薄膜晶体管均包括栅极、源极和漏极，因此，第一导电层100可以用来形成栅极，第二导电层210可以用来形成源极和漏极。

具体地，第一导电层100与第二导电层210垂直设置。第一导电层100与第二导电层210垂直设置，通过减少了传输导线的长度，有效降低了跨线结构在传输信号时的损耗。

为实现本发明的目的，本发明还采用了如下技术方案:

参见图10，图10为另一实施中跨线结构的制作方法的流程图。

一种跨线结构的制作方法，包括如下步骤：

步骤s20：提供基板，并在基板上沉积第一导电物质，并将第一导电物质刻蚀得到第一导电层，第一导电层用来形成栅极走线；

步骤s21：在第一导电层的上依次沉积第二导电物质和光阻物质；

步骤s22：通过光罩将不需要形成第二导电层的位置的部分光阻物质去除；

步骤s23：将未蚀刻的部分光阻物质作为阻挡层，对第二导电物质进行蚀刻；

步骤s24：去除未蚀刻的部分光阻物质，得到第二导电层，第二层导电层用来形成源极和漏极走线，第二导电层与第一导电层垂直设置；

步骤s25：其中，通过对光罩图形进行补偿使得第二导电层上与第一导电层交叠部分的宽度大于或等于未与第一导电层交叠部分的宽度。

上述的跨线结构的制作方法，通过对光罩图形进行补偿使得第二导电层210上与第一导电层100交叠部分211的宽度大于或等于未与第一导电层100交叠部分的宽度，解决了由于下层导线层有厚度和坡度角，在上层导线层镀膜时，坡度角上的膜厚会比非跨线平坦处的膜厚要薄；在上层导线层镀膜完成后，进行光阻镀膜时，由于光阻的流平性，光阻在坡度角和跨线金属上方上的膜厚会比非跨线平坦处的膜厚要薄；曝光时，光阻比较薄的地方曝光后留下来的光阻会比较细；蚀刻的时候，细的光阻下面被酸刻蚀的更多，在加上坡度较上的上层导线层镀膜比较薄，就容易被酸刻蚀的比较细，严重的会断掉，导致信号传输出现异常的问题。

一种跨线结构，跨线结构采用如上所述的跨线结构的制作方法制作得到。

上述的跨线结构，采用上述的跨线结构的制作方法制作得到，有效解决了跨线结构断线导致信号传输异常的问题。

一种显示面板，包括如上所述的跨线结构。

上述的显示面板，包括上述的跨线结构，有效解决了显示面板中的薄膜晶体管因传输线出现断线导致信号传输异常的问题。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。