本发明涉及晶闸管，尤其涉及一种基于光电集成的光控功率晶闸管的制作方法。
背景技术：
晶闸管元件(thyristor)是一种用来保护电路(circuitry)的电子元件，其能使电路中的电子元件免于遭受不可预期的电压突波(surge)所干扰或破坏，其中电压突波例如是静电放电、雷电感应以及感应电压。因此，现今晶闸管元件被应用于许多电子装置，例如数据机、通用性串行总线(universalserialbus，usb)、非对称数字用户回路(asymmetricdigitalsubscriberline，adsl)、路由器(router)以及数字视频转换盒(set-topbox，stb)等。
现有的晶闸管制作方法效率较低，使用寿命短。
技术实现要素：
本发明的目的提供一种基于光电集成的光控功率晶闸管，解决上述现有技术问题中的一个或者多个。
根据本发明的一个方面，提供一种基于光电集成的光控功率晶闸管，包括以下制作步骤：
s1、在p-离子的半导体衬底内进行n-离子和p-离子的注入，制作第一p阱、第一n阱；在n-离子的半导体衬底内进行p-离子和n-离子的注入，制作第二p阱、第二n阱；
s2、第一次加热处理进行第一、二p阱与第一、二n阱的结推进；
s3、将第一p阱和第二n阱进行导电粘结，将第二p阱和第一n阱进行导电粘结；
s4、在两个所述p阱与所述n阱中注入n+离子和p+离子；
s5、第二次加热处理激活所述n+离子和所述p+离子；
s6、对半导体衬底进行深槽隔离。
在一些实施方式中：所述第一次加热处理的温度为1050℃，加热时间为20min，之后依次进行慢速退火和快速退火。
在一些实施方式中：所述慢速退火将温度降至600℃，退火时间为7min。
在一些实施方式中：所述快速退火温度降至常温，退火时间为30s。
在一些实施方式中：所述第二次加热处理的温度为850℃，加热时间为10min，之后依次进行快速退火和慢速退火
在一些实施方式中：所述快速退火温度降至500℃，退火时间为20s。
在一些实施方式中：所述慢速退火将温度降至常温，退火时间为5min。
本发明的晶闸管使用寿命长，制作方法简单，制作效率高。
具体实施方式
下面对本发明作进一步详细说明。
一种基于光电集成的光控功率晶闸管，包括以下制作步骤：
s1、在p-离子的半导体衬底内进行n-离子和p-离子的注入，制作第一p阱、第一n阱；在n-离子的半导体衬底内进行p-离子和n-离子的注入，制作第二p阱、第二n阱；
s2、第一次加热处理进行第一、二p阱与第一、二n阱的结推进；
s3、将第一p阱和第二n阱进行导电粘结，将第二p阱和第一n阱进行导电粘结；
s4、在两个所述p阱与所述n阱中注入n+离子和p+离子；
s5、第二次加热处理激活所述n+离子和所述p+离子；
s6、对半导体衬底进行深槽隔离。
第一次加热处理的温度为1050℃，加热时间为20min，之后依次进行慢速退火和快速退火。
慢速退火将温度降至600℃，退火时间为7min。
快速退火温度降至常温，退火时间为30s。
第二次加热处理的温度为850℃，加热时间为10min，之后依次进行快速退火和慢速退火
快速退火温度降至500℃，退火时间为20s。
慢速退火将温度降至常温，退火时间为5min。
综上所述，本发明的晶闸管使用寿命长，制作方法简单，制作效率高。
以上所述仅是本发明的一种实施方式，应当指出，对于本领域普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干相似的变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围之内。