技术特征：
技术总结
本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法，所述薄膜晶体管包括基板，缓冲层，有源层和栅极绝缘层，所述有源层形成硅岛图案后，利用离子植入掺杂技术对无光阻保护的所述有源层侧面区域掺杂改性，将其表层变为高电阻区域，再利用化学沉积工艺制备栅极绝缘层，由于干法刻蚀形成的所述有源层侧面具有一定倾斜角度，因此在其上沉积的所述栅极绝缘层较其他位置偏薄，将所述有源层侧面区域制作成高电阻结构，避免了因所述栅极绝缘层偏薄导致的工作时边缘非故意开启形成弱沟道电流，改善边界效应，提高了所述薄膜晶体管电学可靠性。
技术研发人员：聂晓辉;张嘉伟
受保护的技术使用者：武汉华星光电技术有限公司
技术研发日：2018.11.30
技术公布日：2019.04.16