技术特征：
技术总结
本发明涉及抗辐照技术领域，尤其涉及SOI器件及其制作方法，包括：氧化埋层位于衬底中，加热电阻、源极、栅极、漏极和隔离层位于氧化埋层的上方，隔离层环绕源极和漏极的外侧设置，隔离层和氧化埋层之间具有导热层，加热电阻环绕隔离层的外侧设置，加热电阻具有用于施加电压的第一电阻端口和第二电阻端口。本发明通过在SOI器件中设置加热电阻，利用加热电阻能够实现对器件的加热，提高SOI器件的温度，以改善SOI器件的抗总剂量性能，同时，由于施加在加热电阻上的电压可以动态调节，进而通过动态调节加热电阻上的电压还能够实现动态地对SOI器件的抗总剂量能力进行调节的技术效果，改善SOI器件的抗总剂量性能。
技术研发人员：卜建辉;罗家俊;王成成;高见头;赵发展;李多力;韩郑生
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2018.12.03
技术公布日：2019.05.10