技术特征：
技术总结
本发明提供了一种层结构复合材料及其制备方法，由于采用表面化学的方式进行了界面处理，提升了材料性能的同时避免了杂质引起的功能缺陷，具体的制备方法为：将抛光后的GaN衬底进行清洗处理；用酸清除氮化镓表面的原生氧化物；在原子层沉积仪中，以惰性气体为载气体，衬底温度为250‑350℃，用三甲基铝处理衬底其中一个表面；在原子层沉积仪中以惰性气体为载气体，利用铝源和氧源，衬底温度为250‑350℃，沉积氧化铝介质层；在氧化铝介质层镀上金属膜。
技术研发人员：刘新科;胡聪;王佳乐;敖金平
受保护的技术使用者：深圳大学
技术研发日：2018.12.17
技术公布日：2019.04.16