显示面板及其制作方法与流程

本发明涉及显示领域，具体涉及一种显示面板及其制作方法。

背景技术：

显示面板包括显示区域和非显示区域。显示区域具有薄膜晶体管阵列，以及相间隔的数据线与栅极线所组成的相交错阵列；非显示区域设置于显示区域的外侧，具有对阵列基板进行电性测试的阵列测试电路、覆晶薄膜(cof)以及测试点(testpad)。

如图1所示，在显示面板的生产过程中，需要在显示面板上设置阵列测试(array测试)电路以在阵列基板完成后对进行阵列测试。通常的，阵列测试电路位于测试点(testpad)和覆晶薄膜(cof)之间。对阵列基板进行测试时，测试信号由测试点(testpad)写入，经过测试电路传输入显示区域对阵列基板进行测试。在阵列测试结束后，将测试电路中的控制器件关闭。测试信号由邦定在覆晶薄膜(cof)上的柔性电路板(fpc)提供。显示面板中由于测试电路的存在，会增加显示面板结构的复杂程度，而且会提高静电损伤发生率。因此，目前亟需一种显示面板及其制作方法以解决上述问题。

技术实现要素：

本发明提供了一种显示面板及其制作方法，以解决显示面板中由于测试结构被切除后部分金属走线裸露被侵蚀，进而影响显示面板品质的问题。

本发明提出了一种显示面板的制作方法，包括如下步骤：

步骤s10、提供一基板，所述基板包括显示区域和设置在所述显示区域外侧的非显示区域，所述非显示区域内设置有覆晶薄膜和测试结构；

所述测试结构包括：

位于所述覆晶薄膜远离所述显示区域的一侧的测试点；

位于所述测试点与所述覆晶薄膜之间的测试电路，包括连接所述覆晶薄膜和所述测试点的信号走线，所述信号走线包括相互连接的非金属走线和金属走线，所述信号走线上设置有切割线；

步骤s20、通过所述测试结构对所述基板的显示区域进行测试；

步骤s30、沿着所述切割线将所述测试点除掉，形成显示面板；

其中，所述显示面板的信号走线包括非金属走线。

根据本发明一优选实施例，在步骤s10中，所述信号走线包括两端的金属走线和中间的非金属走线，所述金属走线包括与所述覆晶薄膜连接的第一金属走线和与所述测试点连接点相连的第二金属走线，所述切割线位于所述非金属走线范围内。

根据本发明一优选实施例，所述切割线与所述非金属走线相交，所述切割线至所述非金属走线两端的距离均大于或等于100微米。

根据本发明一优选实施例，所述切割线与所述第二金属走线相交，所述非金属走线的长度为100微米至150微米。

根据本发明一优选实施例，所述基板包括层叠设置的衬底、多晶硅层、缓冲层和金属层；

所述非金属走线位于所述多晶硅层，所述金属走线位于所述金属层，所述缓冲层上设置有过孔，所述非金属走线通过所述过孔与所述金属走线电连接以形成信号走线。

根据本发明一优选实施例，所述基板还包括平坦化层，所述平坦化层中存在凹槽，所述覆晶薄膜和所述测试点设置于所述凹槽中。

根据本发明一优选实施例，所述非金属走线的制备材料包括多晶硅，所述金属走线为栅极走线、源漏极走线和透明金属走线中的其中一者。

根据本发明一优选实施例，所述测试点与所述覆晶薄膜一一对应。

根据本发明一优选实施例，m个相邻的所述覆晶薄膜形成一个覆晶薄膜组，所述测试点与所述覆晶薄膜组一一对应，m为大于或等于1的整数；

所述测试电路包括与所述覆晶薄膜数目相同的晶体管，所述晶体管与所述覆晶薄膜一一对应，所述晶体管与所述第二金属走线电连接；

在所述覆晶薄膜组中，从左往右数序号相同的所述覆晶薄膜所对应的晶体管相互电连接以形成晶体管组，所述测试电路通过所述晶体管组的开关和闭合控制所述显示区域的测试。

根据本发明的另一个方面，还提供了一种显示面板，包括：显示区域和包围所述显示区域的非显示区域；

所述显示区域包括：

衬底；

设置在所述衬底上的多晶硅层，所述多晶硅层包括非金属走线；

设置在所述多晶硅层上的缓冲层，所述缓冲层内设置有过孔；

设置在所述缓冲层上的平坦化层，所述平坦化层设置有凹槽；

设置在所述缓冲层上的金属层，所述金属层包括金属走线，所述金属走线通过所述过孔与所述非金属走线电连接，所述金属走线位于所述凹槽内；

所述非显示区域包括覆晶薄膜和避免所述金属走线被侵蚀的非金属走线，所述覆晶薄膜与所述非金属走线和所述金属走线的其中一者电连接。

本发明的优点是，提供了一种显示面板及其制作方法，通过将信号走线设置为金属走线和非金属走线相结合的方式，使得在完成显示面板测试后，能够在不侵蚀金属线路的前提下，将测试点去掉以简化显示面板的结构，降低静电损伤的发生率。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中显示面板的测试结构的结构示意图；

图2为本发明实施例中显示面板制作方法的流程示意图；

图3为本发明实施例中显示面板中测试结构被切割前的结构示意图；

图4为本发明实施例中显示面板的结构示意图；

图5为本发明另一实施例中显示面板的结构示意图；

图6为本发明中另一实施例中显示面板中测试结构被切割前的结构示意图；

图7为本发明中另一实施例中显示面板的结构示意图；

图8在本发明中又一实施例中显示面板中测试结构被切割前的结构示意图；

图9在本发明中又一实施例中显示面板中测试结构被切割前的结构示意图；

图10为本发明中显示面板的部分结构示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。

本发明提供了一种显示面板的测试结构，以解决显示面板中由于测试结构被切除后部分金属走线裸露被侵蚀，进而影响显示面板品质的问题，本实施例能够改善该缺陷。

下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步的说明：

如图2所示，本发明提供了一种显示面板的制作方法，包括：

如图3所示，步骤s10、提供一基板，所述基板2包括显示区域21和设置在所述显示区域21外侧的非显示区域22，所述非显示区域22内设置有覆晶薄膜221和测试结构；

所述覆晶薄膜221，用于生成测试信号，通常的，所述覆晶薄膜221包括：衬底和设置在衬底上的柔性电路板，所述测试信号在柔性电路板上生成；

所述测试结构包括：

测试点223和测试电路222；

所述测试点223，用于接收所述测试信号并将所述将测试信号传输到所述显示区域21，所述测试点223位于所述覆晶薄膜221远离所述显示区域21的一侧；可以理解的是，测试点223主要是用来测试显示区域的，在对显示区域测试后，所述测试点223可以被去掉，以简化显示面板的结构，这也是本发明的技术特征之一。

所述测试电路，设置于所述测试点223与所述覆晶薄膜221之间，包括连接所述覆晶薄膜221和所述测试点223的信号走线222；

其中，所述信号走线222包括，所述信号走线222包括相互连接的非金属走线222a和金属走线222b，所述信号走线222上设置有切割线23。

在本发明中，通过将信号走线设置为金属走线222a和非金属走线222b相混合的方式，在切割完测试点后，能够在信号走线222中留出一段用于防止金属走线222a被空气中水氧侵蚀的非金属走线222b，以提高显示面板的耐用性。

进一步的，所述测试结构还包括一切割线23，在所述测试结构对所述显示面板测试完成后，用于按切割线23切割以除去所述测试点223，为了更加形象的说明，我们可以将显示面板的非显示区域22设置为保留区和切割区，所述保留区和所述切割区由所述切割线23界定，所述测试点223所在的区域为切割区。

具体的，所述切割线23的切割方法为镭射切割。

步骤s20、通过所述测试结构对所述基板的显示区域21进行测试；

步骤s30、沿着所述切割线23将所述测试点223除掉，形成显示面板；

如图4和5所示为本发明实施例中显示面板的测试结构中测试点被去掉后的结构示意图，即显示面板的结构示意图。

由于在对所述显示区域21进行测试时，需要采用信号走线222进行信号传输，因此，所述非金属走线222b在保证其抗水氧性的同时，还需要保证其导电性，以减少所述非金属走线222b的阻抗；所以在进行非金属走线222b设计的时候，需要使得非金属走线222b尽可能的短；但是由于考虑在对按所述切割线23进行切割时的切割精度，我们需要将非金属走线222b的长度设计在合理的范围内。

具体的，所述切割线23与所述非金属走线222b相交，所述切割线23与所述非金属走线222b两端的距离均大于或等于100微米,即当所述切割线23位于所述非金属走线222b居中位置时，所述非金属走线222b的最小长度为200微米。此时是切割线23设置在所述非金属走线222b上，还有一种实施例是切割线23设置在所述第二金属走线上，这样设计的好处在于，可以缩短非金属走线222b的长度，降低信号走线222的在对显示区域21测试时的阻抗。

如图6所述为本发明中另一实施例中显示面板的测试结构的结构示意图；其中，所述切割线23与所述第二金属走线相交，所述非金属走线222b的长度为100微米至150微米。

如图7所示为本发明中另一实施例中显示面板的测试结构中测试点被去掉的结构示意图。

具体的，所述基板可以包括层叠设置的衬底、多晶硅层、缓冲层和金属层；

在本发明以实施例中，所述非金属走线222b位于所述多晶硅层，所述金属走线222a位于所述金属层，所述缓冲层上设置有过孔，所述非金属走线222b通过所述过孔与所述金属走线222a电连接以形成信号走线222。

这样设置在好处在于，在制备多晶硅层的同时采用同一光罩制备非金属走线222b，在制备金属层时采用同一光罩制备金属走线，在制备缓冲层时采用同一光罩制备过孔，进而不需要额外的工艺来制备信号走线，大大将低了测试结构的制作成本。可以理解的是，本发明的技术方案并不仅限于在缓冲层中制备过孔以将所述金属走线222a和非金属走线222b连接，当所述金属层和所述多晶硅层中还包括其他膜层结构时，所述过孔也相应的贯穿其他层膜结构以达到连接金属走线222a和非金属走线222b的作用。

优选的，所述基板还包括平坦化层，所述平坦化层中存在凹槽，所述覆晶薄膜2221和所述测试点223设置与所述凹槽中，这样在进行显示面板的制备时，可以防止所述覆晶薄膜2221和所述测试点223的突出使其位置不好固定的问题。

进一步的，所述非金属走线222b的制备材料包括多晶硅，所述金属走线222a为栅极走线、源漏极走线和透明金属走线中的其中一者，当然本发明中的金属走线并不仅限于上述举例，只要是显示面板的金属层结构，均可以考虑同步制备本发明中的金属走线222a。

优选的，为了提高非金属走线222b的导电性能，所述多晶硅中掺杂有硼和磷中的至少一者。

具体的，所述测试点223与所述覆晶薄膜221一一对应；但是本发明中所述覆晶薄膜221和所述测试点223的关系并不仅限于一一对应，也可以存在一个测试点223对应多个覆晶薄膜221的情况。

如图8和9所示，在本发明又一实施例中，m个相邻的所述覆晶薄膜221形成一个覆晶薄膜组，所述测试点223与所述覆晶薄膜组一一对应，m为大于或等于1的整数；

所述测试电路包括与所述覆晶薄膜223数目相同的晶体管24a，所述晶体管24a与所述覆晶薄膜223一一对应，所述晶体管24a与所述第二金属走线电连接；

在所述覆晶薄膜组中，从左往右数序号相同的所述覆晶薄膜所对应的晶体管相互电连接以形成晶体管组，所述测试电路通过所述晶体管组的开关和闭合控制所述显示区域21的测试。通过晶体管的引用，可以实现1个测试点221连接多个覆晶薄膜，进而简化显示面板的测试结构的制备工艺。

具体的，对所述显示区域的测试包括阵列测试。

可以理解的是，本发明中由于所述测试点及部分测试电路在完成显示区域21的测试后会被去掉，这一部分不需要封装结构，因此显示区域的测试也可以放在制备工艺的最后进行。

另一方面，由于非金属走线的长度可控，因此能够减小测试电路到覆晶薄膜的阻抗；最后，由于切割后的裸露走线包括非金属走线，因此可以减少水氧对信号走线的侵蚀，进而提升产品良率。

根据本发明的另一个方面，如图4、5、10所示，还提供了一种显示面板，包括：显示区域21和包围所述显示区域的非显示区域22；

所述显示区域21包括：

衬底31；

设置在所述衬底上的多晶硅层，所述多晶硅层包括非金属走线222b；

设置在所述多晶硅层上的缓冲层32，所述缓冲层内设置有过孔；

设置在所述缓冲层上的平坦化层33，所述平坦化层设置有凹槽；

设置在所述缓冲层32上的金属层，所述金属层包括金属走线222a，所述金属走线222a通过所述过孔与所述非金属222b走线电连接，所述金属走线222a位于所述凹槽内；

所述非显示区域22包括覆晶薄膜221和避免所述金属走线222a被侵蚀的非金属走线222b，所述覆晶薄膜221与所述非金属走线222b和所述金属走线222a的其中一者电连接。

所述显示面板的工作原理与所述显示面板的制作方法的工作原理相似，所述显示面板的工作原理具体可以参考所述显示面板的制作方法的工作原理，这里不再赘述。

本发明的优点是，提供了一种显示面板及其制作方法，通过将信号走线设置为金属走线和非金属走线相结合的方式，使得在完成显示面板测试后，能够在不侵蚀金属线路的前提下，将测试点去掉以简化显示面板的结构，降低静电损伤的发生率。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。