技术特征：
技术总结
本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管和显示面板。薄膜晶体管的制作方法步骤包括在第一金属层上沉积第一绝缘层；在第一绝缘层上沉积有源层；在有源层上沉积掺杂层；在掺杂层的表面通入氮气形成第一薄膜。掺杂层与有源层都是半导体，掺杂层体内的每个硅原子周围都有四对共价键，而处于掺杂层表面处的硅原子上方没有其他原子与该硅原子形成共价键，掺杂层表面就形成了一些悬挂键，悬挂键会破坏电子流动，而在掺杂层的表面通入氮气，氮气可以与悬挂键结合，令掺杂层的表面形成Si‑N键，形成的Si‑N键要更稳定，使悬挂键饱和，减少掺杂层表面处的缺陷态，降低漏电流，减小薄膜晶体管开关阈值电压的漂移。
技术研发人员：杨凤云;卓恩宗
受保护的技术使用者：惠科股份有限公司
技术研发日：2018.12.25
技术公布日：2019.05.10