本实用新型公开一种引线框架，属于半导体元件技术领域。
背景技术：
引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用塑封引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。
现有的框架单元中载片区的背面都为平面，表面非常光滑，在与管芯粘结时粘结力不够，容易脱落而出现损坏。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种引线框架。
为实现上述目的，本实用新型提供了如下技术方案来实现的：
一种引线框架，包括上下设置的上边带和下边带，所述上边带和下边带之间设置有若干框架单元，所述框架单元与上边带之间通过连接部相连接，所述框架单元与下边带之间通过底筋相连接，所述连接部中间位置设有工艺孔，所述框架单元包括载片区，所述载片区下部中间位置连接有集电极管脚，所述集电极管脚左右两侧分别设有基极管脚和发射极管脚，所述集电极管脚和基极管脚之间、集电极管脚和发射极管脚之间均通过中筋相连接，所述集电极管脚、基极管脚和发射极管脚下部分别连接有第一管脚、第二管脚和第三管脚，所述基极管脚和发射极管脚上部分别连接有框架部分和溅丝部，所述下边带上设有若干散热孔，所述散热孔位于下边带上对应于第一管脚正下方的位置，所述下边带外侧开设有若干预留切割口，所述载片区背面上开设有若干平行的凹槽，所述凹槽的剖面形成为上宽下尖的V字形，相邻的两个凹槽所述之间的距离为0.3mm，所述凹槽的深度为0.03-0.05mm。
作为优选，第一管脚、第二管脚和第三管脚的宽度均为0.6mm。
作为优选，集电极管脚的宽度为0.8mm，基极管脚和发射极管脚的宽度均为0.6mm。
作为优选，预留切割口的宽度为1.5mm，深度为0.5mm。
作为优选，散热孔的直径为2-2.05mm。
作为优选，连接部背面开设有两个折线槽。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：1、通过在载片区背面开设若干平行的的凹槽，增加了载片区和管芯的的粘结力，同时减少了产品的应力；2、连接部背面开设有两个折线槽，连接部中部设有工艺孔，可以方便地折断连接部来将上边带从框架单元上拆除；3、下边带外侧开设有若干预留切割口，方便后期进行切割来将连接在一起的框架单元拆开。
附图说明
图1为现有技术中引线框架的结构示意图；
图2为图1中的A-A剖视图；
图3为图1中的B-B剖视图；
图4为图1中的C-C剖视图；
图5为图4中A处的放大示意图。
附图标记：1、上边带；2、下边带；3、连接部；4、底筋；5、工艺孔；6、载片区；7、集电极管脚；8、基极管脚；9、发射极管脚；10、中筋；11、第一管脚；12、第二管脚；13、第三管脚；14、框架部分；15、溅丝部；16、散热孔；17、预留切割口；18、凹槽。
具体实施方式
下面结合附图所示对本实用新型一种引线框架作进一步描述。
如图1-5所示的引线框架，包括上下设置的上边带1和下边带2，上边带1和下边带2 之间设置有若干框架单元，框架单元与上边带1之间通过连接部3相连接，框架单元与下边带2之间通过底筋4相连接，连接部3中间位置设有工艺孔5，框架单元包括载片区6，载片区6下部中间位置连接有集电极管脚7，集电极管脚7左右两侧分别设有基极管脚8和发射极管脚9，集电极管脚7和基极管脚8之间、集电极管脚7和发射极管脚9之间均通过中筋 10相连接，集电极管脚7、基极管脚8和发射极管脚9下部分别连接有第一管脚11、第二管脚12和第三管脚13，基极管脚8和发射极管脚9上部分别连接有框架部分14和溅丝部15，下边带2上设有若干散热孔16，散热孔16位于下边带2上对应于第一管脚11正下方的位置，下边带2外侧开设有若干预留切割口17，载片区6背面上开设有若干平行的凹槽18，凹槽 18的剖面形成为上宽下尖的V字形，相邻的两个凹槽18之间的距离为0.3mm,凹槽18的深度为0.03-0.05mm。作为优选，第一管脚11、第二管脚12和第三管脚13的宽度均为0.6mm。作为优选，集电极管脚7的宽度为0.8mm，基极管脚8和发射极管脚9的宽度均为0.6mm。作为优选，预留切割口17的宽度为1.5mm，深度为0.5mm。作为优选，散热孔16的直径为 2-2.05mm。作为优选，连接部3背面开设有两个折线槽。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是，
通过在载片区6背面开设若干平行的的凹槽18，增加了载片区6和管芯的的粘结力，同时减少了产品的应力。
连接部3背面开设有两个折线槽，连接部3中部设有工艺孔5，可以方便地折断连接部3 来将上边带1从框架单元上拆除。
下边带2外侧开设有若干预留切割口17，方便后期进行切割来将连接在一起的框架单元拆开。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，本实用新型的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本实用新型思路下的技术方案均属于本实用新型的保护范围。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。