本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种适用于清除晶圆上的光阻的除胶反应腔及晶圆清理设备。
背景技术：
刻蚀技术是半导体器件和集成电路的基本制造工艺。在半导体制造过程中，使用刻蚀技术按照掩模图形或设计要求对晶圆表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离，以在晶圆形成电子元件。在刻蚀前，需要使用在晶圆表面不需要刻蚀的部位覆盖一层光刻胶(光阻)作为保护层，在刻蚀结构后，需要对晶圆进行清洗，包括清除晶圆上的光阻。晶圆的除胶过程在晶圆清理设备的除胶反应室内完成。
除胶反应室内具有晶圆处理工位，在晶圆处理工位上设置有多个顶针，用于在晶圆处理前后向上升起，以接收待处理的晶圆，或将处理后的晶圆顶起，以便机械手臂转移晶圆。由于机械手臂抓取或放置晶圆时动作较快，容易导致晶圆产生移动，而现有技术中，除胶反应室不能侦测晶圆的位置，当晶圆产生移动时不能及时的反馈，在晶圆清理设备进行下一步动作时，可能会碰撞晶圆，导致晶圆刮伤，掉片，甚至破片。
技术实现要素：
根据现有技术中存在的上述问题，现提供一种除胶反应腔及晶圆清理设备，通过在顶针的底端设置压力传感器，结合现有的算法获得晶圆在除胶反应腔内的位置，旨在解决现有技术中，除胶反应室不能侦测晶圆的位置，当晶圆产生移动时不能及时的反馈，导致晶圆因碰撞而刮伤，掉片，甚至破片的问题。本实用新型采用如下技术方案：
一种除胶反应腔，应用于晶圆清理设备内，适用于清除晶圆上的光阻，包括：
多个晶圆处理工位，用以放置待处理的晶圆；
多个顶针装置，分别对应设置于多个所述晶圆处理工位上，每个所述顶针装置包括一顶针基座和多个顶针，每个所述顶针包括固定部件和垂直设置于所述固定部件上的顶针本体，所述固定部件固定于所述顶针基座内；
于每个所述固定部件背向所述顶针本体的一面上设置一压力传感器。
较佳的，上述除胶反应腔中，所述顶针基座包括：
多个顶针容置孔，多个所述固定部件分别对应设置于多个所述顶针容置孔内；
多个顶针压圈，分别设置于多个所述顶针容置孔上以将对应的所述固定部件固定在所述顶针基座上；
每个所述压力传感器设置于对应的所述顶针压圈和所述固定部件之间。
较佳的，上述除胶反应腔中，所述固定部件为圆柱形，并且所述固定部件的直径大于所述顶针本体的直径；
每个所述顶针容置孔包括同心设置且相互连通的第一容置孔和第二容置孔；
所述固定部件与所述第一容置孔形状适配并设置于所述第一容置孔内；
所述顶针本体与所述第二容置孔形状适配，并且所述顶针本体通过所述第二容置孔伸出所述顶针基座；
所述顶针压圈设置在所述第一容置孔上。
较佳的，上述除胶反应腔中，所述顶针基座背向所述顶针本体的一面上设置有多个凹槽；
多个所述凹槽分别与多个所述第一容置孔连通。
较佳的，上述除胶反应腔中，包括2个所述晶圆处理工位。
较佳的，上述除胶反应腔中，每个所述顶针装置包括3个所述顶针。
较佳的，上述除胶反应腔中，所述压力传感器为按钮型应变式压力传感器。
较佳的，上述除胶反应腔中，所述顶针装置还包括：
升降部件，于所述顶针基座背向所述顶针本体的一面连接所述顶针基座。
还包括，一种晶圆清理设备，其中，包括上述任意一项所述的除胶反应腔。
上述技术方案的有益效果是：在除胶反应腔中的顶针的底部设置压力传感器，获取计算晶圆位置的数据，使除胶反应腔具备侦测晶圆位置的装置，进而避免晶圆因碰撞而刮伤，掉片，甚至破片。
附图说明
图1是本实用新型的较佳的实施例中，一种除胶反应腔的结构示意图；
图2是本实用新型的较佳的实施例中，顶针装置的剖面图；
图3是本实用新型的较佳的实施例中，顶针基座的仰视图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，但不作为本实用新型的限定。
本实用新型的较佳的实施例中，如图1-3所示，提供一种除胶反应腔，应用于晶圆清理设备内，适用于清除晶圆上的光阻，包括：
多个晶圆处理工位1，用以放置待处理的晶圆；
多个顶针装置，分别对应设置于多个晶圆处理工位1上，每个顶针装置包括一顶针基座2和多个顶针3，每个顶针包括固定部件31和垂直设置于固定部件31上的顶针本体32，固定部件31固定于顶针基座2内；
于每个固定部件31背向顶针本体32的一面上设置一压力传感器4。
本实用新型的较佳的实施例中，顶针装置还包括：
升降部件5，于顶针基座2背向顶针本体32的一面连接顶针基座2。
本实施例中，除胶反应腔内设置顶针装置，当升降部件5带动顶针3升起时，顶针3将处理后的晶圆顶起，以便机械手臂抓取晶圆，并接入待处理的晶圆，然后升降部件5下降，以将待处理的晶圆放置在晶圆处理工位1上。其中，本实施例中，升降部件5可采用伺服电机，伺服电机的输出轴垂直连接顶针基座2。
进一步地，本实施例中，在顶针3的底端，即顶针3的固定部件31与顶针基座2的接触面上设置压力传感器4，对于同一顶针装置，在顶针3接送晶圆时，多个压力传感器4分别输出多个顶针3所受的力，再通过现有的计算方法，根据同一顶针装置上每个压力传感器4检测到的压力信号计算晶圆的中心位置，以判断晶圆在除胶反应腔内的位置。
上述技术方案中，对除胶反应腔进行改造，在每个顶针3的底端设置压力传感器4，以获取计算晶圆位置的数据，使除胶反应腔具备侦测晶圆位置的装置，进而避免晶圆因碰撞而刮伤，掉片，甚至破片。
本实用新型的较佳的实施例中，如图2所示，顶针基座2包括：
多个顶针容置孔6，多个固定部件31分别对应设置于多个顶针容置孔6内；
多个顶针压圈7，分别设置于多个顶针容置孔6上以将对应的固定部件31固定在顶针基座2上；
每个压力传感器4设置于对应的顶针压圈7和固定部件31之间。
进一步地，本实用新型的较佳的实施例中，固定部件31为圆柱形，并且固定部件31的直径大于顶针本体32的直径；
每个顶针容置孔6包括同心设置且相互连通的第一容置孔61和第二容置孔62；
固定部件31与第一容置孔61形状适配并设置于第一容置孔61内；
顶针本体32与第二容置孔62形状适配，并且顶针本体32通过第二容置孔62伸出顶针基座2；
顶针压圈7设置在第一容置孔61上。
本实施例中，顶针基座2内的顶针容置孔6呈阶梯状，第一容置孔61和直径小于第一容置孔62的第二容置孔62；顶针3包括固定部件31和直径小于固定部件31的顶针本体32。在顶针3的装置过程中，顶针本体32从第一容置孔61伸入至顶针基座2内，再通过第二容置孔62伸出顶针基座2，直到固定部件31卡入第一容置孔61内，再将压力传感器4放置在第一容置孔内，最后通过顶针压圈7固定压力传感器4以及顶针3。
进一步地，本实施例中，第一容置孔62与顶针压圈7具有匹配的螺纹，顶针压圈7通过螺纹固定在顶针基座2上。需要注意的是，本实施例中，通过调整螺纹的位置的圈数，使顶针压圈7与第一容置孔62构成的空间与固定部件31和压力传感器4的厚度适配，进而使顶针压圈7固定在顶针基座2上后不挤压压力传感器4，以避免影响压力传感器4工作。
本实用新型的较佳的实施例中，如图2和图3所示，顶针基座2背向顶针本体32的一面上设置有多个凹槽8；
多个凹槽8分别与多个第一容置孔61连通。
由于压力传感器4上具有信号传输线41，需要将信号传输线41从顶针基座2内引出，因此本实施例中，在顶针基座2上设置连接第一容置孔61的凹槽8，以容纳并且引出压力传感器4的信号传输线41。
本实用新型的较佳的实施例中，除胶反应腔包括2个晶圆处理工位1，除胶反应腔可以同时处理理两个晶圆。
本实用新型的较佳的实施例中，每个顶针装置包括3个顶针3。
本实用新型的较佳的实施例中，压力传感器4为按钮型应变式压力传感器，压力传感器4呈圆柱状。
本实用新型的技术方案中，还包括一种晶圆清理设备，该晶圆清理设备使用上述的除胶反应腔。
以上仅为本实用新型较佳的实施例，并非因此限制本实用新型的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本实用新型说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本实用新型的保护范围内。