本实用新型涉及一种肖特基接触二极管中的钛金属层； 应用于半导体器件领域。
背景技术：
在集成电路生产中，特定掺杂浓度的N型硅和金属布线的铝接触时会产生肖特基接触特性，集成电路的设计方会利用此特性设计肖特基二极管进行线路上的应用。已有的方法是，在外延层的硅上直接设计接触孔，通过溅射铝层及光刻刻蚀后，铝硅接触部位便产生肖特基接触二极管。但此接触势垒电压一般比较固定。
技术实现要素：
本实用新型所要解决的技术问题是提供了一种肖特基接触二极管中的钛金属层，本实用新型通过在溅射铝前，增加一层很薄的钛金属层，通过后续钛和硅发生反应形成钛硅化物层，从而改变肖特基势垒电压。通过调整不同的钛层厚度，产生不同的势垒电压，从而实现电压的可调性。
为了达到上述目的，本实用新型的技术方案是：
一种肖特基接触二极管中的钛金属层，所述的肖特基接触二极管包括硅衬底层、所述硅衬底层两侧有二氧化硅层，所述的两侧二氧化硅层之间的硅衬底层上溅射有钛金属层；所述的两侧二氧化硅层、钛金属层之上溅射有铝层。
本实用新型的有益效果为：本实用新型通过在溅射铝前，增加一层很薄的钛金属层，通过后续钛和硅发生反应形成钛硅化物层，从而改变肖特基势垒电压。通过调整不同的钛层厚度，产生不同的势垒电压，从而实现电压的可调性。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
本实施例的一种肖特基接触二极管中的钛金属层，如图1所示，所述的肖特基接触二极管包括硅衬底层1、所述硅衬底层1两侧有二氧化硅层2，所述的两侧二氧化硅层2之间的硅衬底层1上溅射有钛金属层3；所述的两侧二氧化硅层2、钛金属层3之上溅射有铝层4。
本实施例通过对钛金属层的溅射及厚度的调整，肖特基势垒电压实现变化及可控性，相同的测试电流下进行对比，普通的肖特基势垒电压为300mV，增加钛120Å的溅射后，肖特基势垒电压变成480mV。
本实施例通过在溅射铝前，增加一层很薄的钛金属层，通过后续钛和硅发生反应形成钛硅化物层，从而改变肖特基势垒电压。通过调整不同的钛层厚度，产生不同的势垒电压，从而实现电压的可调性。