技术总结
一种降低应力迁移的金属互连结构，其属于半导体领域的技术，包括：相邻设置的下金属层和上金属层，所述下金属层和所述上金属层之间设有介质层；连接通孔，所述连接通孔设置于所述介质层，所述连接通孔上端与所述上金属层相连，所述连接通孔的下端通过一呈条形的窄金属层与所述下金属层相连；多个伪通孔，所述伪通孔为设置于所述介质层中的盲孔，所述伪通孔的开口与所述下金属层相接。该技术方案的有益效果是：本实用新型能够通过沟槽阻碍空位扩散，并且通过伪通孔对应金属层中的应力梯度进行分散，能够有效的阻碍下金属层和窄金属层处的空位聚集并降低该处的应力，从而能够降低应力迁移。
技术研发人员：姚斌;陈雷刚
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2018.04.20
技术公布日：2018.10.30