技术总结
本实用新型公开了一种高可靠型高电压厚膜晶片电阻，包括基板，基板的下表面两侧均设置有背面电极，基板的上表面两侧均设置有正面电极组，正面电极组包括从上往下依次堆叠的二层正面电极，在正面电极组之间的基板上表面设置有电阻阻体，电阻阻体上覆盖有第一保护层，第一保护层的上表面设置有镭射线，镭射线延伸至电阻阻体，第一保护层和镭射线上覆盖有第二保护层，第二保护层上覆盖有第三保护层，基板两端侧面上均设置有侧面电极，两侧面电极分别导通两侧的正面电极组和背面电极。本实用新型将传统的单层正面电极改进为二层正面电极，此种结构可提高电阻的散热性，同时增大电阻阻体设计面积，及进行第三保护层的设计，从而可有效提高产品的工作电压，满足客户对高可靠型高电压厚膜晶片电阻的要求。
技术研发人员：黄正信;刘复强;陈庆良;魏效振
受保护的技术使用者：丽智电子（南通）有限公司
技术研发日：2018.05.17
技术公布日：2019.04.02