1.一种芯片密封环结构，其特征在于，所述芯片密封环结构至少包括：
芯片(10)，所述芯片(10)上形成有底保护层(11)；
金属加劲环结构(12)及覆盖所述金属加劲环结构(12)的绝缘介质层(13)，形成于所述底保护层(11)上，所述金属加劲环结构(12)位于所述芯片(10)的周边；其中，所述绝缘介质层(13)中形成有隔离开口(132)，所述隔离开口显露所述金属加劲环结构(12)的第一表面部位(12a)，并且所述隔离开口(132)具有和所述金属加劲环结构(12)非对准的局部重叠的第一图案，使所述隔离开口(132)还显露所述底保护层(11)的第二表面部位(11a)；以及，
隔离膜(15)，形成于所述绝缘介质层(13)上，所述隔离膜(15)具有完全重叠所述隔离开口(132)的第二图案，使所述隔离膜(15)覆盖所述金属加劲环结构(12)的第一表面部位(12a)和所述底保护层(11)的第二表面部位(11a)。
2.根据权利要求1所述的芯片密封环结构，其特征在于，所述第二图案的尺寸大于所述第一图案的尺寸，使所述隔离膜(15)还覆盖所述隔离开口(132)的侧壁并延伸至所述绝缘介质层(13)上。
3.根据权利要求1所述的芯片密封环结构，其特征在于，所述第二图案的尺寸等于所述第一图案的尺寸，使所述隔离膜(15)还覆盖所述隔离开口(132)的侧壁。
4.根据权利要求1所述的芯片密封环结构，其特征在于，所述隔离开口(132)的宽度大于等于所述金属加劲环结构(12)的单元环宽度，且所述隔离膜(15)的宽度大于等于所述金属加劲环结构(12)的单元环宽度。
5.根据权利要求1所述的芯片密封环结构，其特征在于，所述金属加劲环结构(12)为多环型态使在内外环之间具有环间隙(124)，所述隔离开口(132)的宽度大于等于所述金属加劲环结构(12)的环间隙(124)，且所述隔离膜(15)的宽度大于等于所述金属加劲环结构(12)的环间隙(124)。
6.根据权利要求1所述的芯片密封环结构，其特征在于，所述金属加劲环结构(12)包括至少一个连续金属环结构，所述连续金属环结构由多个阻障层(122)和金属层(121)以及插塞部(123)交错堆栈形成，且所述金属层(121)之间通过所述阻障层(122)以及所述插塞部(123)来实现金属互连。
7.根据权利要求6所述的芯片密封环结构，其特征在于，所述隔离开口(132)显露所述金属加劲环结构(12)的第一表面部位(12a)，所述金属加劲环结构(12)的第一表面部位(12a)包含至少一个连续金属环结构的部分区域。
8.根据权利要求7所述的芯片密封环结构，其特征在于，所述金属加劲环结构(12)的第一表面部位(12a)位于所述芯片(10)的侧边或者转角，其包含至少一个所述连续金属环结构的侧边或者转角部位。
9.根据权利要求8所述的芯片密封环结构，其特征在于，所述金属加劲环结构(12)还包括至少一个位于所述连续金属环结构的转角部位外的转角加劲结构，且所述转角加劲结构具有与所述连续金属环结构相同的层间构造。
10.根据权利要求9所述的芯片密封环结构，其特征在于，所述金属加劲环结构(12)的第一表面部位(12a)位于所述转角加劲结构。
11.根据权利要求9所述的芯片密封环结构，其特征在于，所述转角加劲结构由三个依次连接形成双钝角的金属段组成。
12.根据权利要求1所述的芯片密封环结构，其特征在于，还包括：
顶遮盖层(16)，形成于所述绝缘介质层(13)上，所述顶遮盖层(16)覆盖所述隔离膜(15)。
13.一种半导体芯片，其特征在于，至少包括：如权利要求1至12任一项所述的芯片密封环结构。
14.一种半导体装置结构，其特征在于，至少包括：
晶圆，所述晶圆上制备有若干个芯片(10)以及位于相邻芯片(10)之间的切割道(20)；
如权利要求1至12任一项所述的芯片密封环结构，位于所述芯片(10)周围区域与所述切割道(20)之间；以及
焊盘金属层图案(17)，位于所述芯片(10)周围区域内，且所述焊盘金属层图案(17)被包裹于所述绝缘介质层(13)内；
其中，所述绝缘介质层(13)具有焊盘开口(171)，形成于所述焊盘金属层图案(17)的上方，所述焊盘开口(171)还贯通所述隔离膜(15)，用于显露部分所述焊盘金属层图案(17)以作为芯片焊盘，从而暴露所述芯片(10)的焊盘区域。