1.一种多量子阱结构，由复数个发光基本单元交替层叠而成，其特征在于：每一个发光基本单元从下至上依次包括第一势阱层、第一势垒层、第二势阱层和第二势垒层，所述第一势垒层的厚度大于所述第二势垒层的厚度。
2.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第一势垒层与所述第二势垒层的厚度差为：1nm~6nm。
3.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第一势垒层为n型氮化物层。
4.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第二势垒层为非故意掺杂氮化物层。
5.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第一势垒层的厚度为：5nm~9nm。
6.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第二势垒层的厚度为：3nm~7nm。
7.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第一势垒层为n-GaN层或者n-AlGaN层或者n-AlN层或者n-AlInGaN层或者上述任意两层的组成的复合结构层。
8.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第二势垒层为GaN层或者AlGaN层或者AlN层或者AlInGaN层或者上述任意两层的组成的复合结构层。
9.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第一势阱层与所述第二势阱层结构相同。
10.一种发光二极管，包括衬底、形成于衬底上的第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层、以及设置于所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间的多量子阱结构，其特征在于：所述多量子阱结构采用权利要求1~9任意一种结构。
11.根据权利要求10所述的一种发光二极管，其特征在于：该发光二极管还包括设置于第一导电类型半导体层上的第一电极和设置于第二导电类型半导体层上的第二电极。