技术总结
本实用新型属于半导体光电技术领域，尤其涉及一种多量子阱结构及其发光二极管，该多量子阱结构由复数个发光基本单元交替层叠而成，其特征在于：每一个发光基本单元从下至上依次包括第一势阱层、第一势垒层、第二势阱层和第二势垒层，所述第一势垒层的厚度大于所述第二势垒层的厚度。本实用新型通过将多量子阱层设置成周期性结构，且每一周期均包含较厚的势垒层和薄的势垒层，其中，较厚的垒层且掺杂n型杂质，主要是修复晶体质量，同时n型掺杂提升电子注入浓度，降低电压提升亮度。较薄的垒层有利于电子空穴隧穿，提升空穴注入浓度，最终提升复合辐射效率。
技术研发人员：徐志波;林兓兓;蔡吉明
受保护的技术使用者：安徽三安光电有限公司
技术研发日：2018.09.21
技术公布日：2019.04.16