一种能用于变频器上的IGBT散热器的制作方法

本发明涉及变频技术领域，特别是涉及一种能用于变频器上的IGBT散热器。

背景技术：

IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管BJT和绝缘栅型场效应管MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT在使用过程中发热量大，造成变频器高温，会影响变频器的使用。

技术实现要素：

本发明主要解决的技术问题是提供一种能用于变频器上的IGBT散热器，使用效果好。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种能用于变频器上的IGBT散热器，包括散热器本体、盖板、冷却腔、进液口和出液口，所述盖板与所述散热器本体扣合在一起形成冷却腔，所述进液口和所述出液口位于所述散热器本体的下部。

在本发明一个较佳实施例中，所述进液口和所述出液口位于所述散热器本体下部的左右两端。

在本发明一个较佳实施例中，所述能用于变频器上的IGBT散热器还包括卡扣，所述卡扣使IGBT夹于所述能用于变频器上的IGBT散热器上。

在本发明一个较佳实施例中，所述卡扣包括夹持部和连接部，所述夹持部包括第一夹持部和第二夹持部，所述第一夹持部位于所述散热器本体侧面，所述第二夹持部位于所述盖板侧面，所述第一夹持部和所述第二夹持部通过所述连接部连接。

在本发明一个较佳实施例中，所述能用于变频器上的IGBT散热器还包括氮化铝基板，所述氮化铝基板铺设于所述散热器本体和/或所述盖板的侧面上。

在本发明一个较佳实施例中，所述能用于变频器上的IGBT散热器还包括导热硅胶，所述导热硅胶填充于IGBT和所述氮化铝基板之间。

在本发明一个较佳实施例中，所述能用于变频器上的IGBT散热器还包括阻流部件，所述阻流部件设置在所述散热器本体的内侧壁上。

在本发明一个较佳实施例中，所述阻流部件等间距且有规律的分布在所述散热器本体的内侧壁上。

在本发明一个较佳实施例中，所述能用于变频器上的IGBT散热器还包括定位销钉，所述定位销钉位于所述散热器本体的下部。

在本发明一个较佳实施例中，所述能用于变频器上的IGBT散热器还包括固定孔，所述固定孔位于所述散热器本体的左右两端。

本发明的有益效果是：本发明的能用于变频器上的IGBT散热器,能够实现对IGBT的快速和实时降温，确保变频器的有效正常运行，结构简单，容易获得，成本低，散热效果好。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：

图1是本发明的能用于变频器上的IGBT散热器一较佳实施例的结构示意图；

图2是图1所述能用于变频器上的IGBT散热器的第一分解图；

图3是图1所述能用于变频器上的IGBT散热器的第二分解图。

具体实施方式

下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1至图3，提供一种能用于变频器上的IGBT散热器，包括散热器本体1、盖板2、冷却腔3、进液口4、出液口5、阻流部件6、卡扣7、氮化铝基板8、导热硅胶、定位销钉9和固定孔10。所述盖板2与所述散热器本体1扣合在一起形成冷却腔3。所述盖板2与所述散热器本体1可以焊接在一起连接，焊接处是密封的。所述阻流部件6设置在所述散热器本体1的内侧壁上，位于所述冷却腔3内，能够增大液体与IGBT的接触面积，使液体的流速变慢，从而使散热效果好。所述阻流部件6等间距且有规律的分布在所述散热器本体1的内侧壁上，作用的发挥均衡，同时容易制得。所述阻流部件6与所述散热器本体1之间可以通过焊接连接在一起。液体从所述进液口4流入，进入所述冷却腔3中进行冷却，再从所述出液口5流出。

所述进液口和所述出液口位于所述散热器本体下部的左右两端，能够最大程度的利用好流入的液体，提高液体的利用效率，不会造成液体的浪费。所述定位销钉9位于所述散热器本体1的下部，能够在所述能用于变频器上的IGBT散热器使用时具有定位作用，在本实施例中，所述定位销钉9有两个。所述固定孔10位于所述散热器本体1的左右两端，能够方便所述能用于变频器上的IGBT散热器的固定，在本实施例中，所述固定孔10有两个。

所述卡扣7使IGBT夹于所述能用于变频器上的IGBT散热器上。所述卡扣7包括夹持部和连接部，所述夹持部包括第一夹持部和第二夹持部，所述第一夹持部位于所述散热器本体1侧面，所述第二夹持部位于所述盖板2侧面，所述第一夹持部和所述第二夹持部从所述能用于变频器上的IGBT散热器的下部通过所述连接部连接。所述氮化铝基板8铺设于所述散热器本体1和所述盖板2的侧面上，所述氮化铝基板8的热导率大于170W/mk，能够进行导热。所述导热硅胶填充于IGBT和所述氮化铝基板8之间，所述导热硅胶本身也具有导热的作用。所述氮化铝基板8和所述导热硅胶的设置能够很快的将IGBT 产生的热量传导到所述能用于变频器上的IGBT散热器上，散热效果好。

以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。