半极性氮化镓半导体构件的制作方法

技术特征：

1.一种半极性氮化镓半导体构件，其包括：

N型氮化镓层；

P型氮化镓层；

有源层，位于N型氮化镓层和P型氮化镓层之间，包括一个或两个量子阱层；以及

第一泄漏电流防护层，位于N型氮化镓层与有源层之间；以及

第二泄漏电流防护层，位于有源层与P型氮化镓层之间。

2.根据权利要求1所述半极性氮化镓半导体构件，其中所述第一泄漏电流防护层和第二泄漏电流防护层为无掺杂的GaN层或AlGaN层。

3.根据权利要求1所述半极性氮化镓半导体构件，其中所述第一泄漏电流防护层和第二泄漏电流防护层为低掺杂浓度的GaN层或AlGaN层。

4.根据权利要求2或3所述半极性氮化镓半导体构件，其中所述AlGaN层中Al的质量百分占比小于20％。

5.根据权利要求4所述半极性氮化镓半导体构件，其中第一泄漏电流防护层或第二泄漏电流防护层中的Al的质量百分占比小于有源层中的阻挡层中的Al的质量百分占比。

6.根据权利要求5所述半极性氮化镓半导体构件，其中第一泄漏电流防护层或第二泄漏电流防护层中的带隙宽度大于相邻有源层中的阻挡层的带隙宽度。

7.根据权利要求5所述半极性氮化镓半导体构件，其中所述第一泄漏电流防护层的N型掺杂浓度小于1×10¹⁸/cm³，而所述第二泄漏电流防护层P型掺杂浓度小于5×10¹⁸/cm³。

8.根据权利要求1所述半极性氮化镓半导体构件，其中所述第一泄漏电流防护层和第二泄漏电流防护层厚度为