半极性氮化镓半导体构件的制作方法

技术总结
本公开涉及一种半极性氮化镓半导体构件，其包括：N型氮化镓层；P型氮化镓层；有源层，位于N型氮化镓层和P型氮化镓层之间，包括最多两个量子阱层；以及第一泄漏电流防护层，位于N型氮化镓层与有源层之间；以及第二泄漏电流防护层，位于有源层与P型氮化镓层之间。

技术研发人员：陈辰;宋杰;崔周源
受保护的技术使用者：西安赛富乐斯半导体科技有限公司
技术研发日：2018.12.04
技术公布日：2019.06.11