发光二极管的制作方法

文档序号:19792736发布日期:2020-01-24 14:39阅读:来源:国知局
技术总结
本发明公开了一种发光二极管。在一些实施例中,发光二极管包括:发光外延叠层,包含第一半导体层、有源层和第二半导体层,具有对应的第一表面和第二表面;透光层,形成于所述发光外延叠层的第二表面上;第一金属层,形成于所述透光层之远离所述发光外延叠层的表面上;第二金属层,形成于所述第一金属层之远离所述发光外延叠层的表面上;所述第一金属层和第二金属层构成镜面结构。

技术研发人员:郭贵田;朱立钦;蔡琳榕;杨力勋
受保护的技术使用者:厦门市三安光电科技有限公司
技术研发日:2018.11.13
技术公布日:2020.01.24

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