技术特征：
技术总结
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器及其制造方法。所述三维存储器包括：衬底，所述衬底上具有堆叠结构以及沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述堆叠结构的沟道孔；存储串，位于所述沟道孔内，包括沿沟道孔的径向方向依次叠置于所述沟道孔表面的阻挡层、电荷俘获层、隧穿层和沟道层；隔离层，位于所述电荷俘获层的底部侧端面与所述沟道层之间，用于阻挡电子在所述电荷俘获层与所述沟道层之间的迁移。本发明避免了所述沟道层与所述电荷俘获层之间的直接接触，阻挡了电荷在沟道层与电荷俘获层之间的迁移，有效改善了三维存储器的编写和擦除性能。
技术研发人员：王启光;张安
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2019.03.20
技术公布日：2019.06.14