技术特征：
技术总结
本发明实施例提供一种半导体器件及其制造方法，包括外延层，具有相对的第一表面和第二表面；基区，由第一表面向外延层内部延伸成型；发射区，由第一表面向基区内部延伸成型；盲孔，形成在外延层内且由第二表面向外延层内部凹陷成型；集电区，围绕盲孔设置在外延层的与盲孔侧壁和底面对应的区域；第二集电极，设置于盲孔的朝向自身中空部的表面；第一集电极，设置于第二表面，第二集电极与第一集电极电连接。本发明实施例提供的半导体器件能够减短关断时间，降低导通压降，提高电导调制效果。
技术研发人员：崔京京;章剑锋
受保护的技术使用者：瑞能半导体科技股份有限公司
技术研发日：2019.06.14
技术公布日：2019.08.16