本发明属于深紫外led技术领域,具体涉及一种深紫外led封装支架。
背景技术:
深紫外led的应用非常广泛,如杀菌、消毒、水净化、医疗等。高功率的深紫外led灯珠能达到更好的使用要求。但是深紫外led电光转换效率很低,热量积聚影响芯片的性能,而且深紫外led发出的紫外光很容易被吸收或阻挡,对光功率影响很大,所以需要高导热性能且有很好反射功能的支架。
技术实现要素:
本发明的目的在于克服现有技术的缺点,提供一种深紫外led封装支架,解决现有深紫外led电光转化效率低、芯片性能易受热量积聚影响、光功率低等技术问题。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:
一种深紫外led封装支架,包括底座、围坝和设在底座和围坝之间的粘结剂,其中:
所述底座顶面中部设有凸台,所述底座顶面、凸台的四周设有粘结台面;
所述围坝中部为中空结构,所述中空结构下部设有与凸台相配合的过孔,所述中空结构上部四周均为斜面,所述中空结构上部尺寸大于中空结构下部尺寸;
所述围坝设在底座上方,所述凸台顶部设在围坝的过孔中,所述粘结剂设在围坝底面与底座粘结台面之间;所述围坝外边缘与底座外边缘平齐;
所述围坝与粘结剂结合的界面低于凸台顶面。
进一步,所述围坝的制作材料为聚四氟乙烯;底座制作材料为氮化铝陶瓷。
进一步,所述凸台根据深紫外led芯片尺寸大小做成圆形或方形。
本发明中围坝与粘结剂结合的界面低于凸台顶面,使得深紫外线照射不到粘结剂上,粘结剂不会因紫外线作用发生黄化和开裂,可以保证围坝和底座的结合强度;围坝采用新型聚四氟乙烯材料,对深紫外光有很好的反射效果,而且不吸收紫外线,很大程度上保证深紫外芯片的出光;深紫外芯片侧面发出的光全部被斜面反射,达到更高的出光效果;底座采用氮化铝陶瓷制成,具有高导热特性。与现有技术相比,本发明具有电光转化效率高、导热性能好、结构稳定等优点。
附图说明
图1是本发明的俯视图;
图2是本发明的剖面结构示意图;
图3是本发明的分解状态示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
如图1至图3所示,本实施例中一种深紫外led封装支架,包括底座1、围坝2和设在底座1和围坝2之间的粘结剂3,其中:
所述底座1顶面中部设有凸台1-1,所述底座1顶面、凸台1-1的四周设有粘结台面1-2;
所述围坝2中部为中空结构,所述中空结构下部设有与凸台1-1相配合的过孔2-1,所述中空结构上部四周均为斜面2-2,所述中空结构上部尺寸大于中空结构下部尺寸;
所述围坝2设在底座1上方,所述凸台1-1顶部设在围坝2的过孔2-1中,所述粘结剂3设在围坝2底面与底座1粘结台面1-2之间,所述围坝2外边缘与底座1外边缘平齐;
所述围坝2与粘结剂3结合的界面低于凸台1-1顶面。
进一步,所述围坝2的制作材料为聚四氟乙烯;底座1制作材料为氮化铝陶瓷。
进一步,所述凸台1-1根据深紫外led芯片尺寸大小做成圆形或方形。
本发明的使用过程:
使用时,将深紫外芯片放置在位于围坝2中部的凸台1-1顶面上,由于围坝2与粘结剂3结合的界面低于凸台1-1顶面,深紫外线照射不到粘结剂3上,不能对粘结剂3造成破坏,保证了围坝2和底座1之间的粘结强度;围坝2采用新型聚四氟乙烯材料,对深紫外光有很好的反射效果,而且不吸收紫外线,很大程度上保证深紫外芯片的出光,因此深紫外芯片发出的光全部被斜面2-2反射,具有更高的出光效果;底座1采用氮化铝陶瓷制成,具有高导热特性。
1.一种深紫外led封装支架,包括底座(1)、围坝(2)和设在底座(1)和围坝(2)之间的粘结剂(3),其特征在于:
所述底座(1)顶面中部设有凸台(1-1),所述底座(1)顶面、凸台(1-1)的四周设有粘结台面(1-2);
所述围坝(2)中部为中空结构,所述中空结构下部设有与凸台(1-1)相配合的过孔(2-1),所述中空结构上部四周均为斜面(2-2),所述中空结构上部尺寸大于中空结构下部尺寸;
所述围坝(2)设在底座(1)上方,所述凸台(1-1)顶部设在围坝(2)的过孔(2-1)中,所述粘结剂(3)设在围坝(2)底面与底座(1)粘结台面(1-2)之间;所述围坝(2)外边缘与底座(1)外边缘平齐;
所述围坝(2)与粘结剂(3)结合的界面低于凸台(1-1)顶面。
2.根据权利要求1所述的一种深紫外led封装支架,其特征在于:所述围坝(2)的制作材料为聚四氟乙烯;底座(1)制作材料为氮化铝陶瓷。
3.根据权利要求1所述的一种深紫外led封装支架,其特征在于:所述凸台(1-1)根据深紫外led芯片尺寸大小做成圆形或方形。