1.一种高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor,hemt)，其特征在于，包含：
缓冲层，设于基底上；
阻障层，设于该缓冲层上；
栅极电极，设于该阻障层上；
第一保护层，设于该栅极电极两侧；以及
p型半导体层，设于该栅极电极以及该阻障层之间，其中该p型半导体层接触该第一保护层侧壁的一角落包含第一曲面。
2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该缓冲层包含iii-v族半导体。
3.如权利要求2所述的高电子迁移率晶体管，其中该缓冲层包含氮化镓。
4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该阻障层包含氮化铝镓(alxga1-xn)。
5.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一保护层包含氮化硅。
6.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，另包含第二保护层，设于该第一保护层以及该阻障层之间。
7.如权利要求6所述的高电子迁移率晶体管，其中该第二保护层选自由氮化铝、氧化铝、碳化硅以及氮氧化硅所构成的群组。
8.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该p型半导体层包含p型氮化镓。
9.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，另包含场极板，设于该栅极电极两侧以及该第一保护层上。
10.如权利要求9所述的高电子迁移率晶体管，其中该场极板以及该栅极电极包含相同材料。
11.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该p型半导体层底部包含第二曲面。
12.一种高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor,hemt)，其特征在于，包含：
缓冲层，设于基底上；
阻障层，设于该缓冲层上；
栅极电极，设于该阻障层上；
第一保护层，设于该栅极电极两侧；以及
p型半导体层，设于该栅极电极以及该阻障层之间，其中设于该第一保护层正上方的该p型半导体层的一角落包含一曲面。
13.如权利要求12所述的高电子迁移率晶体管，其中该缓冲层包含iii-v族半导体。
14.如权利要求13所述的高电子迁移率晶体管，其中该缓冲层包含氮化镓。
15.如权利要求12所述的高电子迁移率晶体管，其中该阻障层包含氮化铝镓(alxga1-xn)。
16.如权利要求12所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一保护层包含氮化硅。
17.如权利要求12所述的高电子迁移率晶体管，另包含第二保护层，设于该第一保护层以及该阻障层之间。
18.如权利要求12所述的高电子迁移率晶体管，其中该p型半导体层包含p型氮化镓。
19.如权利要求12所述的高电子迁移率晶体管，另包含场极板，设于该栅极电极两侧以及该第一保护层上。
20.如权利要求19所述的高电子迁移率晶体管，其中该场极板包含倾斜侧壁。