技术特征：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成有机层，所述有机层中具有露出所述基底的开口；在所述开口中形成阻断结构材料层，所述阻断结构材料层包括第一阻断层，所述第一阻断层保形覆盖所述开口侧壁以及所述开口底部，所述开口侧壁上的所述第一阻断层围成缝隙，所述阻断结构材料层还包括位于所述缝隙中的第二阻断层，所述第二阻断层的耐刻蚀度大于所述第一阻断层的耐刻蚀度；去除所述第二阻断层以及覆盖所述第二阻断层侧壁的所述第一阻断层，剩余的所述第一阻断层作为阻断结构，所述阻断结构适于作为图形化所述基底的掩膜；形成所述阻断结构后，去除所述有机层，露出所述基底。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述阻断结构材料层的步骤包括：形成第一阻断材料层，所述第一阻断材料层保形覆盖所述有机层以及所述开口底部和侧壁，所述开口侧壁上的所述第一阻断材料层围成所述缝隙，所述缝隙的延伸方向与所述开口的延伸方向相同；形成保形覆盖所述第一阻断材料层的第二阻断材料层，所述第二阻断材料层填满所述缝隙；去除高于所述第一阻断材料层顶部的所述第二阻断材料层；去除高于所述第一阻断材料层顶部的所述第二阻断材料层后，去除高于所述有机层的第一阻断材料层和第二阻断材料层，剩余的所述第一阻断材料层作为第一阻断层，剩余的所述第二阻断材料层作为第二阻断层，所述第一阻断层和第二阻断层作为所述阻断结构材料层。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺或等离子体增强化学的气相沉积法形成所述第一阻断材料层；采用原子层沉积工艺形成所述第二阻断材料层。4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除高于所述第一阻断材料层顶部的所述第二阻断材料层。5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除高于所述有机层的第一阻断材料层和第二阻断材料层。6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述缝隙的侧壁与所述基底法线的夹角为5
°
至10
°
。7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用多次阻断刻蚀工艺去除所述第二阻断层以及覆盖所述第二阻断层侧壁的所述第一阻断层，所述阻断刻蚀工艺的步骤包括：去除部分厚度的所述有机层；去除高于剩余的所述有机层的所述第一阻断层；去除高于剩余的所述有机层的所述第一阻断层后，去除高于剩余的所述有机层的所述第二阻断层。8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在每一次所述阻断刻蚀工艺中，刻蚀所述有机层的厚度为10纳米至30纳米。9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除高
于剩余的所述有机层的所述第一阻断层。10.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除高于剩余的所述有机层的第二阻断层。11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一阻断层的材料包括氧化硅、氮化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、氮氧化硅、氮化硼和碳氮化硼中的一种或多种。12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二阻断层的材料为金属氧化物。13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括：衬底、位于所述衬底上的介质层、分立于所述介质层上的核心层、以及保形覆盖所述核心层和介质层的侧墙材料层；形成所述有机层的步骤中，所述开口露出所述核心层之间的区域；在所述开口中形成阻断结构材料层的步骤中，所述缝隙的底端高于或齐平于位于所述核心层顶部的所述侧墙材料层的顶面；形成所述阻断结构的过程中，所述阻断结构的顶面高于或齐平于位于所述核心层顶部的所述侧墙材料层的顶面。14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述阻断结构的步骤中，所述阻断结构的顶面至位于所述核心层顶部的所述侧墙材料层的顶面的距离小于10纳米。15.一种半导体结构，其特征在于，基底；有机层，位于所述基底上，所述有机层中具有贯穿有机层的开口；第一阻断层，保形覆盖在所述开口侧壁以及所述开口底部，所述开口侧壁上的所述第一阻断层围成缝隙；第二阻断层，位于所述缝隙中，所述第二阻断层的耐刻蚀度大于所述第一阻断层的耐刻蚀度。16.如权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述缝隙的延伸方向与所述开口的延伸方向相同；所述缝隙的侧壁与所述基底法线的夹角为5
°
至10
°
。17.如权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阻断层的材料包括氧化硅、氮化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、氮氧化硅、氮化硼和碳氮化硼中的一种或多种。18.如权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述第二阻断层的材料为金属氧化物。19.如权利要求18所述的半导体结构，其特征在于，所述金属氧化物包括：氧化钛、氧化钽、氧化钨、氧化钴、氧化铬、氧化矾、氧化镉、氧化铪、氧化铟、氧化铁、氧化铝、氧化锆、氧化锌和氧化镍中一种或多种。20.如权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括：衬底、位于所述衬底上分立的核心层以及保形覆盖所述核心层和衬底的侧墙材料层；所述开口位于所述核心层之间的区域上；
所述缝隙的底端高于或齐平于位于所述核心层顶部的所述侧墙材料层的顶面。