技术总结
一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成具有露出基底的开口的有机层；在开口中形成阻断结构材料层，包括保形覆盖开口侧壁以及开口底部，开口侧壁上的第一阻断层围成缝隙，阻断结构材料层还包括位于缝隙中的第二阻断层，第二阻断层的耐刻蚀度大于第一阻断层的耐刻蚀度；去除第二阻断层以及覆盖第二阻断层侧壁的第一阻断层，剩余的第一阻断层作为阻断结构。第二阻断层提高了阻断结构材料层的中间区域的耐刻蚀度，在形成阻断结构的过程中，阻断结构材料层的中间区域不易被过快去除，提高了阻断结构的顶面平坦度，因此阻断结构在后续过程中能起到更好的掩膜作用。作用。作用。
技术研发人员：王士京 何其暘 卑多慧 杨明
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2019.10.17
技术公布日：2021/4/19