一种新型单面发光LED的制造方法与流程

本发明涉及led封装技术领域，特别是一种新型单面发光led的制造方法。

背景技术：

现有单面发光led器件多采用先在芯片正面贴pig或pis，然后在芯片四个侧边点白胶，以达到遮挡侧面出光、从而实现单面发光的目的。但此种制造方法，存在以下缺点：点白胶效率较低，胶量不易控制，白胶胶面不平整，pig/pis上容易出现爬白胶的情况。

技术实现要素：

为解决上述问题，本发明的目的是提供一种新型单面发光led的制造方法，实现白胶涂抹均匀，胶面平整。

本发明实施例中采用以下方案实现：提供一种新型单面发光led的制造方法，按照以下步骤实现：

步骤s1：将led芯片安装在基板上完成共晶半成品材料的制备，并配备好白胶；

步骤s2：通过层压白胶工艺或涂覆白胶工艺，将白胶粘贴或是涂覆在共晶半成品上，完成led芯片四个侧面的出光遮挡；

步骤s3：通过研磨制程，使白胶与led芯片高度齐平，漏出led芯片的正面，以达到实现单面出光的目的；

步骤s4：在led芯片的正面贴pig/pis；增加扩散层或是lens；

步骤s5：通过切割等方式将材料分割成单颗led。

本发明一实施例中，所述步骤s1中的白胶为钛白粉、胶水与溶剂制成。

本发明一实施例中，所述步骤s2中

所述层压白胶工艺：使用刮膜机将配备好的白胶制成白胶胶膜，将白胶胶膜烤干，贴在共晶半成品上；

涂覆白胶工艺：使用刮膜机直接将配备好的白胶涂覆在共晶半成品上，并烤干。

本发明一实施例中，所述步骤s2中，需要控制白胶的厚度高于共晶半成平成品的芯片高度10～20um，既能保证研磨的芯片。

本发明一实施例中，所述步骤s4中，在led芯片的正面贴pig/pis，该工艺过程在制作白光的led时需要，其他颜色的不需要该工艺过程。

本发明的有益效果：本发明提供一种新型单面发光led的制造方法，可有效避免传统点胶方式，提升产能白胶胶面平整，产品出光一致性好。pig/pis上不会出现爬白胶的情况，能有效提升产品良率。有效滤掉芯片侧面杂光，利于二次光学配光。

附图说明

图1是一种新型单面发光led的制造方法流程图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明做进一步说明。

请参阅图1至，本发明提供一种新型单面发光led的制造方法，按照以下步骤实现：

步骤s1：将led芯片2安装在基板1上完成共晶半成品材料的制备，并配备好白胶3，白胶为钛白粉等+胶水+溶剂配置而成；

步骤s2：通过层压白胶3工艺或涂覆白胶3工艺，将白胶3粘贴或是涂覆在共晶半成品上，完成led芯片2四个侧面的出光遮挡；

步骤s3：通过研磨制程，使白胶3与led芯片2高度齐平，漏出led芯片2的正面，以达到实现单面出光的目的；

步骤s4：在led芯片2的正面贴pig/pis4；增加扩散或是lens；

步骤s5：通过切割等方式将材料分割成单颗led，方便应用于灯具上。

本发明一实施例中，所述步骤s1中的白胶3为钛白粉、胶水与溶剂制成。

本发明一实施例中，所述步骤s2中

所述层压白胶3工艺：使用刮膜机将配备好的白胶3制成白胶胶膜，将白胶胶膜烤干，贴在共晶半成品上；

涂覆白胶3工艺：使用刮膜机直接将配备好的白胶3涂覆在共晶半成品上，并烤干，刮膜机为现有设备这里不进行详细介绍。

本发明一实施例中，所述步骤s2中，需要控制白胶3的厚度高于共晶半成平成品的led芯片2高度10～20um，在保证能够实现出光遮挡的同时，后续研磨制程能够较快的完成，保证生产效率。

本发明一实施例中，所述步骤s4中，在led芯片2的正面贴pig/pis4，该工艺过程在制作白光的led时需要，其他颜色的不需要该工艺过程。

本发明具有以下工作原理：

现在一整面上涂抹上白胶，降低了点胶的难度，更好的控制点胶量，涂抹均匀，通过研磨可将胶面磨平，产品的平面度好，实现出光均匀，从而实现产品的出光一致性好，有白胶均匀包括led芯片的四周，有效避免了led芯片四周漏光的情况。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，不能理解为对本申请的限制，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。