1.一种gan基紫外led的外延结构，其特征在于，包括：在生长衬底表面依次生长的应力控制层、n型电流扩展层、有源区发光层及p型电流扩展层；其中，有源区发光层为由inaga1-an量子阱层和algan突变阶梯势垒层形成的周期性结构；0.01<a<0.05；algan突变阶梯势垒层由多层algan组成，且从下至上各层algan中的al组分逐渐增加，0.08<b<0.16。
2.如权利要求1所述的gan基紫外led的外延结构，其特征在于，所述有源区发光层由5～8个inaga1-an量子阱层和algan突变阶梯势垒层形成的周期性结构组成。
3.如权利要求1所述的gan基紫外led的外延结构，其特征在于，所述algan突变阶梯势垒层由三层algan组成，从下至上分别为albga1-1n势垒层、alcga1-cn势垒层和aldga1-dn势垒层，且b为0.08，c为0.12，d为0.16。
4.如权利要求1或2或3所述的gan基紫外led的外延结构，其特征在于，所述inaga1-an量子阱层的厚度为1～5nm，algan突变阶梯势垒层的总厚度为10～20nm。
5.如权利要求1或2或3所述的gan基紫外led的外延结构，其特征在于，所述algan突变阶梯势垒层中掺杂有浓度在5×1016～5×1018cm-2之间的硅。