1.一种石墨烯纳米带器件阵列的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：
提供一锗衬底，其中，所述锗衬底具有10°偏角(100)晶面；
在所述锗衬底上形成一层石墨烯薄膜；
在所述石墨烯薄膜上形成点阵阵列；
在所述点阵阵列上形成掩膜层；
剥离所述点阵阵列的孔洞外的掩膜层后，刻蚀所述孔洞外的石墨烯薄膜；
腐蚀所述点阵上的掩膜层；
退火处理后，以石墨烯点阵为形核位点，生长纳米带阵列；
在所述石墨烯纳米带阵列的两端曝出电极区域；
在所述电极区域制作电极，完成石墨烯纳米带器件阵列的制备。
2.根据权利要求1所述的石墨烯纳米带器件阵列的制备方法，其特征在于，在所述锗衬底上形成一层石墨烯薄膜包括：
采用化学气相淀积的方式在所述锗衬底上形成一层石墨烯薄膜，其中，以ar作为载气，以ch4作为碳源气体，以h2作为还原气体，所述h2与ch4的摩尔比为h2/ch4＝(30-40):1；沉积温度为910℃-920℃；沉积时间为300-400min。
3.根据权利要求1所述的石墨烯纳米带器件阵列的制备方法，其特征在于，退火处理后，以石墨烯点阵为形核位点，生长纳米带阵列包括：
在石英管中采用化学气相淀积的方式生长纳米带阵列，其中，以ar作为载气，以ch4作为碳源气体，以h2作为还原气体，所述h2与ch4的摩尔比为h2/ch4＝(60-70):1；沉积温度为910℃-920℃；沉积时间为100-150min。
4.根据权利要求1所述的石墨烯纳米带器件阵列的制备方法，其特征在于，在所述石墨烯薄膜上形成点阵阵列包括：采用电子束曝光的方式曝出所述点阵阵列的孔洞。
5.根据权利要求1所述的石墨烯纳米带器件阵列的制备方法，其特征在于，在在所述点阵阵列上形成掩膜层的步骤中，所述掩膜层的材料为铝、镍、二氧化铝、硅、二氧化硅中的任意一种。
6.根据权利要求1所述的石墨烯纳米带器件阵列的制备方法，其特征在于，在剥离所述点阵阵列的孔洞外的掩膜层后，刻蚀所述孔洞外的石墨烯薄膜的步骤中，采用反应等离子体刻蚀的方式刻蚀所述孔洞外的石墨烯薄膜。
7.根据权利要求1所述的石墨烯纳米带器件阵列的制备方法，其特征在于，在腐蚀所述点阵上的掩膜层的步骤中，使用的腐蚀液为磷酸、氯化铁、缓冲氧化物刻蚀液中的任意一种。
8.根据权利要求1所述的石墨烯纳米带器件阵列的制备方法，其特征在于，在所述石墨烯纳米带阵列的两端曝出电极区域包括：
采用电子束曝光的方式在所述石墨烯纳米带阵列的两端曝出电极区域。
9.根据权利要求1所述的石墨烯纳米带器件阵列的制备方法，其特征在于，在所述电极区域制作电极包括：
采用电子束蒸发的方式形成所述电极，所述电极材料为钛或金。
10.一种石墨烯纳米带器件阵列，其特征在于，采用权利要求1-9中任一项所述的石墨烯纳米带器件阵列的制备方法制备得到。