一种蚀刻片框架、封装支架和LED器件的制作方法

本实用新型涉及led技术领域，尤其涉及一种蚀刻片框架、封装支架和led器件。

背景技术：

现有的led技术领域中，用于封装led芯片的封装支架基本由蚀刻片框架和反光杯组合而成，其中，如图1所示，现有蚀刻片框架通常采用全蚀刻工艺蚀刻成彼此分离的第一电极101和第二电极102，第一电极101和第二电极102之间形成隔离沟槽103，同时，为了使单个蚀刻片框架能够与其相邻的蚀刻片框架进行连接，在蚀刻片框架的第一电极101和第二电极102中远离隔离沟槽103的长边，以及它们全部短边上分别设置有连脚104。

然而，为了避免第一电极101和第二电极102外接时发生短接，通常会将隔离沟槽103的宽度设置得较大，这会占用蚀刻片框架的面积，使得第一电极101上放置led芯片的放置区较小，只能容纳一个发光面积较小的led芯片，导致led器件存在发光亮度低的问题。此外，由于连脚104通常设置在这些边的中部，且其宽度非常小，则蚀刻片框架之间的连接强度小、应力小，这就致使蚀刻片框架的边缘容易在后续工艺中发生形变，导致注塑成型工艺发生偏移，进而降低了采用该蚀刻片框架制成的封装支架和led器件的气密性，减少了封装支架和led器件的使用寿命。

技术实现要素：

针对上述问题，本实用新型的一种蚀刻片框架、封装支架和led器件，能够有效提升led器件的发光亮度、气密性和使用寿命。

为解决上述技术问题，本实用新型的一种蚀刻片框架，包括：

第一金属蚀刻片，层叠设置有第一电极和芯片放置层，所述芯片放置层包含相互连接的第一放置区和第二放置区，所述第一放置区的长度大于所述第二放置区的长度，所述第一放置区的第一端与所述第二放置区的第一端齐平设置以形成所述芯片放置层的第一长边，所述第一放置区的第二端与所述第二放置区的第二端形成所述芯片放置层的第二边；所述芯片放置层的长边长于所述第一电极的长边，所述芯片放置层的短边长于所述第一电极的短边；

第二金属蚀刻片，层叠设置有第二电极和连接层，所述连接层的长边长于所述第二电极的长边，所述连接层的短边长于所述第二电极的短边；

所述芯片放置层的第一长边与所述第一电极的第一长边的端部齐平，所述连接层的第一长边与所述第二电极的第一长边的端部齐平，使得所述第一电极与所述第二电极之间形成有第一隔离沟槽，所述芯片放置层与所述连接层之间形成有第二隔离沟槽；

所述芯片放置层第一长边的顶角以及所述连接层第一长边的顶角分别设置有一l形连脚，以分别包裹对应顶角的侧壁。

作为上述方案的改进，每个所述l形连脚的上表面和/或下表面为粗化面。

作为上述方案的改进，所述第一放置区第二端与所述第二放置区第二端相连接的顶角处为平滑连接。

作为上述方案的改进，所述连接层的第一边包含与所述放置层第二边相吻合的第三凸部，使得所述第三凸部能放置齐纳二极管。

作为上述方案的改进，所述第一放置区的第二端设置有第一容纳区，所述第二放置区的第二端设置有第二容纳区，所述第一容纳区和所述第二容纳区相互连接且平行交错设置以共同形成芯片容纳区；

围绕所述芯片容纳区紧挨所述第二隔离沟槽的边之外的其余边设置有第一凹槽，所述第一凹槽用于填充白色emc材料以形成反光墙。

作为上述方案的改进，所述第一容纳区包含第一凸部，所述第一凸部位于所述第一容纳区紧挨所述第二隔离沟槽的一端；所述第二容纳区包含第二凸部，所述第二凸部位于所述第二容纳区远离所述第二隔离沟槽的一端。

作为上述方案的改进，所述第一凹槽包含第一段凹槽和第二段凹槽；所述第一段凹槽围绕于所述第一容纳区的长边、短边及所述第二容纳区的短边，所述第二段凹槽围绕于所述第二容纳区的长边；所述第一段凹槽的第一端与所述第二隔离沟槽贯通，所述第一段凹槽的第二端与所述第二段凹槽的第一端交错设置，且第一段凹槽第二端的外顶角与所述第二段凹槽第一端的内顶角连接；所述第一段凹槽用于填充白色emc材料以形成第一反光墙，所述第二段凹槽用于填充白色emc材料以形成第二反光墙。

本实用新型还提供一种封装支架，包括：上述任一种蚀刻片框架，所述第一隔离沟槽和所述第二隔离沟槽内填充有emc材料以分别形成第一绝缘沟槽及第二绝缘沟槽，所述蚀刻片框架的四周设置有一反光杯，且所述反光杯的底部包覆所述蚀刻片框架的侧壁且与所述第一电极和所述第二电极的底部齐平。

本实用新型还提供另一种封装支架，包括：上述任一种所述的蚀刻片框架，所述第一隔离沟槽、所述第二隔离沟槽和所述第一凹槽内填充有白色emc材料以分别形成第一绝缘沟槽、第二绝缘沟槽和所述反光墙，所述第二绝缘沟槽和所述反光墙形成第一反光杯。

作为上述方案的改进，所述蚀刻片框架的四周设置有第二反光杯，且所述第二反光杯的底部包覆所述蚀刻片框架的侧壁且与所述第一电极和所述第二电极的底部齐平。

作为上述方案的改进，所述第二反光杯位于所述第一反光杯外；所述第一反光杯与所述第二反光杯之间形成第二凹槽，所述第二凹槽用于填充白色emc材料以形成反光层。

作为上述方案的改进，所述第一反光杯的顶部呈方形、半圆形或穹顶形，所述第一反光杯的顶部与所述第一金属蚀刻片顶部之间的高度差为60μm～120μm。

本实用新型还提供一种led器件包括：两个led芯片以及上述提供的第一种封装支架，所述两个led芯片分别设置于所述第一放置区、所述第二放置区。

本实用新型还提供一种led器件，包括：两个led芯片以及上述提供的第二种所述的封装支架，所述两个led芯片分别设置于所述第一容纳区、所述第二容纳区。

与现有技术相比，实施本实用新型的蚀刻片框架、封装支架和led器件具有如下有益效果：由于第一金属蚀刻片具有层叠设置的第一电极和芯片放置层，其中，芯片放置层包含相互连接的第一放置区和第二放置区，第一放置区的长度大于第二放置区的长度，第一放置区的第一端与第二放置区的第一端齐平设置以形成芯片放置层的第一长边，第一放置区的第二端与第二放置区的第二端形成所述芯片放置层的第二边，以便第一放置区和第二放置区交错设置，提升芯片放置层的面积利用率；芯片放置层的长边长于第一电极的长边，芯片放置层的短边长于第一电极的短边；第二金属蚀刻片，层叠设置有第二电极和连接层，连接层的长边长于第二电极的长边，连接层的短边长于第二电极的短边；所述芯片放置层的第一长边与所述第一电极的第一长边的端部齐平，连接层的第一长边与第二电极的第一长边的端部齐平，使得第一电极与第二电极之间形成有第一隔离沟槽，芯片放置层与连接层之间形成有第二隔离沟槽；如此，通过减小芯片放置层与连接层之间第二隔离沟槽的面积来使芯片放置层形成能够放置两个led芯片的放置区，芯片放置层能够制作得更大，使得该蚀刻片框架能够放置发光面积更大的led芯片，提升采用该蚀刻片支架制成的led器件的发光亮度，另一方面，因该封装支架能够保持第一电极与第二电极之间的第一隔离沟槽的宽度及面积与现有技术中隔离沟槽的宽度及面积均相同，也能避免采用该封装支架外接时发生短接，同时还能与现有封装支架的电极兼容。再者，因为芯片放置层的第一长边的顶角以及连接层第一长边的顶角分别设置有一l形连脚，使得l形连脚的内侧壁能够包裹对应顶角的侧壁，如此，在蚀刻框架的个顶角形成能够与相邻蚀刻片框架进行连接的l形连脚，且该l形连脚的连接面积大，可有效增强蚀刻片框架之间的连接强度和应力，避免蚀刻片框架在后续工艺中发生形变，进而避免后续注塑成型工艺发生偏移，从而可提升采用该蚀刻片框架制成的封装支架和led器件的气密性和使用寿命；同时，由于l形连脚仅仅设置于芯片放置层第一长边的顶角以及连接层第一长边的顶角，其为半蚀刻l形连脚，则其厚度小于现有蚀刻片框架中l形连脚的厚度，可降低后续切割工艺中切割l形连脚时对刀具造成的损耗。

附图说明

图1是现有技术中蚀刻片框架的结构示意图。

图2是本实用新型实施例1提供的一种蚀刻片框架的结构示意图。

图3是本实用新型实施例2提供的一种蚀刻片框架的结构示意图。

图4是本实用新型实施例3提供的一种蚀刻片框架的结构示意图。

图5是本实用新型实施例4提供的一种封装支架的结构示意图。

图6是本实用新型实施例提供的封装支架的立体结构示意图。

图7(a)是图5所示的封装支架中剖线a1-a2、b1-b2、b1-d、c1-c2的布设示意图。

图7(b)是图5所示的封装支架沿剖线b1-b2的剖面示意图。

图7(c)是图5所示的封装支架沿剖线a1-a2的剖面示意图。

图7(d)是图5所示的封装支架沿剖线b1-d的剖面示意图。

图7(e)是图5所示的封装支架沿剖线c1-c2的剖面示意图。

图8是本实用新型实施例5提供的一种封装支架的结构示意图。

图9是本实用新型实施例6提供的一种led器件的结构示意图。

图10是本实用新型实施例7提供的一种led器件的结构示意图。

图11是本实用新型实施例8提供的一种led器件的结构示意图。

图12是本实用新型实施例9提供的一种led器件的结构示意图。

图13是本实用新型实施例10提供的一种led器件的结构示意图。

图14是本实用新型实施例11提供的一种led器件的结构示意图。

图15是采用图5所示封装支架的封装led器件沿剖线b1-b2的剖面示意图。

具体实施方式

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于此描述的其他方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。

下面结合具体实施例和附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整的描述。

请参见图2，是本实用新型实施例1提供的一种蚀刻片框架的结构示意图。

如图2所示，该蚀刻片框架包括：第一金属蚀刻片1，层叠设置有第一电极11和芯片放置层12，所述芯片放置层12包含相互连接的第一放置区121和第二放置区122，所述第一放置区121的长度大于所述第二放置区122的长度，所述第一放置区121的第一端与所述第二放置区122的第一端齐平设置以形成所述芯片放置层12的第一长边，所述第一放置区121的第二端与所述第二放置区122的第二端形成所述芯片放置层12的第二边；所述芯片放置层12的长边长于所述第一电极11的长边，所述芯片放置层12的短边长于所述第一电极11的短边；第二金属蚀刻片2，层叠设置有第二电极21和连接层22，所述连接层22的长边长于所述第二电极21的长边，所述连接层22的短边长于所述第二电极21的短边；所述芯片放置层12的第一长边与所述第一电极11的第一长边的端部齐平，所述连接层22的第一长边与所述第二电极21的第一长边的端部齐平，使得所述第一电极11与所述第二电极21之间形成有第一隔离沟槽，所述芯片放置层12与所述连接层22之间形成有第二隔离沟槽32；所述芯片放置层12第一长边的顶角以及所述连接层22第一长边的顶角分别设置有一l形连脚41，以分别包裹对应顶角的侧壁。

在本实施例的蚀刻片框架中，由于第一金属蚀刻片1具有层叠设置的第一电极11和芯片放置层12，其中，芯片放置层12包含相互连接的第一放置区121和第二放置区122，第一放置区121的长度大于第二放置区122的长度，第一放置区121的第一端与第二放置区122的第一端齐平设置以形成芯片放置层12的第一长边，第一放置区121的第二端与第二放置区122的第二端形成所述芯片放置层12的第二边，以便第一放置区121和第二放置区122交错设置，提升芯片放置层12的面积利用率；芯片放置层12的长边长于第一电极11的长边，芯片放置层12的短边长于第一电极11的短边；第二金属蚀刻片2，层叠设置有第二电极21和连接层22，连接层22的长边长于第二电极21的长边，连接层22的短边长于第二电极21的短边；所述芯片放置层12的第一长边与所述第一电极11的第一长边的端部齐平，连接层22的第一长边与第二电极21的第一长边的端部齐平，使得第一电极11与第二电极21之间形成有第一隔离沟槽，芯片放置层12与连接层22之间形成有第二隔离沟槽32；如此，通过减小芯片放置层12与连接层22之间第二隔离沟槽32的面积来使芯片放置层12形成能够放置两个led芯片的放置区，芯片放置层12能够制作得更大，使得该蚀刻片框架能够放置发光面积更大的led芯片，提升采用该蚀刻片支架制成的led器件的发光亮度，另一方面，因该封装支架能够保持第一电极11与第二电极21之间的第一隔离沟槽的宽度及面积与现有技术中隔离沟槽的宽度及面积均相同，也能避免采用该封装支架外接时发生短接，同时还能与现有封装支架的电极兼容。再者，因为芯片放置层12的第一长边的顶角以及连接层22第一长边的顶角分别设置有一l形连脚41，使得l形连脚41的内侧壁能够包裹对应顶角的侧壁，如此，在蚀刻框架的4个顶角形成能够与相邻蚀刻片框架进行连接的l形连脚41，且该l形连脚41的连接面积大，可有效增强蚀刻片框架之间的连接强度和应力，避免蚀刻片框架在后续工艺中发生形变，进而避免后续注塑成型工艺发生偏移，从而可提升采用该蚀刻片框架制成的封装支架和led器件的气密性和使用寿命；同时，由于l形连脚41仅仅设置于芯片放置层12第一长边的顶角以及连接层22第一长边的顶角，其为半蚀刻l形连脚41，则其厚度小于现有蚀刻片框架中l形连脚41的厚度，可降低后续切割工艺中切割l形连脚41时对刀具造成的损耗。

优选地，每个所述l形连脚41的上表面和/或下表面为粗化面，该粗化面的形状可以是波纹形、凸形、凹形或不规则形状。如此，能够增加反光杯与蚀刻片框架的结合力，延长气体经反光杯与蚀刻片框架连接处进入的路径，进而可提升采用该蚀刻片框架制成的封装支架及led器件的气密性。

优选地，本实施中第一放置区121第二端与第二放置区122第二端相连接的顶角处为平滑连接，以便白色emc材料能够均匀填充在第二隔离沟槽32中以形成第二绝缘沟槽。

请参见图3，是本实用新型实施例2提供的一种蚀刻片框架的结构示意图。

如图3所示，该蚀刻片框架除了包含上述实施例中的全部组成部件之外，还包括：第一放置区121的第二端设置有第一容纳区1211，第二放置区122的第二端设置有第二容纳区1221，第一容纳区1211和第二容纳区1221相互连接且平行交错设置以共同形成芯片容纳区；围绕芯片容纳区紧挨第二隔离沟槽32的边之外的其余边设置有第一凹槽123，第一凹槽123用于填充白色emc材料以形成反光墙。

在本实施例中，通过在第一放置区121的第二端设置第一容纳区1211，在第二放置区122的第二端设置第二容纳区1221，并使第一容纳区1211和第二容纳区1221位于第一放置区121和第二放置区122的连接处，进而第一容纳区1211和第二容纳区1221相互连接且平行交错以共同形成芯片容纳区，便于在芯片容纳区内交错设置两个led芯片，使得两个led芯片紧挨设置，能够提升芯片放置层12的利用率；如此，还能余出空间在芯片容纳区紧挨第二隔离沟槽32的边之外的其余边设置第一凹槽123，且第一凹槽123的两端与第二隔离沟槽32贯通，使得第一凹槽123和第二隔离沟槽32共同围绕芯片容纳区，以便向第一凹槽123内填充白色emc材料来形成反光墙，向第二隔离沟槽32内填充白色emc材料来形成第二绝缘沟槽，进而反光墙和第二绝缘沟槽共同构成第一反光杯，可有效提升采用该封装支架制成led器件的发光强度和发光效率。

该实施例中，第一容纳区1211和第二容纳区1221两端的连接处平滑连接，以在第一容纳区1211和第二容纳区1221共同构成的芯片容纳区外形成两个平滑的弯道，使得白色emc材料能够均匀填充至第一凹槽123中；如此，能够提升芯片放置层12的利用效率，使其不仅能够增加led芯片的放置面积，还能余出空间形成宽度均匀的第一凹槽123，使得利用第一凹槽123形成的反光墙能够提升led器件的光效一致性。

请参见图4，是本实用新型实施例3提供的一种蚀刻片框架的结构示意图。

如图4所示，该蚀刻片框架除了包含上述实施例中的全部组成部件之外，第一容纳区1211还可以包含第一凸部1212，第一凸部1212位于第一容纳区1211紧挨第二隔离沟槽32的一端；第二容纳区1221可以包含第二凸部1222，第二凸部1222位于第二容纳区1221远离第二隔离沟槽32的一端。

所述第一凹槽123包含第一段凹槽1231和第二段凹槽1232；所述第一段凹槽1231围绕于所述第一容纳区1211的长边、短边及所述第二容纳区1221的短边，所述第二段凹槽1232围绕于所述第二容纳区1221的长边；所述第一段凹槽1231的第一端与所述第二隔离沟槽32贯通，所述第一段凹槽1231的第二端与所述第二段凹槽1232的第一端交错设置，且第一段凹槽1231第二端的外顶角与所述第二段凹槽1232第一端的内顶角连接；所述第一段凹槽1231用于填充白色emc材料以形成第一反光墙，所述第二段凹槽1232用于填充白色emc材料以形成第二反光墙。如此，第一段凹槽1231、第二段凹槽1232和第二隔离沟槽32共同围绕芯片容纳区，便于向它们填充白色emc材料后形成第一反光杯。

本实用新型还提供了采用上述蚀刻片框架制成的封装支架，该封装支架包括上述任一种蚀刻片框架，所述第一隔离沟槽和所述第二隔离沟槽32内填充有emc材料以分别形成第一绝缘沟槽及第二绝缘沟槽，所述蚀刻片框架的四周设置有一反光杯，且所述反光杯的底部包覆所述蚀刻片框架的侧壁且与所述第一电极11和所述第二电极21的底部齐平。

下面以采用实施例2和实施例3的蚀刻片框架的封装支架为例，对封装支架的结构进行详细说明。

请参见图5，是本实用新型实施例4提供的一种封装支架的结构示意图。

如图3、图5～图7所示，该封装支架包括：上述实施例2的蚀刻片框架，第一隔离沟槽和第二隔离沟槽32内填充有白色emc材料以分别形成第一绝缘沟槽311及第二绝缘沟槽321；第一凹槽123内填充有白色emc材料以形成反光墙124，且该反光墙124的两端与第二绝缘沟槽321连接，使得反光墙124和第二隔离沟槽32共同形成第一反光杯；蚀刻片框架的四周设置有第二反光杯4，且第二反光杯4的底部包覆蚀刻片框架的侧壁且与第一电极11和所述第二电极21的底部齐平。如此，蚀刻片框架上的l形连脚41嵌入第二反光杯4的杯壁，增强第二反光杯4与蚀刻片框架的连接强度；并且，能延长气体经该蚀刻片框架连接处进入封装支架的路径，如此能够提升封装支架的气密性。

优选地，所述第二反光杯4位于所述第一反光杯外；所述第一反光杯与所述第二反光杯4之间形成第二凹槽5，所述第二凹槽5用于填充白色emc材料以形成反光层。如此，能够进一步增强采用该封装支架制成led器件的反光效率，提升该led器件的发光亮度。

优选地，所述第一反光杯的顶部呈方形、半圆形或穹顶形，所述第一反光杯的顶部与所述第一金属蚀刻片1顶部之间的高度差为60μm～120μm。

请参见图8，是本实用新型实施例5提供的一种封装支架的结构示意图。

如图4和图8所示，该封装支架包括：上述实施例3的蚀刻片框架，第一隔离沟槽和第二隔离沟槽32内填充有白色emc材料以分别形成第一绝缘沟槽311及第二绝缘沟槽321；第一凹槽123中第一段凹槽1231和第二段凹槽1232内分别填充有白色emc材料以分别形成第一反光墙1241、第二反光墙1242，且该第一反光墙1241的第一端、第二反光墙1242的第二端分别与第二绝缘沟槽321连接，以及第一反光墙1241的第二端与第二反光墙1242的第一端连接，使得第一反光墙1241、第二反光墙1242和第二隔离沟槽32共同形成第一反光杯；蚀刻片框架的四周设置有第二反光杯4，且第二反光杯4的底部包覆蚀刻片框架的侧壁且与第一电极11和所述第二电极21的底部齐平。

优选地，在上述实施例中，所述连接层22的第一边包含与所述芯片放置层12第二边相吻合的第三凸部23，使得所述连接层22的端部能进行打线和放置齐纳二极管；所述芯片放置层12还包括齐纳连接层22，所述齐纳连接层22位于所述第一反光杯与所述第二反光杯4之间并靠近所述第三凸部23。由于第一金属蚀刻片1中芯片放置层12所在层通过缩小第二绝缘沟槽321面积的方式来增加该层面积，进而能够通过设齐纳连接层22来为齐纳二极管预留足够的打线空间，同时，将齐纳连接层22靠近第三凸部23设置便于对齐纳二极管进行打线，缩短打线距离。

优选地，在本实施例中，芯片放置层12还包括第四凸部125，第四凸部125设置于第一反光杯与第二反光杯4之间，且靠近第一容纳区1211设置，以便预留出打线空间。

请参见图9～14，是本实用新型实施例提供的led器件的结构示意图。

如图2、9～14所示，该led器件包括：两个led芯片以及上述任一种封装支架，所述两个led芯片中的第一led芯片61设置于第一放置区121，所述两个led芯片中的第二led芯片62设置于第二放置区122。

当第一led芯片61与第二led芯片62并联时，第一led芯片61的第一端和第二led芯片62的一端通过与芯片放置层12连接实现与第一电极11的连接，第一led芯片61的第二端和第二led芯片62的第二端通过与连接层22连接实现与第二电极21的连接。

当第一led芯片61与第二led芯片62串联时，第一led芯片61的第一端通过与芯片放置层12连接实现与第一电极11的连接，第一led芯片61的第二端与第二led芯片62的第一端连接，第二led芯片62的第二端通过与连接层22连接实现与第二电极21的连接。

优选地，该led器件还包括齐纳二极管7，齐纳二极管7设置于连接层22上，且其第一端通过与连接层22连接实现与第二电极21的连接，其第二端通过与芯片放置层12连接实现与第一电极11的连接。如此，能够避免led器件发生反向击穿。

当采用上述实施例中具有第一反光杯和第二反光杯4的封装支架制作led器件时，该led器件包含两个led芯片，所述两个led芯片分别设置于所述第一放置区121、所述第二放置区122，所述第二凹槽5填充有白色反光层，所述第一反光杯内、两个led芯片上以及所述白色反光层上涂覆有荧光层。

接下来，以采用图5所示封装支架制成的led器件为例，对这类led器件进行详细说明。

如图5、图11和图15所示，该led器件包括两个led器件和具有第一反光杯和第二反光杯4的封装支架，两个led芯片分别设置于该封装支架的第一容纳区1211和第二容纳区1221，第一反光杯与第二反光杯4之间的第二凹槽5内填充有白色反光层8，如此，能够使得白色反光层8对两个led芯片发射出的光反射至led器件的出光方向，增加led器件的发光强度和发光效率。此外，在第一反光杯内、两个led芯片上以及白色反光层上涂覆有荧光层9。

其中，该白色反光层可以是白色emc材料。

优选地，由于第一反光杯的顶部呈方形、半圆形或穹顶形，第一反光杯的顶部与第一金属蚀刻片1顶部之间的高度差为60μm～120μm，且第二反光杯4的高度高于第一反光杯，则使得填充于第二凹槽5内的白色反光层的表面为下凹的弧面，由此增加led器件的反射面积，提升led器件的反射率。

对于本实用新型中led器件实施例而言，由于其是基于上述封装支架制作而成，所以相关之处参见封装支架实施例部分说明即可。以上所描述的led器件实施例仅仅是示意性的。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下，即可以理解并实施。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型做任何形式上的限制，故凡未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。