一种半导体封装结构的制作方法

本实用新型涉及一种半导体封装结构，属于半导体封装技术领域。

背景技术：

众所周知，qfn(quadflatno-leadpackage，四侧无引脚扁平封装)为无引脚封装，其中央位置有一个大面积裸露的焊盘，具有导热作用，在大焊盘的封装外围有实现电气连接的导电焊盘。通常散热焊盘与导电焊盘一起贴装在电路板上，提供出色的散热通道，释放封装内的热量。

图1为现有的一种新型的qfn封装结构，美国专利公告第7,145,222号提出一种无外引脚半导体封装结构(leadlesssemiconductorpackage)，其封装结构10包含一基岛(diepad)11、复数个引脚(land)12、一芯片(chip)13、一粘着层(adhesivelayer)14、复数条焊线(wires)15及一塑封料(moldingcompound)16，所述基岛11具有一凹槽111，所述凹槽111的内底面另具有数个凹穴112。所述芯片13通过所述粘着层14固定在所述基岛11的凹槽111内，所述凹槽111防止所述粘着层14向外溢出。所述焊线15电性连接在所述芯片13与所述引脚12，其中一小部份的焊线15电性连接在所述芯片13与基岛11表面。所述芯片13、粘着层14、焊线15以及所述基岛11及引脚12的上表面包覆在塑封料16之内，所述基岛11和引脚12背面暴露在塑封料16之外。

然而上述所述封装结构10的基岛11仅具一有限厚度，且基岛背面为一平坦的表面，使得封装结构10内部的热能无法及时的散出。再者，由于所述基岛11具有凹槽111的存在，使得基岛11内底面与背面之间的厚度将会存在厚度分布不均匀的问题，从而使得所述芯片13产生的高热在较厚及较薄的区域将产生热能向下传导效率不一致的情形。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种半导体封装结构，其基岛上设有凹槽以容置黏着层与芯片，且凹槽的内底部具有复数个凹穴，基岛背面对应于凹穴的位置设置有金属柱，因而有利于提供散热效率以及保持基岛热能传导均一性。

本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为：一种半导体封装结构，它包括一基岛和复数个引脚，所述基岛上设置有一凹槽，所述凹槽的底面设置有复数个凹穴，所述基岛的背面设置有复数个金属柱，所述凹槽背面区域金属柱的位置与所述凹穴的位置一一对应，所述凹槽内通过粘着层设置有一芯片，所述芯片与基岛或引脚之间通过焊线相连接，所述芯片和焊线外围包封有塑封料，所述基岛、引脚和金属柱背面暴露于塑封料之外。

优选的，所述金属柱的宽度比凹穴的宽度略宽。

优选的，所述引脚背面外侧具有一台阶。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：

本实用新型一种半导体封装结构，其基岛上设有凹槽以容置黏着层芯片，且凹槽的内底部具有复数个凹穴，基岛背面对应于凹穴的位置设置有金属柱，因而有利于提供散热效率以及保持基岛热能传导均一性。

附图说明

图1为现有的一种新型qfn封装结构的示意图。

图2为本实用新型一种半导体封装结构的示意图。

图3为本实用新型一种半导体封装结构的基岛正面挖槽与背面铜柱一一对应的示意图。

其中：

基岛21

凹槽211

凹穴212

金属柱213

引脚22

台阶221

芯片23

粘着层24

焊线25

塑封料26。

具体实施方式

以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。

如图2、图3所示，本实用新型涉及的一种半导体封装结构，它包括一基岛21和复数个引脚22，所述基岛21上设置有一凹槽211，所述凹槽211的底面设置有复数个凹穴212，所述基岛21的背面设置有复数个金属柱213，所述凹槽211背面区域金属柱213的位置与所述凹穴2112的位置一一对应，所述凹槽211内通过粘着层24设置有一芯片23，所述凹槽211能够防止粘着层24向外溢出，所述芯片23与基岛21或引脚22之间通过焊线25相连接，所述芯片23和焊线25外围包封有塑封料26，所述基岛21、引脚22和金属柱213背面暴露于塑封料26之外；

所述金属柱213的宽度比凹穴212的宽度略宽；

所述引脚22背面外侧具有一台阶221。

上述实施例外，本实用新型还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。

技术特征：

1.一种半导体封装结构，其特征在于：它包括一基岛(21)和复数个引脚(22)，所述基岛(21)上设置有一凹槽(211)，所述凹槽(211)的底面设置有复数个凹穴(212)，所述基岛(21)的背面设置有复数个金属柱(213)，所述凹槽(211)背面区域金属柱(213)的位置与所述凹穴(212)的位置一一对应，所述凹槽(211)内通过粘着层(24)设置有一芯片(23)，所述芯片(23)与基岛(21)或引脚(22)之间通过焊线(25)相连接，所述芯片(23)和焊线(25)外围包封有塑封料(26)，所述基岛(21)、引脚(22)和金属柱(213)背面暴露于塑封料(26)之外。

2.根据权利要求1所述的一种半导体封装结构，其特征在于：所述金属柱(213)的宽度比凹穴(212)的宽度略宽。

3.根据权利要求1所述的一种半导体封装结构，其特征在于：所述引脚(22)背面外侧具有一台阶(221)。

技术总结
本实用新型涉及一种半导体封装结构，它包括一基岛(21)和复数个引脚(22)，所述基岛(21)上设置有一凹槽(211)，所述凹槽(211)的底面设置有复数个凹穴(212)，所述基岛(21)的背面设置有复数个金属柱(213)，所述凹槽(211)背面区域金属柱(213)的位置与所述凹穴(212)的位置一一对应，所述凹槽(211)内通过粘着层(24)设置有一芯片(23)，所述芯片(23)与基岛(21)或引脚(22)之间通过焊线(25)相连接，所述芯片(23)和焊线(25)外围包封有塑封料(26)。本实用新型的基岛上设有凹槽以容置黏着层与芯片，且凹槽的内底部具有复数个凹穴，基岛背面对应于凹穴的位置设置有金属柱，因而有利于提供散热效率以及保持基岛热能传导均一性。

技术研发人员：陆天然;王赵云
受保护的技术使用者：长电科技(宿迁)有限公司
技术研发日：2019.12.27
技术公布日：2020.09.22